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シリコン材料・デバイス研究会 (SDM) (検索条件: 2019年度)
「from:2019-10-23 to:2019-10-23」による検索結果
| 研究会 | 発表日時 | 開催地 | タイトル・著者 | 抄録 | 資料番号 | |
| SDM | 2019-10-23 13:30 |
宮城 | 東北大学未来情報産業研究館５Ｆ | ［招待講演］プラズマを用いた原子層エッチング(ALE) ○熊倉 翔・木原嘉英・本田昌伸（東京エレクトロン宮城）  SDM2019-53 |
Atomic layer etching (ALE)は、エッチングプロセスにおける吸着過程と反応過程を分離し、それぞれの... [more] | SDM2019-53 pp.1-6 |
| SDM | 2019-10-23 14:20 |
宮城 | 東北大学未来情報産業研究館５Ｆ | Hf界面層を用いた強誘電性ノンドープHfO2薄膜のSi(100)基板上への直接形成 ○片岡正和・林 将生・キム ミンギ・大見俊一郎（東工大） SDM2019-54 |
本研究では、ノンドープHfO2薄膜を用いた強誘電体ゲートFETの実現を目的として、Hf界面層の導入による低誘電率SiO2... [more] | SDM2019-54 pp.7-10 |
| SDM | 2019-10-23 14:50 |
宮城 | 東北大学未来情報産業研究館５Ｆ | The investigation of interface property of N-doped LaB6/SiO2/Si(100) stack structure by increasing deposition temperature ○Kyung Eun Park・Hideki Kamata・Shun-ichiro Ohmi（Tokyo Tech） SDM2019-55 |
[more] | SDM2019-55 pp.11-15 |
| SDM | 2019-10-23 15:40 |
宮城 | 東北大学未来情報産業研究館５Ｆ | Investigation of ferroelectric undoped HfO2 formation on Si(100) utilizing post metallization annealing for nonvolatile memory application ○Min Gee Kim・Masakazu Kataoka・Masaki Hayashi・Rengie Mark D. Mailig・Shun-ichiro Ohmi（Tokyo Tech.） SDM2019-56 |
[more] | SDM2019-56 pp.17-20 |
| SDM | 2019-10-23 16:10 |
宮城 | 東北大学未来情報産業研究館５Ｆ | A study on the EOT scaling of the Hf-based MONOS non-volatile memory characteristics utilizing HfON tunneling layer ○Jooyoung Pyo・Yusuke Horiuchi・Shun-ichiro Ohmi（Tokyo Tech.） SDM2019-57 |
[more] | SDM2019-57 pp.21-24 |
| SDM | 2019-10-23 16:40 |
宮城 | 東北大学未来情報産業研究館５Ｆ | 多層電荷蓄積層を用いたHf系MONOS型不揮発性多値メモリに関する検討 ○堀内勇介・表 柱栄・大見俊一郎（東工大） SDM2019-58 |
[more] | SDM2019-58 pp.25-28 |
| SDM | 2019-10-24 09:30 |
宮城 | 東北大学未来情報産業研究館５Ｆ | ［招待講演］NiAl as Cu alternative for ultrasmall feature sizes ○Linghan Chen・Junichi Koike・Daisuke Ando・Yuji Sutou（Tohoku Univ.） SDM2019-59 |
[more] | SDM2019-59 pp.29-33 |
| SDM | 2019-10-24 10:20 |
宮城 | 東北大学未来情報産業研究館５Ｆ | ［依頼講演］Co/Si界面の酸化物層がショットキー障壁高さと接触抵抗に及ぼす影響 ○城戸光一・佐藤 謙・黒田理人・安藤大輔・須藤祐司・小池淳一（東北大） SDM2019-60 |
[more] | SDM2019-60 pp.35-38 |
| SDM | 2019-10-24 10:50 |
宮城 | 東北大学未来情報産業研究館５Ｆ | Low temperature formation of PdErSi/Si(100) for Schottky barrier source and drain MOSFET applications ○Rengie Mark D. Mailig・Yuichiro Aruga・Min Gee Kim・Shun-ichiro Ohmi（Tokyo Tech） SDM2019-61 |
In this report, the effects of the TiN encapsulating layer o... [more] | SDM2019-61 pp.39-43 |
| SDM | 2019-10-24 13:00 |
宮城 | 東北大学未来情報産業研究館５Ｆ | ［招待講演］ナノ人工物メトリクスを実現するランダムナノ構造形成と電気的読出技術 ○葛西誠也・呂 任鵬・清水克真・殷 翔（北大）・上羽陽介・石川幹雄・北村 満（大日本印刷）・法元盛久（産総研）・成瀬 誠（東大）・松本 勉（横浜国大） SDM2019-62 |
ナノスケールのランダム構造を用いた安全性が高い認証技術であるナノ人工物メトリクスのコンセプト，そしてこれを実現するための... [more] | SDM2019-62 pp.45-50 |
| SDM | 2019-10-24 13:50 |
宮城 | 東北大学未来情報産業研究館５Ｆ | 新しい圧電材料BiFeO3の薄膜形成技術と基板依存性 ○今泉文伸・仲田陸人（小山高専） SDM2019-63 |
鉛が含まれていない圧電材料であるBiFeO3 (BFO)薄膜を、スパッタリングと酸素ラジカル処理を組み合わせて成膜した。... [more] | SDM2019-63 pp.51-54 |
| SDM | 2019-10-24 14:20 |
宮城 | 東北大学未来情報産業研究館５Ｆ | 超高感度トンネル磁気抵抗センサの開発 ○大兼幹彦（東北大） SDM2019-64 |
トンネル磁気抵抗素子を用いた高感度磁気センサ素子の実現に期待が高まっている。最近、センサ素子の高出力化と低ノイズ化により... [more] | SDM2019-64 pp.55-58 |
| SDM | 2019-10-24 15:10 |
宮城 | 東北大学未来情報産業研究館５Ｆ | 次世代メモリ材料の高精度統計評価を行う抵抗測定プラットフォーム ○前田 健・大村裕弥・黒田理人・寺本章伸・諏訪智之・須川成利（東北大） SDM2019-65 |
様々な次世代メモリ材料の抵抗値を高精度に統計評価可能な抵抗測定プラットフォームについて報告する．開発したプラットフォーム... [more] | SDM2019-65 pp.59-64 |
| SDM | 2019-10-24 15:40 |
宮城 | 東北大学未来情報産業研究館５Ｆ | 高SN比CMOS吸光イメージセンサによる半導体プロセスチャンバー内ガス濃度分布計測 ○髙橋圭吾・Yhang Ricardo Sipauba Carvalho da Silva・黒田理人・藤原康行・村田真麻・石井秀和・森本達郎・諏訪智之・寺本章伸・須川成利（東北大） SDM2019-66 |
70 dB超の信号対雑音比(SN比)と紫外波長帯域において高感度・高耐光性を有する横型オーバーフロー蓄積トレンチ容量(L... [more] | SDM2019-66 pp.65-68 |
| SDM | 2019-10-24 16:10 |
宮城 | 東北大学未来情報産業研究館５Ｆ | 高速ビデオカメラを用いたマグネトロンスパッタリングプラズマの揺動現象の観察 ○山崎森太郎・後藤哲也・鈴木 学・黒田理人・須川成利（東北大） SDM2019-67 |
[more] | SDM2019-67 pp.69-72 |
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