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シリコン材料・デバイス研究会 (SDM) (検索条件: 2017年度)
「from:2017-10-25 to:2017-10-25」による検索結果
| 研究会 | 発表日時 | 開催地 | タイトル・著者 | 抄録 | 資料番号 | |
| SDM | 2017-10-25 14:00 |
宮城 | 東北大学未来研 | ［招待講演］段差ゼロの平坦化技術: CMP前のPMD体積調整 ○掛川智康・二瀬卓也（サンディスク）  SDM2017-50 |
本平坦化技術では, コンタクト開孔露光前のPMD段差ゼロを試みた. 孔の微細化が進むに連れて従来のチップ内のPMD段差 ... [more] | SDM2017-50 pp.1-7 |
| SDM | 2017-10-25 14:50 |
宮城 | 東北大学未来研 | 局所的ストレス誘起ゲートリーク電流の統計的分布の解析とSi表面平坦化工程による低減 朴 賢雨・○黒田理人・後藤哲也・諏訪智之・寺本章伸・木本大幾・須川成利（東北大） SDM2017-51 |
3種の異なるゲートサイズを有する多数のnMOSトランジスタのストレス誘起ゲートリーク電流(Stress Induced ... [more] | SDM2017-51 pp.9-14 |
| SDM | 2017-10-25 15:20 |
宮城 | 東北大学未来研 | 化学酸化膜を用いたAr/H2熱処理によるSi表面原子レベル平坦化とHf系MONOS構造への応用 ○工藤聡也・大見俊一郎（東工大） SDM2017-52 |
従来の浮遊ゲート型に代わる不揮発性メモリとして、MONOS型不揮発性メモリが注目されている。MONOS型不揮発性メモリの... [more] | SDM2017-52 pp.15-19 |
| SDM | 2017-10-25 16:00 |
宮城 | 東北大学未来研 | 塗布型拡散剤を用いたnm対応コンフォーマルドーピング技術 ○木下哲郎・真下峻一・大橋卓矢・澤田佳宏・木下洋平・藤村悟史（TOK） SDM2017-53 |
基板種によらないウェハ上の立体構造に対してコンフォーマルに、数ナノメートル膜厚の被膜を形成できる塗布材料を開発した。本研... [more] | SDM2017-53 pp.21-24 |
| SDM | 2017-10-25 16:30 |
宮城 | 東北大学未来研 | ［招待講演］HfO2をゲート絶縁膜に用いたペンタセンOFETのデバイス特性に関する検討 ○前田康貴・劉 野原・廣木瑞葉・大見俊一郎（東工大） SDM2017-54 |
p型有機半導体として広く知られているペンタセンは、下層材料や堆積温度によりグレインの形状が大きく変化することが報告されて... [more] | SDM2017-54 pp.25-30 |
| SDM | 2017-10-26 09:30 |
宮城 | 東北大学未来研 | ［招待講演］ビックデータの活用によるメモリ製造革新 ～ 半導体製造の歩留解析支援システム ～ ○赤堀浩史（東芝メモリ）・中田康太・折原良平・水岡良彰・高木健太郎（東芝）・門多健一・西村孝治・田中祐加子・江口英孝（東芝メモリ） SDM2017-55 |
半導体製造における歩留解析では，製品の品質検査結果と各工程の処理装置履歴から不良の原因装置を特定し，対策に繋げることで生... [more] | SDM2017-55 pp.31-33 |
| SDM | 2017-10-26 10:20 |
宮城 | 東北大学未来研 | 紫外吸光とチャージアンプ回路を用いた高感度・小型リアルタイムガス濃度計 ○石井秀和（東北大）・永瀬正明・池田信一（フジキン）・志波良信・白井泰雪・黒田理人・須川成利（東北大） SDM2017-56 |
半導体，パワーデバイス，LED，ディスプレイ等の電子デバイス製造プロセスにおいて，濃度制御製が困難な有機金属ガスが使用さ... [more] | SDM2017-56 pp.35-38 |
| SDM | 2017-10-26 10:50 |
宮城 | 東北大学未来研 | ZrO2シード層がHfxZr1-xO2薄膜の強誘電性へ及ぼす効果 ○女屋 崇（明大/物質・材料研究機構）・生田目俊秀（物質・材料研究機構/JST）・澤本直美（明大）・大井暁彦・池田直樹・知京豊裕（物質・材料研究機構）・小椋厚志（明大） SDM2017-57 |
本研究では、TiN下部電極と強誘電体HfxZr1-xO2 (HZO)薄膜の間に原子層堆積法を用いて成膜したZrO2膜をシ... [more] | SDM2017-57 pp.39-44 |
| SDM | 2017-10-26 13:00 |
宮城 | 東北大学未来研 | ［依頼講演］28nmスプリットゲートMONOS型フラッシュメモリを用いた高温動作かつ低エラー率を実現するPUF技術 ○下井貴裕・斉藤朋也・長瀬寛和・伊豆名雅之・神田明彦・伊藤 孝・河野隆司（ルネサス エレクトロニクス） SDM2017-58 |
28nmスプリットゲートMONOS（SG-MONOS）型フラッシュメモリを用いた、ハードウェアセキュリティ向けの高信頼の... [more] | SDM2017-58 pp.45-49 |
| SDM | 2017-10-26 13:30 |
宮城 | 東北大学未来研 | スクライブ上モニタパタンのシート抵抗測定によるイメージセンサの空乏化電位管理について ○後藤洋太郎（ルネサスセミコンダクタマニュファクチャリング）・山口 直・松浦正純（ルネサス エレクトロニクス）・飯塚康治（ルネサスセミコンダクタマニュファクチャリング） SDM2017-59 |
[more] | SDM2017-59 pp.51-55 |
| SDM | 2017-10-26 14:00 |
宮城 | 東北大学未来研 | 高精度アレイテスト回路計測技術を用いたソースフォロアトランジスタの動作条件変化によるランダムテレグラフノイズの挙動解析 ○市野真也・間脇武蔵・寺本章伸・黒田理人・若嶋駿一・須川成利（東北大） SDM2017-60 |
CMOSイメージセンサ（CIS）の画素内ソースフォロアトランジスタ（SF）で発生するランダムテレグラフノイズ（RTN）に... [more] | SDM2017-60 pp.57-62 |
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