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シリコン材料・デバイス研究会 (SDM) (検索条件: 2014年度)
「from:2015-01-27 to:2015-01-27」による検索結果
| 研究会 | 発表日時 | 開催地 | タイトル・著者 | 抄録 | 資料番号 | |
| SDM | 2015-01-27 10:00 |
東京 | 機械振興会館 | ［招待講演］HfO2/SiO2/SiゲートスタックにおけるSiO2スカベンジング現象の定式化 ○李 秀妍・矢嶋赳彬・西村知紀・長汐晃輔・鳥海 明（東大）  SDM2014-135 |
[more] | SDM2014-135 pp.1-4 |
| SDM | 2015-01-27 10:25 |
東京 | 機械振興会館 | ［招待講演］Ge基板中の酸素がn-MOSFETsの接合リーク電流及び電子移動度に与える効果 ○李 忠賢・西村知紀・魯 辞莽・株柳翔一・鳥海 明（東大） SDM2014-136 |
[more] | SDM2014-136 pp.5-8 |
| SDM | 2015-01-27 10:50 |
東京 | 機械振興会館 | ［招待講演］ゲルマニウムソース薄膜ひずみSOIトンネルFETの実現とその電気特性に与えるひずみ、MOS界面、バックバイアスの効果 ○金 閔洙・若林勇希・中根了昌・横山正史・竹中 充・高木信一（東大） SDM2014-137 |
本論文では、ゲルマニウムソース/ひずみシリコンチャネルヘテロ接合トンネルFETの高性能動作の実証結果を示す。シリコンチャ... [more] | SDM2014-137 pp.9-12 |
| SDM | 2015-01-27 11:15 |
東京 | 機械振興会館 | ［招待講演］フラッシュランプアニール法による多結晶Ge tri-gateジャンクションレスp-/n-MOSFET動作の実証 ○臼田宏治・鎌田善巳・上牟田雄一・森 貴洋・小池正浩・手塚 勉（産総研） SDM2014-138 |
多結晶Siに比べて低温形成が可能な多結晶Geは、既存集積回路への熱負荷を抑制しつつ直接積層が可能で、3次元積層CMOS用... [more] | SDM2014-138 pp.13-16 |
| SDM | 2015-01-27 11:40 |
東京 | 機械振興会館 | ［招待講演］電子・フォノン統合モンテカルロシミュレータによる微細トランジスタの自己発熱析 ○鎌倉良成・インドラ ヌル アディスシロ・久木田健太郎・脇村 豪（阪大）・木場隼介・土屋英昭（神戸大）・森 伸也（阪大） SDM2014-139 |
[more] | SDM2014-139 pp.17-20 |
| SDM | 2015-01-27 14:00 |
東京 | 機械振興会館 | ［招待講演］次世代3DICのためのCMOSウエーハ高精度積層技術～システムとプロセス～ ○岡田政志・菅谷 功・三ツ石 創・前田栄裕・泉 重人・中平法生・岡本和也（ニコン） SDM2014-140 |
[more] | SDM2014-140 pp.21-24 |
| SDM | 2015-01-27 14:25 |
東京 | 機械振興会館 | ［招待講演］SOI基板の直接接合を用いた画素並列A/D変換方式3次元構造CMOSイメージセンサ ○後藤正英・萩原 啓・井口義則・大竹 浩（NHK）・更屋拓哉・小林正治・日暮栄治・年吉 洋・平本俊郎（東大） SDM2014-141 |
超高精細と高フレームレートとを両立できる次世代のイメージセンサを目指して、画素並列信号処理を行う３次元構造CMOSイメー... [more] | SDM2014-141 pp.25-28 |
| SDM | 2015-01-27 14:50 |
東京 | 機械振興会館 | ［招待講演］次世代垂直磁化MTJと非対称磁場補正技術を用いたキャッシュメモリ向け低電力高密度STT-MRAM ○池上一隆・野口紘希・鎌田親義・天野 実・安部恵子・櫛田桂一・落合隆夫・下村尚治・板井翔吾・才田大輔・田中千加・川澄 篤・原 浩幸・伊藤順一・藤田 忍（東芝） SDM2014-142 |
近年のプロセッサにおける性能向上はキャッシュメモリの増大に頼っている。しかしながら、従来のキャッシュメモリでは、SRAM... [more] | SDM2014-142 pp.29-32 |
| SDM | 2015-01-27 15:30 |
東京 | 機械振興会館 | ［招待講演］n型トンネルトランジスタにおけるPBTI寿命の正確な予測 ○水林 亘・森 貴洋・福田浩一・柳 永勛・松川 貴・石川由紀・遠藤和彦・大内真一・塚田順一・山内洋美・森田行則・右田真司・太田裕之・昌原明植（産総研） SDM2014-143 |
high-kゲート絶縁膜を有するn型トンネルFinFETs（TFETs）のPBTI特性を系統的に調べた。n型TFETsの... [more] | SDM2014-143 pp.33-36 |
| SDM | 2015-01-27 15:55 |
東京 | 機械振興会館 | ［招待講演］16nmノードMetal/high-k FinFETプロセスを用いたワード線オーバードライブアシスト技術による高速シングルポートSRAM ○藪内 誠・森本薫夫・塚本康正・田中信二・田中浩司・田中美紀・新居浩二（ルネサス エレクトロニクス） SDM2014-144 |
16nm High-KメタルゲートのフィンFETプロセスにおけるSRAMにワード線オーバードライブ方式のアシスト回路技術... [more] | SDM2014-144 pp.37-40 |
| SDM | 2015-01-27 16:20 |
東京 | 機械振興会館 | ［招待講演］非晶質金属ゲート電極FinFETによるばらつき・低周波ノイズ抑制とアナログ・デジタル回路のスケーリング限界の改善 ○松川 貴・福田浩一・柳 永勛・塚田順一・山内洋美・石川由紀・遠藤和彦・大内真一・右田真司・水林 亘・森田行則・太田裕之・昌原明植（産総研） SDM2014-145 |
[more] | SDM2014-145 pp.41-44 |
| SDM | 2015-01-27 16:45 |
東京 | 機械振興会館 | ［招待講演］Si CMOSプラットフォームにおけるp-n相補型トンネルFinFETの急峻サブスレッショルド・スイングおよび超低オフ電流の実証 ○森田行則・森 貴洋・福田浩一・水林 亘・右田真司・松川 貴・遠藤和彦・大内真一・柳 永勛・昌原明植・太田裕之（産総研） SDM2014-146 |
FinFET型チャネルを持つトンネル電界効果トランジスタ(トンネルFinFET)をSi CMOSプラットフォームにおいて... [more] | SDM2014-146 pp.45-48 |
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