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シリコン材料・デバイス研究会 (SDM) (検索条件: 2012年度)
「from:2012-12-07 to:2012-12-07」による検索結果
| 研究会 | 発表日時 | 開催地 | タイトル・著者 | 抄録 | 資料番号 | |
| SDM | 2012-12-07 16:15 |
京都 | 京都大学(桂) | HfO2-Conducting-Bridge memoryにおけるリセットパラメータの相関関係 ○鶴田茂之・木下健太郎・長谷川 祥・榎本優太郎・岸田 悟（鳥取大）  SDM2012-135 |
新規の不揮発性メモリやスイッチング素子として期待されるConducting Bridge memory (CB-RAM)... [more] | SDM2012-135 pp.119-122 |
| SDM | 2012-12-07 16:30 |
京都 | 京都大学(桂) | 微細領域に閉じ込められたReRAMフィラメントのメモリ特性 ○高 相圭・木下健太郎・福原貴博・澤居優圭・岸田 悟（鳥取大） SDM2012-136 |
抵抗変化型メモリ(ReRAM)実用化の観点から微細セルのメモリ特性を明らかにすることが重要である. しかし, 実際にRe... [more] | SDM2012-136 pp.123-127 |
| SDM | 2012-12-07 16:45 |
京都 | 京都大学(桂) | 金属/TiO2/金属積層構造の抵抗スイッチング特性に対する電極材料の影響 ○沖元直樹・岩田達哉・西 佑介・木本恒暢（京大） SDM2012-137 |
上部電極/TiO$_2$/Pt積層構造において、上部電極材料が抵抗スイッチング現象に与える影響について調べた。上部電極と... [more] | SDM2012-137 pp.129-132 |
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