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講演検索結果
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 71件中 1~20件目  /  [次ページ]  
研究会 発表日時 開催地 タイトル・著者 抄録 資料番号
CPM 2024-02-29
11:15
山形 山形大学工学部
(ハイブリッド開催,主:現地開催,副:オンライン開催)
酸化亜鉛薄膜トランジスタを用いたアルコール分子の検出
野口竜之介三浦正範有馬ボシールアハンマド廣瀬文彦山形大CPM2023-101
近年、室温動作で低コスト、高感度で選択性のあるVOCを検出するためのガスセンサーの開発に焦点を当てた研究が盛んに行われて... [more] CPM2023-101
pp.19-22
SDM 2023-10-13
16:00
宮城 東北大学未来情報産業研究館5F 強度分布を有するエキシマレーザーアニールによる結晶粒径制御と低温ポリシリコン薄膜トランジスタ特性
西田 脩片山慶太中村大輔九大)・後藤哲也東北大)・池上 浩高知工科大SDM2023-58
エキシマレーザーアニール(ELA)法で結晶化した低温ポリシリコン(LTPS)薄膜トランジスタ(TFT)は、アモルファスシ... [more] SDM2023-58
pp.27-33
SDM, OME
(共催)
2023-04-22
09:40
沖縄 沖縄県青年会館
(ハイブリッド開催,主:現地開催,副:オンライン開催)
絶縁膜上におけるSn添加Ge薄膜の固相成長とTFT応用
古賀泰志郎永野貴弥茂藤健太山本圭介・○佐道泰造九大SDM2023-7 OME2023-7
高性能システムインディスプレイの実現には,高速薄膜トランジスタ(TFT)の創出が必須である.このためSiより高いキャリア... [more] SDM2023-7 OME2023-7
pp.27-29
SDM 2022-02-04
10:40
ONLINE オンライン開催 [招待講演]低温焼結塗布型シリカを用いた印刷エレクトロニクス
三成剛生物質・材料研究機構)・孫 晴晴鄭州大)・李 玲穎物質・材料研究機構)・李 万里江南大)・劉 旭影鄭州大SDM2021-76
金属インクを塗布・印刷することで配線や電子素子を形成するプリンテッドエレクトロニクスは,フレキシブル基板上に低温・低コス... [more] SDM2021-76
pp.9-12
SDM, OME
(共催)
2020-04-14
11:10
沖縄 沖縄県青年会館
(開催中止,技報発行なし)
[招待講演]大画面フレキシブルディスプレイに向けた酸化物薄膜トランジスタの開発
辻 博史中田 充武井達哉宮川幹司中嶋宜樹清水貴央NHK
薄くて軽く,柔軟で丸めることもできる次世代のディスプレイとして,プラスチックフィルムを基板として用いるフレキシブルディス... [more]
SDM 2020-02-07
14:20
東京 東京大学/本郷キャンパス工学部4号館3階42講義室(419号室) [招待講演]真空紫外光を用いた印刷・めっきによる配線技術
三成剛生李 万里孫 晴晴李 玲頴物質・材料研究機構)・リュウ シューイン鄭州大)・金原正幸C-INKSDM2019-94
高精細なプリンテッドエレクトロニクス技術と、選択的無電解めっき技術を紹介します。 [more] SDM2019-94
pp.27-30
EID, ITE-IDY, IEE-EDD
(連催)
IEIJ-SSL, SID-JC
(共催)
(連催) [詳細]
2020-01-23
15:15
鳥取 鳥取大鳥取キャンパス [依頼講演]原子状水素を用いた表面処理技術の半導体分野への応用
部家 彰兵庫県立大
水素ガスを加熱金属線で分解し生成した原子状水素を用いた表面処理技術(原子状水素アニール(AHA))の半導体分野への応用に... [more]
EID, ITE-IDY, IEE-EDD
(連催)
IEIJ-SSL, SID-JC
(共催)
(連催) [詳細]
2020-01-24
11:10
鳥取 鳥取大鳥取キャンパス [ポスター講演]低温形成した陽極酸化アルミナ絶縁膜の膜物性評価とそのデバイス応用
河野守哉森 海是友大地古田 守高知工科大EID2019-16
フレキシブル薄膜トランジスタ(TFT)のゲート絶縁膜応用を目的とし、陽極酸化により低温形成した酸化アルミナ(Al2O3)... [more] EID2019-16
pp.129-131
ED, SDM
(共催)
2018-02-28
11:55
北海道 北海道大学百年記念会館 カーボンナノチューブバイオセンサの電気的特性に対する電解液の影響
長谷川加奈牛山拓也岸本 茂大野雄高名大ED2017-108 SDM2017-108
カーボンナノチューブ(CNT)薄膜電界効果トランジスタのバイオセンサ応用において、電解液中の電気的特性を理解することが重... [more] ED2017-108 SDM2017-108
pp.19-22
SDM, EID
(共催)
2017-12-22
13:15
京都 京都大学 GaSnO薄膜を用いたフレキシブルデバイス応用
髙木 瞭龍谷大)・梅田鉄馬奈良先端大)・松田時宜龍谷大)・上沼睦典奈良先端大)・木村 睦龍谷大EID2017-16 SDM2017-77
レアメタルフリー酸化物半導体のアモルファスGa-Sn-O(a-GTO)薄膜を用いてフレキシブルデバイスへの応用を見据えた... [more] EID2017-16 SDM2017-77
pp.23-28
SDM, EID
(共催)
2017-12-22
15:30
京都 京都大学 Cu-MICを用いたガラス基板上のダブルゲート低温多結晶ゲルマニウムスズ薄膜トランジスタ
西口尚希内海弘樹原 明人東北学院大EID2017-24 SDM2017-85
新たな半導体デバイス材料の一つとしてゲルマニウムスズ(GeSn)が注目されている。 薄膜でのGeSnの低温結晶化として銅... [more] EID2017-24 SDM2017-85
pp.67-70
SDM, EID
(共催)
2017-12-22
15:45
京都 京都大学 薄膜トランジスタを用いた薄膜生体刺激デバイスの動作検証
三宅康平冨岡圭佑三澤慶悟木村 睦龍谷大EID2017-25 SDM2017-86
薄膜トランジスタ (TFT) の特性から医療分野への応用が期待されている.そこで,生体刺激デバイスに TFT が使用でき... [more] EID2017-25 SDM2017-86
pp.71-76
ED 2017-04-20
16:15
宮城 東北大学電気通信研究所 本館 6階 大会議室 プラズマ法による凸版反転印刷電極の表面処理と有機トランジスタ特性評価
圓岡 岳竹田泰典山形大)・岡本朋子片山嘉則DIC)・福田 貴東ソー)・熊木大介松井弘之泉 小波時任静士山形大ED2017-7
印刷法による高精細な電極を形成する技術は、有機トランジスタのさらなる高性能化に加え、センシングデバイスや有機無線タグの実... [more] ED2017-7
pp.25-28
ED, SDM
(共催)
2017-02-24
10:50
北海道 北海道大学百年記念会館 溶液法を用いた酸化亜鉛系薄膜トランジスタの作製および熱ナノインプリント法による酸化物薄膜のダイレクトパターニング
木村史哉アブドゥラ ハナキ孫 屹佐々木祥太永山幸希小山政俊前元利彦佐々誠彦阪工大ED2016-132 SDM2016-149
酸化亜鉛(ZnO)は3.37 eVのエネルギーバンドギャップを有するため,可視光領域において透明である.また,次世代ディ... [more] ED2016-132 SDM2016-149
pp.13-16
OME 2016-10-28
13:00
東京 機械振興会館 [招待講演]有機薄膜トランジスタにおけるコンタクト修飾効果のデバイスシミュレーション解析
野田 啓長浜陽生山本 亮和田恭雄慶大)・鳥谷部 達東洋大OME2016-38
有機薄膜トランジスタ(OTFT)におけるコンタクトドーピングやコンタクト電極表面の化学修飾に着目した,デバイス作製評価と... [more] OME2016-38
pp.1-4
SDM 2016-06-29
16:40
東京 キャンパス・イノベーションセンター東京 TFT応用に向けたRFマグネトロンスパッタリング法によるMoS2膜の形成
大橋 匠松浦賢太朗東工大)・石原聖也日比野祐介澤本直美明大)・角嶋邦之筒井一生東工大)・小椋厚志明大)・若林 整東工大SDM2016-46
層状構造を有するMoS2は薄膜領域において高移動度を有することから,柔軟性や光透過性などを併せ持つ次世代の極微細Comp... [more] SDM2016-46
pp.75-78
SDM, OME
(共催)
2016-04-08
16:25
沖縄 沖縄県立博物館・美術館 博物館講座室 大気圧マイクロ熱プラズマジェット結晶化ゲルマニウム膜の電気特性評価及び高性能薄膜トランジスタの作製
中谷太一原田大夢・○東 清一郎広島大SDM2016-9 OME2016-9
大気圧マイクロ熱プラズマジェット(μ-TPJ)を石英基板上のアモルファスゲルマニウム(a-Ge)膜へ照射し形成した結晶(... [more] SDM2016-9 OME2016-9
pp.35-38
SDM, OME
(共催)
2016-04-09
09:30
沖縄 沖縄県立博物館・美術館 博物館講座室 [招待講演]酸化物半導体を用いた不揮発性メモリ薄膜トランジスタの作製
尹 聖民金 昭淨朴 珉智尹 多貞慶熙大SDM2016-12 OME2016-12
可視光に対する透明性及び機械的な柔軟性を持ち備えた不揮発性メモリ素子は多様な興味深い応用に用いることができる。本稿では電... [more] SDM2016-12 OME2016-12
pp.49-52
SDM, OME
(共催)
2016-04-09
10:50
沖縄 沖縄県立博物館・美術館 博物館講座室 デバイスシミュレーションによるIn-Ga-Zn-O薄膜トランジスタのキャリア輸送メカニズムの解析 ~ バックチャネルキャリア濃度の影響 ~
是友大地戸田達也高知工科大)・松田時宜木村 睦龍谷大)・古田 守高知工科大SDM2016-14 OME2016-14
デバイスシミュレータ(ATLAS)を用い、In-Ga-Zn-O薄膜トランジスタ(IGZO TFT)におけるバックチャネル... [more] SDM2016-14 OME2016-14
pp.57-60
ED, SDM
(共催)
2016-03-03
14:00
北海道 北海道大学百年記念会館 [招待講演]酸化物半導体を用いた薄膜デバイス応用の新展開
前元利彦孫 屹松田宗平佐々木翔太芦田浩平カルトシュタイン オリバー小山政俊小池一歩矢野満明佐々誠彦阪工大ED2015-121 SDM2015-128
酸化物半導体のデバイス応用として,フレキシブル酸化亜鉛(Zinc oxide; ZnO)薄膜トランジスタの開発と高性能化... [more] ED2015-121 SDM2015-128
pp.1-6
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