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すべての研究会開催スケジュール (検索条件: すべての年度)
| 研究会 | 発表日時 | 開催地 | タイトル・著者 | 抄録 | 資料番号 | |
| ED, MWPTHz (共催) |
2023-12-22 14:20 |
宮城 | 東北大・通研 （ハイブリッド開催，主：現地開催，副：オンライン開催） |
高抵抗炭素ドープGaNバッファを有するN極性GaN HEMT構造のMOCVD成長とデバイス特性評価 ○吉屋佑樹・星 拓也・堤 卓也・杉山弘樹・中島史人（NTT）  ED2023-63 MWPTHz2023-73 |
優れた高周波・ハイパワー特性を有するN極性GaN HEMTの実現には，結晶成長時の酸素取り込みに起因するGaNバッファの... [more] | ED2023-63 MWPTHz2023-73 pp.46-51 |
| CPM | 2022-08-04 16:15 |
北海道 | 北見工業大学 | マグネトロンスパッタ法による炭化ホウ素膜特性への水素ガスの効果 ○西田竜也・谷口 颯・佐藤聖能・小林康之・遠田義晴・鈴木裕史（弘前大）・吹留博一（東北大）・中澤日出樹（弘前大） CPM2022-15 |
炭化ホウ素(B4C)ターゲットを用いたRFマグネトロンスパッタ法によりアモルファスB4C薄膜およびH2を導入して水素化ア... [more] | CPM2022-15 pp.14-17 |
| SDM | 2019-06-21 11:20 |
愛知 | 名古屋大学 VBL３F | 高濃度in-situ Sbドーピングおよびニッケル錫ゲルマニウム合金化によるn型Ge1-xSnxの超低抵抗コンタクト ○全 智禧・鈴木陽洋・柴山茂久・財満鎭明・中塚 理（名大） SDM2019-26 |
Ge1−xSnx is a promising channel material for CMOS transistor... [more] | SDM2019-26 pp.5-9 |
| ED, LQE, CPM (共催) |
2018-11-30 09:50 |
愛知 | 名古屋工業大学 | 化学溶液析出法による無添加及びLi添加CuO薄膜の成長と構造及び電気的特性 岡田英之・○寺迫智昭・五丁健治・林本直也（愛媛大） ED2018-43 CPM2018-77 LQE2018-97 |
硝酸銅(II)三水和物及び硝酸リチウムの混合水溶液を用いた化学溶液析出法(CBD法)によって金(Au)シード層上に無添加... [more] | ED2018-43 CPM2018-77 LQE2018-97 pp.49-54 |
| ED, LQE, CPM (共催) |
2018-11-30 11:15 |
愛知 | 名古屋工業大学 | 光化学堆積法によるp型Cu-AlOx薄膜の作製・評価 ○梅村将成・市村正也（名工大） ED2018-46 CPM2018-80 LQE2018-100 |
AlOxは広い禁制帯や高い絶縁破壊電界など、電子デバイスに適した物性を多く持ち、その絶縁性の高さから絶縁膜として普及して... [more] | ED2018-46 CPM2018-80 LQE2018-100 pp.65-70 |
| SDM | 2018-10-17 15:20 |
宮城 | 東北大学未来情報産業研究館５Ｆ | Low-Temperature Formation of Ohmic Contact for Si TFT Fabrication by Excimer Laser Doping with Phosphoric Acid Coating ○Kaname Imokawa（Kyushu Univ）・Nozomu Tanaka（Kyushu Univ.）・Akira Suwa（Kyushu Univ）・Daisuke Nakamura・Taizoh Sadoh（Kyushu Univ.）・Tetsuya Goto（New Industry Creation Hatchery Center, Tohoku Univ.）・Hiroshi Ikenoue（Kyushu Univ） SDM2018-54 |
Si TFTのコンタクト抵抗形成には、イオン注入やCVDなどの真空、高温（～500度）のプロセスが必要とされ，プリンタブ... [more] | SDM2018-54 pp.11-14 |
| SDM, EID (共催) |
2017-12-22 10:45 |
京都 | 京都大学 | 高濃度Alドープ4H-SiCエピ膜の伝導機構 ～ 抵抗率のドープ量及び温度依存性 ～ ○小澤愼二・竹下明伸・今村辰哉・高野晃大・奥田和也・日高淳輝・松浦秀治（阪電通大）・紀 世陽・江藤数馬・児島一聡・加藤智久・吉田貞史・奥村 元（産総研） EID2017-12 SDM2017-73 |
オン抵抗の低いSiC nチャネルIGBTの実用化には，p型SiC基板の低抵抗率化が必要不可欠である．高濃度Alドープ4H... [more] | EID2017-12 SDM2017-73 pp.5-8 |
| SDM, EID (共催) |
2017-12-22 11:00 |
京都 | 京都大学 | 高濃度Alドープ4H-SiCのホール係数の温度依存性 ～ ホール係数の反転と伝導機構との関係 ～ ○西畑凜哉・竹下明伸・今村辰哉・高野晃大・奥田和也・小澤愼二・日高淳輝・松浦秀治（阪電通大）・紀 世陽・江藤数馬・児島一聡・加藤智久・吉田貞史・奥村 元（産総研） EID2017-13 SDM2017-74 |
オン抵抗の低いSiC nチャネルIGBTの実用化には，基板であるp+型SiCの低抵抗率化が必要不可欠である．Al濃度が1... [more] | EID2017-13 SDM2017-74 pp.9-12 |
| SDM, EID (共催) |
2017-12-22 11:15 |
京都 | 京都大学 | Al-Nコドープp型4H-SiCエピ膜の電気的特性 ～ Alドープとコドープの抵抗率の温度依存性の比較 ～ ○日高淳輝・竹下明伸・今村辰哉・高野晃大・奥田和也・小澤愼二・松浦秀治（阪電通大）・紀 世陽・江藤数馬・児島一聡・加藤智久・吉田貞史・奥村 元（産総研） EID2017-14 SDM2017-75 |
オン抵抗の低いSiC nチャネルIGBTの実用化には，p型SiC基板の低抵抗率化と高品質化が必要不可欠である．高濃度A... [more] | EID2017-14 SDM2017-75 pp.13-16 |
| MW (第二種研究会) |
2016-06-09 - 2016-06-11 |
海外 | KMUTNB（タイ・バンコク） | Gain Enhancement of 140 GHz CMOS On-chip Antenna with Optimal Ion-Irradiated-Silicon ○Junji Sato・Tomohiro Murata（Panasonic） |
This paper presents the gain enhancement techniques for a 14... [more] | |
| SANE | 2015-11-26 16:55 |
宮城 | 東北大学(片平さくらホール) | Archaeology and geophysical integrated survey results for Xiongnu period site, Mongolia ○Tseedulam Khuut・Erdenebold Lkhagvasuren（Mongolian Univ. S&T）・Nyambayar Tsend-Ayush（RCAG） SANE2015-70 |
Archaeological methods involve excavation, which is time con... [more] | SANE2015-70 pp.35-38 |
| MWP, EMT, PN, LQE, OPE, EST (共催) IEE-EMT (連催) [詳細] |
2014-01-24 09:00 |
京都 | 同志社大学（烏丸キャンパス） | Heイオン照射によるシリコン基板高抵抗化の電磁界シミュレーションの基礎検討 ○矢尾裕樹・平野拓一・李 寧・岡田健一・松澤 昭・広川二郎・安藤 真（東工大）・井上 剛・正岡章賀・坂根 仁（住重試験検査） PN2013-61 OPE2013-175 LQE2013-161 EST2013-110 MWP2013-81 |
Heイオン照射によりシリコン(Si)基板を高抵抗化して損失を低減する技術が提案されている. Si結晶に照射したイオンによ... [more] | PN2013-61 OPE2013-175 LQE2013-161 EST2013-110 MWP2013-81 pp.181-185 |
| CPM | 2013-08-02 11:15 |
北海道 | 釧路生涯学習センターまなぼっと幣舞 | Cu/SiコンタクトにおけるTaWN3元合金膜のバリヤ特性 ○武山真弓・佐藤 勝・野矢 厚（北見工大） CPM2013-52 |
Si-LSIの分野においては、高い信頼性のCu配線を実現するために、高い熱的安定性と構造安定性を持つバリヤ材料が求められ... [more] | CPM2013-52 pp.69-72 |
| CPM | 2012-10-26 13:50 |
新潟 | まちなかキャンパス長岡 | 触媒反応生成高エネルギーH2Oを用いてガラス基板上に成長したZnO膜へのCVD低温バッファー層挿入効果 ○小柳貴寛・竹澤和樹・加藤孝弘（長岡技科大）・片桐裕則・神保和夫（長岡高専）・安井寛治（長岡技科大） CPM2012-94 |
白金ナノ粒子表面での水素と酸素の発熱反応を利用して高エネルギーH_{2}Oを生成、アルキル亜鉛ガスと衝突させ形成した高エ... [more] | CPM2012-94 pp.7-11 |
| CPM | 2012-10-26 14:15 |
新潟 | まちなかキャンパス長岡 | スパッタ法によるAZO薄膜の抵抗率の検討 ○名越克仁・富口祐輔・清水英彦・岩野春男・川上貴浩・福嶋康夫・永田向太郎・坪井 望・野本隆宏（新潟大） CPM2012-95 |
本研究では，市販ターゲットを用い，低電圧でのスパッタが可能なRF-DC結合形スパッタ法による膜堆積時の基板温度変化や堆積... [more] | CPM2012-95 pp.13-16 |
| SDM, ED (共催) (ワークショップ) |
2012-06-28 10:40 |
沖縄 | 沖縄県青年会館 | ［ポスター講演］The surface morphology and electrical properties of NiO with various RF power and O2/(Ar+O2) gas mixture ○Jonghun Kim・Gyohun Koo・Changju Lee・Sungho Hahm（Kyungpook National Univ.）・Youngchul Jung（Gyeongju Univ.）・Yougsoo Lee（Kyungpook National Univ.） |
The crystalline structures of reactively sputtered nickel ox... [more] | |
| EMD, CPM, OME (共催) |
2012-06-22 14:45 |
東京 | 機械振興会館 | 触媒反応生成高エネルギーH2Oを用いてガラス基板上に成長したZnO膜の特性 ～ スパッタ法によるバッファー層挿入効果 ～ ○小柳貴寛・里本宗一・佐藤 魁・加藤孝弘（長岡技科大）・片桐裕則・神保和夫（長岡高専）・安井寛治（長岡技科大） EMD2012-10 CPM2012-27 OME2012-34 |
白金ナノ粒子表面での水素と酸素の発熱反応を利用して高エネルギーH_2Oを生成、アルキル亜鉛ガスと衝突させ形成した高エネル... [more] | EMD2012-10 CPM2012-27 OME2012-34 pp.13-18 |
| CPM | 2011-08-10 15:20 |
青森 | 弘前大学 文京町キャンパス | 組成を変化させたZrBx薄膜の特性評価 ○武山真弓・佐藤 勝・野矢 厚（北見工大） CPM2011-61 |
我々は、先に検討したZrB2薄膜に固有の電気的・化学的特性が非化学量論組成の薄膜においても保持されるのかどうかを検討する... [more] | CPM2011-61 pp.27-30 |
| ED | 2011-07-29 13:30 |
新潟 | 長岡技術科学大学マルチメディアシステムセンター | AlGaN/GaN HFETに対する炭素添加高抵抗化SiドープGaNバッファ層の効果 ○深井雅之・柿澤秀介・伏見 浩（新日本無線） ED2011-37 |
AlGaN/GaN HFETに必要な高抵抗バッファ層を，フェルミレベル効果の利用による低温成長の炭素添加SiドープGaN... [more] | ED2011-37 pp.1-6 |
| OME | 2011-01-19 14:15 |
愛知 | 愛知工業大学 本山キャンパス | 紫外光照射下における酸化チタン薄膜の電子的特性 ○渡辺悠介・村本裕二・清水教之（名城大） OME2010-66 |
酸化チタン(TiO2)は紫外光を吸収することで、光触媒として働く。これは紫外光によって価電子帯の電子が伝導帯に励起される... [more] | OME2010-66 pp.39-43 |
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