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| 研究会 | 発表日時 | 開催地 | タイトル・著者 | 抄録 | 資料番号 | |
| OPE, EMD, CPM, LQE (共催) |
2009-08-20 17:05 |
宮城 | 東北大学 | GaAs(110)基板上に作製したスピン面発光半導体レーザの光励起円偏光発振 ○黄 晋二・藤野寛之・河口仁司（奈良先端大）  EMD2009-42 CPM2009-66 OPE2009-90 LQE2009-49 |
半導体レーザの活性層において電子スピン偏極を生じさせることにより、光学遷移選択則を介した円偏光レーザ発振が可能となる。G... [more] | EMD2009-42 CPM2009-66 OPE2009-90 LQE2009-49 pp.83-88 |
| LQE, CPM, EMD, OPE (共催) |
2008-08-29 09:00 |
宮城 | 東北大学 | 表面曲線グレーティングを用いた量子井戸分布ブラッグ反射型レーザ ○上向井正裕・藤田雄介・栖原敏明（阪大） EMD2008-45 CPM2008-60 OPE2008-75 LQE2008-44 |
リッジ構造活性チャネルと表面曲線グレーティングからなるAlGaAs量子井戸DBRレーザおよびGaInP量子井戸DBRレー... [more] | EMD2008-45 CPM2008-60 OPE2008-75 LQE2008-44 pp.69-74 |
| OPE, CPM, R (共催) |
2008-04-18 14:05 |
東京 | 機械振興会館 | 光励起電流モニタを使ったRu添加SIBH-InGaAsP-DFBレーザの摩耗劣化の解析 ○竹下達也・伊賀龍三・須郷 満・近藤康洋（NTT） R2008-3 CPM2008-3 OPE2008-3 |
光励起電流測定法を用い、高温におけるInGaAsP-DFBレーザの劣化姿態が研究された。Ru添加InP SIBHを導入し... [more] | R2008-3 CPM2008-3 OPE2008-3 pp.11-16 |
| EMT, LQE, OPE, PN (共催) |
2008-01-29 09:30 |
大阪 | 大阪電気通信大学 | 量子井戸レーザにおけるバンドオフセットのキャリヤ再結合寿命に与える影響 ○角田慎一・西村英晋・田中将士・須崎 渉（阪電通大） PN2007-55 OPE2007-163 LQE2007-141 |
GaAsとInP基板上に形成した各種の光・キャリヤ分離閉じ込め型量子井戸レーザのキャリヤ再結合寿命を矩形電流パルスに対す... [more] | PN2007-55 OPE2007-163 LQE2007-141 pp.101-106 |
| CPM, ED, LQE (共催) |
2007-10-11 17:10 |
福井 | 福井大学 | AlGaN多重量子井戸型半導体レーザの深紫外発振と光学異方特性 ○川西英雄・新倉栄一郎（工学院大） ED2007-163 CPM2007-89 LQE2007-64 |
AlGaN窒化物半導体は、紫外から深紫外域で発光する光デバイス実現に適合するワイドギャップ半導体である。このAlGaN半... [more] | ED2007-163 CPM2007-89 LQE2007-64 pp.39-42 |
| LQE | 2006-12-08 09:30 |
東京 | 機械振興会館 | 1.3 um帯フォトニック結晶ナノ共振器レーザの室温連続発振 ○野村政宏・岩本 敏・熊谷直人・荒川泰彦（東大） |
フォトニック結晶ナノ共振器レーザは、モード体積が波長立方程度と非常に小さく、高いQ値を有するため高効率の超低閾値ナノレー... [more] | LQE2006-103 pp.1-5 |
| OPE, LQE, OCS (共催) |
2006-10-13 15:20 |
福岡 | 九大 筑紫キャンパス | 高信頼SIBH構造1.5μmDFBレーザ ○竹下達也・田所貴志・伊賀龍三・東盛裕一（NTT）・山本ミツ夫（NEL）・須郷 満（NTT） OCS2006-58 OPE2006-111 LQE2006-100 |
95℃で1000FITs以下の信頼度をもち、さらに、-20℃から100℃の温度範囲でエラーフリー・2.5Gbps・80k... [more] | OCS2006-58 OPE2006-111 LQE2006-100 pp.91-95 |
| LQE | 2005-12-09 15:40 |
東京 | 機械振興会館 | GaInAsP/InP極微構造の低損傷形成による低電流歪補償量子細線DFBレーザ ○三浦幸治・タノーム プルームウォンロート・西本頼史・大平和哉（東工大）・八木英樹・丸山武男・荒井滋久（東工大/JST） |
EB露光、CH4/H2-RIE、及びOMVPEによる埋め込み再成長法を用いて作製したGaInAsP/InP長波長帯歪補償... [more] | LQE2005-122 pp.41-44 |
| LQE, OPE (共催) |
2005-06-24 09:15 |
東京 | 機械振興会館 | GaInAs系トンネル注入レーザにおける発振特性のトンネル注入構造依存性 ○太田征孝・古旗達也・松浦哲也・松井康尚・宮本智之・小山二三夫（東工大） |
レーザの変調特性や温度特性向上を目的に，活性層に隣接した共鳴トンネルを有する，トンネル注入レーザ構造が提案されている．し... [more] | OPE2005-14 LQE2005-13 pp.1-6 |
| LQE, OPE (共催) |
2005-06-24 10:40 |
東京 | 機械振興会館 | GaInAsP/InP歪量子細線レーザの利得異方性 ○丸山武男（東工大/JST）・タノーム プルームウォンロート（東工大）・八木英樹（東工大/JST）・三浦幸治（東工大） |
電子ビーム露光法とメタン・水素反応性イオンエッチング、及び有機金属気相成長法による埋め込み再成長を用いて、量子細線を共振... [more] | OPE2005-17 LQE2005-16 pp.15-18 |
| LQE, OPE (共催) |
2005-06-24 11:05 |
東京 | 機械振興会館 | 1540nm波長帯GaInAsP/InP歪補償量子細線DFBレーザの低しきい値電流動作 ○八木英樹（東工大/JST）・三浦幸治・西本頼史・タノーム プルームウォンロート・大平和哉（東工大）・丸山武男・荒井滋久（東工大/JST） |
電子ビーム露光法とメタン・水素反応性イオンエッチング、及び有機金属気相成長法による埋め込み再成長を用いることにより、歪補... [more] | OPE2005-18 LQE2005-17 pp.19-22 |
| LQE | 2005-05-19 10:55 |
石川 | 金沢大学 | InGaN系青紫色半導体レーザの雑音特性と雑音低減化 ～ 量子雑音と戻り光雑音および高周波重畳法 ～ ○松岡顕二郎・佐伯和司・寺岡栄治・桑村有司・山田 実（金沢大） |
InGaN系青紫色半導体レーザは, 次世代DVDのピックアップ光源として開発が進められている. ここでは, このレーザの... [more] | LQE2005-3 pp.9-12 |
| LQE | 2004-12-03 16:30 |
東京 | 機械振興会館 | InGaAs/GaAs歪量子井戸レーザの突発故障解析 ○竹下達也・須郷 満・佐々木 徹・東盛裕一（NTT） |
AR(Antireflection)端面からOBIC強度(Optical-Beam Induced Current)をモ... [more] | LQE2004-129 pp.59-64 |
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