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| 研究会 | 発表日時 | 開催地 | タイトル・著者 | 抄録 | 資料番号 | |
| LQE, ED, CPM (共催) |
2023-12-01 10:20 |
静岡 | アクトシティ浜松 | 一軸性応力印加によるInGaN量子井戸の偏光制御と変形ポテンシャルの決定 ○森 恵人・山口敦史（金沢工大）・牧野智大・大原真穂・濱口達史・幸田倫太郎（ソニーセミコンダクタソリューションズ）  ED2023-26 CPM2023-68 LQE2023-66 |
InGaN量子井戸(QW)を用いた垂直共振器型面発光レーザ(VCSEL)は，通常，c面GaN基板上に作製されるが，c面は... [more] | ED2023-26 CPM2023-68 LQE2023-66 pp.56-59 |
| LQE, LSJ (共催) |
2019-05-31 11:00 |
滋賀 | 琵琶湖コンファレンスセンター | 量子カスケード検出器の高速動作 ○道垣内龍男・伊藤昭生・日高正洋・藤田和上・枝村忠孝（浜松ホトニクス） LQE2019-19 |
電子のサブバンド間遷移を利用した光検出器である量子カスケード検出器(Quantum cascade detector: ... [more] | LQE2019-19 pp.31-34 |
| LQE, LSJ (共催) |
2017-05-26 13:35 |
石川 | 山代温泉葉渡莉 | 新材料系を用いたテラヘルツ帯量子カスケードレーザの性能向上検討 ○安田浩朗（NICT） LQE2017-16 |
GaSb材料系を用いたTHz-QCLでは、LOフォノン・電子間の相互作用がGaAs材料系よりも弱いため、レーザ準位のブロ... [more] | LQE2017-16 pp.63-67 |
| OPE, EST, LQE, EMT, PN, MWP (共催) IEE-EMT (連催) [詳細] |
2017-01-19 09:30 |
三重 | 伊勢市観光文化会館 | スピン制御面発光レーザにおける発振円偏光度の複屈折依存性 ○横田信英・竹内隆太郎・八坂 洋（東北大）・池田和浩（産総研） PN2016-63 EMT2016-92 OPE2016-138 LQE2016-127 EST2016-102 MWP2016-76 |
InAlGaAs量子井戸活性層構造面発光半導体レーザ(VCSEL)にスピン偏極電子を光励起することで，初めて円偏光発振特... [more] | PN2016-63 EMT2016-92 OPE2016-138 LQE2016-127 EST2016-102 MWP2016-76 pp.127-130 |
| LQE | 2016-12-16 11:15 |
東京 | 機械振興会館 | ［記念講演］フォトニック結晶ナノ共振器量子ドットレーザによる高機能ナノ光源 ○太田泰友・岩本 敏・荒川泰彦（東大） LQE2016-98 |
フォトニック結晶ナノ共振器による強い光閉じ込め効果は、低閾値動作ナノレーザの実現を可能とする。一方、その閉じ込め作用は、... [more] | LQE2016-98 pp.9-13 |
| LQE | 2015-12-18 14:45 |
東京 | 機械振興会館 | ［招待講演］Realization and Applications of Mass-Productive Quantum Dot Lasers ○Kenichi Nishi（Univ.Tokyo）・Keizo Takemasa・Mitsuru Sugawara（QDLaser）・Yasuhiko Arakawa（Univ.Tokyo） LQE2015-130 |
The improvements in self-assembled InAs quantum dots (QDs) h... [more] | LQE2015-130 pp.31-35 |
| LQE, LSJ (共催) |
2015-05-21 14:10 |
石川 | 金沢能楽美術館 | 自己周波数変換ナノ共振器レーザ ○太田泰友・渡邉克之・岩本 敏・荒川泰彦（東大） LQE2015-3 |
単一レーザ結晶がレーザ発振および非線形波長変換作用を担う自己周波数変換レーザは、レーザ動作波長域を簡便に拡大する一つの有... [more] | LQE2015-3 pp.13-17 |
| LQE, LSJ (共催) |
2015-05-22 09:55 |
石川 | 金沢能楽美術館 | 結合二重上位準位構造を用いた量子カスケードレーザの広帯域動作 ○藤田和上・道垣内龍男・杉山厚志・伊藤昭生・日髙正洋・枝村忠孝（浜松ホトニクス） LQE2015-10 |
結合二重上位準位(DAU)活性層構造を用いた複数の外部共振器型量子カスケードレーザの広帯域動作を報告する．様々な波長に設... [more] | LQE2015-10 pp.47-51 |
| ED | 2014-12-23 11:10 |
宮城 | 東北大学電気通信研究所 片平北キャンパス ナノ・スピン総合研究棟 | モジュレーションバリアAlGaAs/GaAs量子カスケードレーザの3.7 THz発振 ○林 宗澤・平山秀樹（理研） ED2014-111 |
[more] | ED2014-111 pp.75-78 |
| LQE, ED, CPM (共催) |
2014-11-28 09:30 |
大阪 | 大阪大学 吹田キャンパス 理工学図書館 | 2量子井戸構造を用いたGaN/AlGaNテラヘルツ量子カスケードレーザの発振動作の実現 ○寺嶋 亘・平山秀樹（理研） ED2014-85 CPM2014-142 LQE2014-113 |
巨大な縦光学フォノンエネルギーを有するGaN系半導体はテラヘルツ帯量子カスケードレーザ(THz-QCL)の“発振周波数帯... [more] | ED2014-85 CPM2014-142 LQE2014-113 pp.59-62 |
| ED | 2012-12-18 10:05 |
宮城 | 東北大学電通研 片平北キャンパス ナノ・スピン総合研究棟4階 カンファレンスルーム | 高Al組成AlGaAsを用いたTHz-QCLsの高温動作特性改善 ○林 宗澤・平山秀樹（理研） ED2012-103 |
[more] | ED2012-103 pp.57-61 |
| LQE | 2012-12-13 16:05 |
東京 | 機械振興会館 | 1550nm AlGaInAs埋込構造を有するDFBアレイ集積型波長可変光源 ○岩井則広・若葉昌布・小早川将子・清田和明・黒部立郎・小林 剛・木本竜也・向原智一・横内則之・粕川秋彦（古河電工） LQE2012-133 |
光集積素子（ PIC : Photonic Integrated Circuit ）は，次世代の光通信システムにおいて，... [more] | LQE2012-133 pp.55-58 |
| OPE, LQE (共催) EMD, CPM, OME (共催) (併催) [詳細] |
2012-06-22 16:55 |
東京 | 機械振興会館 | ［招待講演］量子ドットレーザの発展 ～ 提案から市場化までの30年 ～ ○荒川泰彦（東大） OPE2012-19 LQE2012-23 |
1982年に提案された量子ドットレーザは，結晶成長技術とデバイス物理に立脚しこれまで発展してきており，2011年度には5... [more] | OPE2012-19 LQE2012-23 pp.47-52 |
| LQE | 2010-12-17 13:10 |
東京 | 機械振興会館 | ［奨励講演］低駆動電流40Gbps直接変調動作に向けたAlGaInAs系高抵抗埋め込み型DRレーザ ○植竹理人・大坪孝二・松田 学（光電子融合基盤技研/富士通/富士通研）・奥村滋一（富士通研）・江川 満・山本剛之（光電子融合基盤技研/富士通/富士通研） LQE2010-120 |
近年のデータ流通量の急激な増加に伴い，通信用光源のさらなる高速化への期待が高まっている．我々は、低消費電力な超高速直接変... [more] | LQE2010-120 pp.27-32 |
| OPE, LQE (共催) |
2010-06-25 14:30 |
東京 | 機械振興会館 地下3階研修1号室 | THz波発生用AlGaAs量子井戸リッジ型2波長集積DBRレーザ ○上向井正裕・石田秀直・伊藤 明・栖原敏明（阪大） OPE2010-15 LQE2010-17 |
波長のわずかに異なる2つのDBRレーザとY型結合増幅器からなる780 nm帯2波長集積DBRレーザの設計・作製を行った．... [more] | OPE2010-15 LQE2010-17 pp.3-6 |
| OPE, EMT, LQE, PN, IEE-EMT (共催) |
2010-01-29 13:25 |
京都 | 京大桂キャンパス、Bクラスター事務管理棟 、大会議室_A会場、桂ラウンジ_B会場 | 半導体光アイソレータを用いた一方向発振リングレーザの設計と試作 ○河野嘉孝・森 俊秋・清水大雅（東京農工大） PN2009-57 OPE2009-195 LQE2009-177 |
半導体リングレーザは全光信号処理のための有力なデバイスとして注目されている。ただし単体のリングレーザは構造の線対称性によ... [more] | PN2009-57 OPE2009-195 LQE2009-177 pp.119-122 |
| LQE | 2009-12-11 11:25 |
東京 | 機械振興会館 地下3階2号室 | OBICモニタを使ったInAs/InP MQW-DFBレーザの安定動作の解析 ○竹下達也・佐藤具就・満原 学・近藤康洋・大橋弘美（NTT） LQE2009-143 |
2.3$\micron$m波長InAs/InP-MQW-DFBレーザで推定寿命$10^5$h以上(@45℃3mW)の長期... [more] | LQE2009-143 pp.25-30 |
| LQE | 2009-12-11 14:40 |
東京 | 機械振興会館 地下3階2号室 | 低駆動電流40-Gbps直接変調動作に向けたAlGaInAs系高抵抗埋め込み型DRレーザ ○植竹理人・大坪孝二・松田 学（光協会/富士通/富士通研）・奥村滋一（富士通研）・江川 満・山本剛之（光協会/富士通/富士通研） LQE2009-148 |
近年の急激な通信量の増加に伴い，直接変調レーザの高速動作への注目が高まっている．我々は、低消費電力の高速直接変調レーザの... [more] | LQE2009-148 pp.51-56 |
| OPE, LQE, OCS (共催) |
2009-10-22 10:15 |
福岡 | 九州大学 | GaAs(110)基板上に作製したスピン面発光半導体レーザの発振円偏光スイッチング ○池田和浩・黄 晋二・片山健夫・河口仁司（奈良先端大） OCS2009-44 OPE2009-110 LQE2009-69 |
スピン面発光半導体レーザ（Spin VCSEL）は、活性層中の光学遷移選択則を介して電子のスピン偏極に依存した発振偏光が... [more] | OCS2009-44 OPE2009-110 LQE2009-69 pp.15-20 |
| OPE, EMD, CPM, LQE (共催) |
2009-08-20 16:40 |
宮城 | 東北大学 | メサ側面から量子構造混晶化を適用した面発光レーザの製作と評価 菅原雄大・牛尾拓也・○宮本智之（東工大） EMD2009-41 CPM2009-65 OPE2009-89 LQE2009-48 |
フォトニクス分野で様々な応用が進む面発光レーザについて，素子サイズ微小化，低消費電力化，高効率化を目指して，注入キャリア... [more] | EMD2009-41 CPM2009-65 OPE2009-89 LQE2009-48 pp.77-82 |
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