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研究会 発表日時 開催地 タイトル・著者 抄録 資料番号
MBE, NC
(併催)
2018-03-13
16:30
東京 機械振興会館 [特別講演]脳と暮らしをつなぐ ~ ブレイン・コンピュータ インターフェースとその先 ~
加納慎一郎芝浦工大MBE2017-99 NC2017-67
昨今,脳波や脳血流量,眼電図,心電図などの生体信号から情報を取り出し,ユーザの体や心の状態を推定するための試みが再びクロ... [more] MBE2017-99 NC2017-67
p.97(MBE), p.1(NC)
ED, SDM
(共催)
2018-02-28
17:05
北海道 北海道大学百年記念会館 Silicon-on-insulatorデバイスにおける低温チャージポンピング
渡邉時暢富山大)・堀 匡寛小野行徳静岡大ED2017-115 SDM2017-115
0.3-300Kの温度範囲においてSOI基板上に作製したゲート付p-i-nダイオードにチャージポンピング法を応用し,10... [more] ED2017-115 SDM2017-115
pp.51-56
HCGSYMPO
(第二種研究会)
2017-12-13
- 2017-12-15
石川 金沢歌劇座(金沢) 頸コミュニケーションの提案 ~ 頸部の計測と刺激による行動・動作状態の伝達手法の検討 ~
井藤隆秀近藤一晃中村裕一京大)・ジョナサン ロシターブリストル大)・秋田純一金沢大)・戸田真志熊本大
頸部の筋電位計測と皮膚を引っ張る刺激を組み合わせたデバイスとそれによる頸(くび)コミュニケーションを提案する.これは,デ... [more]
MBE, BioX
(共催)
2017-07-29
11:15
徳島 徳島大学 視覚定常性誘発電位を用いたブレインコンピュータインターフェースシステムの実用化を目指して
定久裕和夏目季代久九工大BioX2017-14 MBE2017-23
将来的なヒューマンインターフェースとして脳波が考えられているが,その実用化にあたっては様々な問題がある.本研究では,視覚... [more] BioX2017-14 MBE2017-23
pp.25-30
ET 2017-03-10
13:35
愛媛 新居浜工業高等専門学校 初等中等教育における円滑なICT活用を支援する画面操作用インタフェースの開発
狹間浩史星翔高)・江原康生京大)・小笠原 司奈良先端大ET2016-123
初等中等教育において,視聴覚教材を活用した授業では,教員はコンピュータ画面を見ながらキーボードやマウスを下目使いに操作し... [more] ET2016-123
pp.167-172
MVE, IE, IMQ
(共催)
CQ
(併催) [詳細]
2017-03-07
11:00
福岡 九州大学大橋キャンパス 5号館 オペレーブルリアリティ:触れるライブ映像による屋内シーンの実・仮想操作インタフェース
八塚達哉島田伸敬立命館大IMQ2016-44 IE2016-159 MVE2016-67
本研究では,シーンの変遷情報を蓄積し,環境内に物体が置かれていく様子や物体の過去の状態などを理解し保持しておくことにより... [more] IMQ2016-44 IE2016-159 MVE2016-67
pp.149-154
MW, ED
(共催)
2017-01-27
09:55
東京 機械振興会館地下2階1号室 HfO2/Al2O3/InGaAsゲート構造における移動度への成膜温度およびH2アニールの影響
大澤一斗野口真司祢津誠晃木瀬信和宮本恭幸東工大ED2016-103 MW2016-179
高い電子移動度を持つIII-V族化合物半導体が将来のnMOSFETのチャネル材料として期待されている。その実現のためには... [more] ED2016-103 MW2016-179
pp.35-40
SDM 2016-11-11
13:30
東京 機械振興会館 [招待講演]チャージポンピング法による単一MOS界面トラップの個別検出と解析 ~ 原子スケールの視点で新たなトラップ物理を目指して ~
土屋敏章島根大SDM2016-86
チャージポンピング(CP)法で,単一のMOS界面トラップを個別に検出して評価する究極的な手法を用いて,全く新しい視点でト... [more] SDM2016-86
pp.43-47
SDM 2016-06-29
13:30
東京 キャンパス・イノベーションセンター東京 SiO2の絶縁破壊と局所陽極酸化を用いた抵抗変化デバイス
角嶋邦之若林 整筒井一生岩井 洋東工大SDM2016-38
高い抵抗比が得られる抵抗変化メモリとしてCeOx膜と界面SiO2層をSi基板に積層した構造を提案する。上部電極への正の電... [more] SDM2016-38
pp.33-36
MBE, NC
(併催)
2016-05-21
13:50
富山 富山大学 皮質電流源推定法による運動皮質活動の高感度イメージング
澁澤柊花土元翔平春日翔子加藤健治慶大)・山田絵美江端広樹済生会)・里宇明元牛場潤一慶大NC2016-3
慢性期脳卒中片麻痺患者を対象とした運動機能回復のためのブレイン・マシン・インターフェース (BMI) リハビリテーション... [more] NC2016-3
pp.11-16
ED, SDM
(共催)
2016-03-03
16:20
北海道 北海道大学百年記念会館 シリコン酸化膜界面欠陥の低温チャージポンピング
渡辺時暢堀 匡寛小野行徳富山大ED2015-125 SDM2015-132
SOI基板上に作製したゲート付PINダイオードのチャージポンピング電流を7-300Kの温度範囲で測定し,100K以下の温... [more] ED2015-125 SDM2015-132
pp.23-26
SDM 2016-01-28
11:00
東京 機械振興会館 [招待講演]トンネルトランジスタにおけるBTIの理解
水林 亘森 貴洋福田浩一石川由紀森田行則右田真司太田裕之柳 永勛大内真一塚田順一山内洋美松川 貴昌原明植遠藤和彦産総研SDM2015-122
Siチャネルp型トンネルFETs(pTFETs)のNBTIを系統的に調べた。pTFETsのNBTI劣化機構はpFETsと... [more] SDM2015-122
pp.9-12
ICM, LOIS
(共催)
2016-01-22
10:20
福岡 福岡工業大学 Complexity Resolution Control for Context Based on Metromaps
Marat ZhanikeevKyutechICM2015-36 LOIS2015-58
Metromaps are recognized well in visualization research but ... [more] ICM2015-36 LOIS2015-58
pp.59-62
CPM 2015-08-11
11:20
青森 弘前大学 文京町地区キャンパス 総合教育棟 Radical-Enhanced ALD法によって形成したAlジャーマネイト/Ge界面とその近傍の欠陥評価
成田英史弘前大)・山田大地福田幸夫諏訪東京理科大)・鹿糠洋介岡本 浩弘前大CPM2015-44
次世代のC-MOSデバイスの候補としてGe-MIS構造が注目されているが、界面の品質向上が課題とされている。われわれはこ... [more] CPM2015-44
pp.67-70
SDM 2015-06-19
09:30
愛知 名古屋大学 ベンチャー・ビジネス・ラボラトリー [依頼講演]Al2O3/AlGaN/GaN構造の界面電子準位評価
谷田部然治橋詰 保北大SDM2015-38
ドライエッチングをしたAlGaN上にAl2O3絶縁ゲート構造を作製し、絶縁膜/半導体界面の特性評価を行なった.評価には室... [more] SDM2015-38
pp.1-4
SDM 2015-06-19
10:10
愛知 名古屋大学 ベンチャー・ビジネス・ラボラトリー [依頼講演]Al2O3/Ga2O3界面構造とその面方位依存性
上村崇史ダイワシガマニ キルシナムルティNICT)・倉又朗人山腰茂伸タムラ製作所)・東脇正高NICTSDM2015-40
Al2O3/n-Ga2O3 (010) とAl2O3/n-Ga2O3 ("2" ̅01) 構造の界面準位密度... [more] SDM2015-40
pp.11-16
SDM 2015-06-19
11:10
愛知 名古屋大学 ベンチャー・ビジネス・ラボラトリー [依頼講演]SiC/SiO2界面における窒素化学状態の結晶面方位依存性
森 大輔井上 慧寺西秀明広瀬隆之瀧川亜樹富士電機SDM2015-42
SiC(000-1)面(C面)、SiC(0001)面(Si面)それぞれのSiC/SiO2界面の原子構造を明らかにするため... [more] SDM2015-42
pp.21-26
SDM 2015-06-19
11:30
愛知 名古屋大学 ベンチャー・ビジネス・ラボラトリー [依頼講演]SiO2/SiC MOS界面の欠陥特性に酸窒化処理が与える影響
竹内和歌奈名大)・山本建策デンソー)・坂下満男名大)・金村髙司デンソー)・中塚 理財満鎭明名大SDM2015-43
SiO2/4H-SiC界面特性に対するNOガス雰囲気熱処理の効果を調べた。NOガス雰囲気熱処理MOSキャパシタ試料の電気... [more] SDM2015-43
pp.27-30
SDM 2015-06-19
13:00
愛知 名古屋大学 ベンチャー・ビジネス・ラボラトリー シリコン熱酸化膜の水素アニール効果に関する第一原理計算
川内伸悟白川裕規洗平昌晃名大)・影島愽之島根大)・遠藤哲郎東北大)・白石賢二名大SDM2015-45
なぜ高品質なSi/SiO2界面は熱酸化によって容易に形成されるのか。この疑問はシリコン技術の成功に密接に関係しているにも... [more] SDM2015-45
pp.37-40
SIP, EA, SP
(共催)
2015-03-03
09:00
沖縄 ホテルミヤヒラ(石垣島) [ポスター講演]位相空間における正準相関分析を利用した非同期脳コンピュータインタフェース
末房佳小里田中聡久東京農工大EA2014-100 SIP2014-141 SP2014-163
脳コンピュータインタフェース (BCI; brain--computer interface) の実現のためには,任意の... [more] EA2014-100 SIP2014-141 SP2014-163
pp.151-156
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