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研究会 発表日時 開催地 タイトル・著者 抄録 資料番号
LQE, OPE, EMD, R, CPM
(共催)
2016-08-25
10:10
北海道 函館ロワジールホテル AlInAs酸化狭窄構造を有するGaInAsP/SOIハイブリッドFPレーザの作製
鈴木純一林 侑介井上慧史雨宮智宏西山伸彦荒井滋久東工大R2016-21 EMD2016-25 CPM2016-34 OPE2016-55 LQE2016-30
高効率III-V/SOIハイブリッドレーザ実現に向け、光閉じ込めも可能なAlInAs酸化電流狭窄構造を有するFabry-... [more] R2016-21 EMD2016-25 CPM2016-34 OPE2016-55 LQE2016-30
pp.9-14
OCS, NS, PN
(併催)
2016-06-24
11:10
北海道 北海道大学 チャネルボンディングの実用性に関する実験評価と一検討
野林大起福田 豊塚本和也九工大)・藤井一樹田村 瞳福岡工大)・池永全志九工大NS2016-42
IEEE 802.11ac 準拠の無線 LAN Access Point (AP) の普及に伴い,5 GHz 帯を利用す... [more] NS2016-42
pp.79-84
OPE, LQE
(共催)
2016-06-17
10:35
東京 機械振興会館 シリコン導波路型光アイソレータの広帯域化と温度無依存化の検討
庄司雄哉古屋琴子水本哲弥東工大OPE2016-9 LQE2016-19
シリコンフォトニクスを用いた光トランシーバの高速動作化に向けて,光アイソレータによる反射戻り光対策の重要性が増している.... [more] OPE2016-9 LQE2016-19
pp.1-6
OPE, LQE
(共催)
2016-06-17
13:15
東京 機械振興会館 直接貼付InP/Si基板を用いたGaInAsPレーザの試作
西山哲央松本恵一岸川純也大貫雄也鎌田直樹下村和彦上智大OPE2016-12 LQE2016-22
直接貼付法を用いて薄膜InP層とSi基板を貼合わせ、作製されたInP/Si基板上に結晶成長を行うことでシリコンプラットフ... [more] OPE2016-12 LQE2016-22
pp.15-20
AP 2016-06-09
13:55
東京 機械振興会館 A corporate-feed slotted waveguide monopulse array antenna covering the full E-band using diffusion bonding of laminated plates
Xin XuJiro HirokawaMakoto AndoTokyo Tech.AP2016-34
This paper reports a corporate-feed slotted waveguide monopu... [more] AP2016-34
pp.13-16
ED, LQE, CPM
(共催)
2015-11-27
15:00
大阪 大阪市立大学・学術情報センター会議室 スマートスタック技術による多接合太陽電池の接合界面評価
野中翔一郎古川昭雄東京理科大)・牧田紀久夫水野英範菅谷武芳仁木 栄産総研ED2015-88 CPM2015-123 LQE2015-120
多接合太陽光電池は、バンドギャップの異なるセルを多重に重ね、太陽光スペクトルを有効活用することにより高効率を得る太陽電池... [more] ED2015-88 CPM2015-123 LQE2015-120
pp.101-104
LQE, OPE
(共催)
2015-06-19
13:25
東京 機械振興会館 直接貼付InP層を用いた異種基板上III-V族半導体発光デバイスの集積
松本恵一金谷佳則岸川純也下村和彦上智大OPE2015-13 LQE2015-23
Si基板及びQuartz基板と薄膜InP層を直接貼付法により貼合わせ,この基板上にMOVPE法を用いてInP系の発光デバ... [more] OPE2015-13 LQE2015-23
pp.15-20
OCS, OPE
(共催)
2015-05-15
15:55
東京 機械振興会館 ワンチップルータ実現を目指すリング共振器装荷型III-V/Siハイブリッドレーザの検討
林 侑介鈴木純一井上慧史Shovon MD Tanvir Hasan久能雄輝雨宮智宏西山伸彦荒井滋久東工大OCS2015-7 OPE2015-7
直接貼り付けを用いたIII-V/Siハイブリッド集積は、小型で低消費電力なシリコンプラットフォーム上光電融合ルータの実現... [more] OCS2015-7 OPE2015-7
pp.27-32
SDM 2015-03-02
10:35
東京 機械振興会館 [招待講演]性能スケーラビリティと機能フレキシビリティを実現する三次元FPGAのためのインテグレーション技術
武田健一青木真由日立SDM2014-163
ハイブリッドウェハ接合とビアラスト型シリコン貫通ビア(TSV)を用いたCMOSデバイスのウェハ3層積層を実現した。このハ... [more] SDM2014-163
pp.7-11
OPE, LQE
(共催)
2014-12-19
14:50
東京 機械振興会館(12/18)、NTT厚木センタ(12/19) III-V-OI基板の耐熱性向上技術および低抵抗横型PIN接合形成技術
一宮佑希竹中 充高木信一東大OPE2014-146 LQE2014-133
III-V CMOSフォトニクスは、III-V-on-Insulator (III-V-OI)基板を用いることで化合物半... [more] OPE2014-146 LQE2014-133
pp.37-40
OCS, OPE, LQE
(共催)
2014-10-30
17:45
長崎 長崎歴史文化博物館 SiO2/Si基板上InP系活性層薄膜への埋込み成長によるレーザ作製
藤井拓郎佐藤具就武田浩司長谷部浩一硴塚孝明松尾慎治NTTOCS2014-68 OPE2014-112 LQE2014-86
大規模光集積デバイスの実現に向けて、Si基板上の任意の箇所に小型・高効率なIII-V族半導体レーザーを作製する技術が求め... [more] OCS2014-68 OPE2014-112 LQE2014-86
pp.135-140
EMD, LQE, OPE, CPM, R
(共催)
2014-08-21
11:35
北海道 小樽経済センター BCB貼り付けによるSi基板上集積導波路形半導体薄膜DFBレーザ
井上大輔李 智恩平谷拓生厚地祐輝雨宮智宏西山伸彦荒井滋久東工大R2014-26 EMD2014-31 CPM2014-46 OPE2014-56 LQE2014-30
集積回路の微細化に伴う配線遅延や発熱の増大を解決する方法として、銅電気グローバル配線を光配線に代替するオンチップ光配線技... [more] R2014-26 EMD2014-31 CPM2014-46 OPE2014-56 LQE2014-30
pp.17-22
EMD, LQE, OPE, CPM, R
(共催)
2014-08-21
16:00
北海道 小樽経済センター ウェハ接合によるシリコン上InAs/GaAs量子ドットレーザの作製と高温動作
田辺克明荒川泰彦東大R2014-32 EMD2014-37 CPM2014-52 OPE2014-62 LQE2014-36
シリコン光電子集積回路の実現に向け、量子ドットを用いた高性能オンチップ光源の開発を進めている。今回、ウェハ接合法により作... [more] R2014-32 EMD2014-37 CPM2014-52 OPE2014-62 LQE2014-36
pp.51-54
EMD, LQE, OPE, CPM, R
(共催)
2014-08-22
14:25
北海道 小樽経済センター Auスタッドバンプ接合を用いたSiフォトニクスプラットフォーム用光電ハイブリッド集積チップ実装技術
碓氷光男武田浩太郎平田泰興福田 浩土澤 泰西 英隆高 磊開 達郎本田健太郎野河正史山田浩治山本 剛NTTR2014-45 EMD2014-50 CPM2014-65 OPE2014-75 LQE2014-49
Siフォトニクスプラットフォームへの適用を目指し,はんだを使用せず,200℃以下の低温で電子デバイスを搭載可能な新しいフ... [more] R2014-45 EMD2014-50 CPM2014-65 OPE2014-75 LQE2014-49
pp.109-114
ICD, SDM
(共催)
2014-08-04
11:15
北海道 北海道大学 情報教育館(札幌市) 積層前TSVテスト回路及び1GHzフルデジタルノイズモニタを用いた12.8GB/s Wide IO DRAMコントローラのテスト容易化
野村隆夫森 涼高柳浩二落合俊彦福岡一樹木田 剛新居浩二森田貞行ルネサス エレクトロニクスSDM2014-65 ICD2014-34
我々は、シリコン貫通ビア(TSV)技術を用いたWide IO DRAMコントローラチップを開発した。ファインピッチに配列... [more] SDM2014-65 ICD2014-34
pp.17-21
OPE, LQE
(共催)
2014-06-20
14:00
東京 機械振興会館 直接貼付InP/Si基板上量子ドットLEDからのEL発光
松本恵一金谷佳則岸川純也下村和彦上智大OPE2014-15 LQE2014-20
直接貼付法を用いて作製されたInP/Si基板上にMOVPE選択成長(Ga)InAs/InP量子ドット構造を導入したアレイ... [more] OPE2014-15 LQE2014-20
pp.15-18
OPE, LQE
(共催)
2014-06-20
16:40
東京 機械振興会館 III-V CMOSフォトニクスを用いた小型低クロストーク光スイッチ
一宮佑希横山正史竹中 充高木信一東大OPE2014-21 LQE2014-26
III-V CMOSフォトニクスは、基板貼り合わせによって作製したIII-V on insulator (III-V-O... [more] OPE2014-21 LQE2014-26
pp.39-42
MW 2014-05-23
14:30
京都 同志社大 中空キャビティ上円形開口アレー円偏波共用アンテナの設計と試作
伊藤智史末續 聖広川二郎安藤 真東工大MW2014-37
これまでにミリ波帯の高効率・広帯域アンテナとして積層薄板拡散接合による二層構造並列給電導波管スロットアレーが試作されてい... [more] MW2014-37
pp.79-84
SDM 2014-02-28
15:50
東京 機械振興会館 [招待講演]低温超音波フリップチップ接合技術を用いた15μmピッチ微細 Cu/Au 接続 ~ 電子デバイス積層応用に向けて ~
青柳昌宏Thanh-Tung Bui加藤史樹渡辺直也根本俊介菊地克弥産総研SDM2013-173
本報告では、高精度低温接合形成法による高品質な微細ピッチマイクロバンプCu/Au接続技術の開発について、紹介する。従来の... [more] SDM2013-173
pp.43-46
SDM 2014-01-29
15:30
東京 機械振興会館 [招待講演]ウェハ積層とVia-last型TSVを用いた三次元集積化CMOSデバイスの開発
青木真由古田 太朴澤一幸花岡裕子武田健一日立SDM2013-145
今回、Via-last型TSV(シリコン貫通電極)技術を用い、CMOSデバイスウェハを含むウェハの3層積層を世界で初めて... [more] SDM2013-145
pp.43-46
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