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| 研究会 | 発表日時 | 開催地 | タイトル・著者 | 抄録 | 資料番号 | |
| OPE | 2017-12-07 15:00 |
沖縄 | まりんぴあみやこ | ［記念講演］本格的光集積回路の実現を目指して ○山田博仁（東北大）  OPE2017-111 |
本格的な光集積回路の実現を目指して、化合物半導体基板のドライエッチング加工技術から、面発光素子、そしてSi細線光導波路と... [more] | OPE2017-111 pp.111-114 |
| OCS, OPE, LQE (共催) |
2017-10-26 10:35 |
熊本 | 桜の馬場城彩苑（熊本） | III-V/SOIハイブリッドデバイスとSi導波路接続用テーパ型モード変換器構造の検討 ○鈴木純一・永坂久美・モータズ エイッサ・立花文人・白 柳・御手洗拓矢・雨宮智宏・西山伸彦・荒井滋久（東工大） OCS2017-38 OPE2017-70 LQE2017-43 |
多機能を有するIII-V/SOIハイブリッド光回路の実現に向け、導波路幅変調によって飽和特性の調節が可能なIII-V/S... [more] | OCS2017-38 OPE2017-70 LQE2017-43 pp.13-18 |
| LQE | 2016-12-16 13:30 |
東京 | 機械振興会館 | ［招待講演］光デバイス集積技術 ～ 異種材料・異種機能集積の可能性 ～ ○西山伸彦（東工大） LQE2016-101 |
2016年9月に行われた第25回半導体レーザ国際会議において、光集積回路の将来に関するランプセッションが行われた。その議... [more] | LQE2016-101 p.27 |
| OPE | 2016-12-08 14:15 |
沖縄 | 石垣市商工会館（沖縄） | シリコン導波路デバイス特性に及ぼす製造ばらつきの影響 ○堀川 剛（光電子融合基盤技研/産総研）・志村大輔・牛田 淳・蘇武洋平・椎名明美・徳島正敏・鄭 錫煥・木下啓藏・最上 徹（光電子融合基盤技研） |
シリコンフォトニクス技術を用いた光集積回路は，長/短距離の情報伝送の広帯域化を可能にするキーデバイスとして注目されている... [more] | |
| ED | 2016-08-10 11:25 |
東京 | 機械振興会館 | 表面プラズモンの多モード干渉を用いた全光論理演算回路 ○太田 雅・住村あさひ・渡邊 領・中山昂太郎・古木崇裕・石井佑弥・福田光男（豊橋技科大） ED2016-41 |
近年，表面プラズモン（SP）を信号キャリアとする，高密度光論理演算技術が報告され始めている．これまでに我々は， Au膜上... [more] | ED2016-41 pp.61-64 |
| LQE, LSJ (共催) |
2016-05-19 14:15 |
福井 | 福井市地域交流プラザ | 有機薄膜光集積回路 ○雨宮智宏・金澤 徹・平谷拓生・Zhichen Gu・北條直也（東工大）・浦上達宣（三井化学）・荒井滋久（東工大） LQE2016-2 |
本稿では，有機薄膜光集積回路の提案、および各素子の実現手法、モノリシック集積について述べる。 [more] | LQE2016-2 pp.5-10 |
| SDM | 2016-01-28 14:00 |
東京 | 機械振興会館 | ［招待講演］Si上異種半導体集積によるCMOSフォトニクス ○竹中 充・金 栄現・韓 在勲・亢 健・一宮佑希・程 勇鵬・朴 珍權・金 相賢・高木信一（東大） SDM2015-124 |
本論文では，Siプラットフォーム上にSiGeやGe，III-V族半導体を集積することで光電子集積回路を実現するCMOSフ... [more] | SDM2015-124 pp.17-20 |
| EMT, MW, OPE, MWP, EST (共催) IEE-EMT (連催) [詳細] |
2015-07-16 11:00 |
北海道 | 釧路市生涯学習センター | ［招待講演］Recent Progress in Millimeter and Terahertz Wave Integrated Circuit Technologies for Communications and Sensing Applications ○Sebastian Diebold・Shunsuke Nakai（Osaka Univ.）・Kazuisao Tsuruda・Toshikazu Mukai（ROHM Co.）・Masayuki Fujita・Tadao Nagatsuma（Osaka Univ.） EMT2015-11 MW2015-49 OPE2015-23 EST2015-15 MWP2015-14 |
[more] | EMT2015-11 MW2015-49 OPE2015-23 EST2015-15 MWP2015-14 pp.17-22 |
| OPE, LQE (共催) |
2014-12-19 14:50 |
東京 | 機械振興会館(12/18)、NTT厚木センタ(12/19) | III-V-OI基板の耐熱性向上技術および低抵抗横型PIN接合形成技術 ○一宮佑希・竹中 充・高木信一（東大） OPE2014-146 LQE2014-133 |
III-V CMOSフォトニクスは、III-V-on-Insulator (III-V-OI)基板を用いることで化合物半... [more] | OPE2014-146 LQE2014-133 pp.37-40 |
| OCS, OPE, LQE (共催) |
2014-10-30 17:45 |
長崎 | 長崎歴史文化博物館 | SiO2/Si基板上InP系活性層薄膜への埋込み成長によるレーザ作製 ○藤井拓郎・佐藤具就・武田浩司・長谷部浩一・硴塚孝明・松尾慎治（NTT） OCS2014-68 OPE2014-112 LQE2014-86 |
大規模光集積デバイスの実現に向けて、Si基板上の任意の箇所に小型・高効率なIII-V族半導体レーザーを作製する技術が求め... [more] | OCS2014-68 OPE2014-112 LQE2014-86 pp.135-140 |
| OCS, OPE, LQE (共催) |
2014-10-31 09:45 |
長崎 | 長崎歴史文化博物館 | InPモノリシック集積ストークスベクトル変調器の提案と実証 ○種村拓夫・川端祐斗・財津 優・中野義昭（東大） OCS2014-70 OPE2014-114 LQE2014-88 |
100ギガビット超光リンクの低コスト化と低消費電力化が進められる中，単純な偏波多重方式に留まらず，偏波状態をより積極的に... [more] | OCS2014-70 OPE2014-114 LQE2014-88 pp.147-152 |
| EMD, LQE, OPE, CPM, R (共催) |
2014-08-21 16:00 |
北海道 | 小樽経済センター | ウェハ接合によるシリコン上InAs/GaAs量子ドットレーザの作製と高温動作 ○田辺克明・荒川泰彦（東大） R2014-32 EMD2014-37 CPM2014-52 OPE2014-62 LQE2014-36 |
シリコン光電子集積回路の実現に向け、量子ドットを用いた高性能オンチップ光源の開発を進めている。今回、ウェハ接合法により作... [more] | R2014-32 EMD2014-37 CPM2014-52 OPE2014-62 LQE2014-36 pp.51-54 |
| OPE, LQE (共催) |
2014-06-20 16:40 |
東京 | 機械振興会館 | III-V CMOSフォトニクスを用いた小型低クロストーク光スイッチ ○一宮佑希・横山正史・竹中 充・高木信一（東大） OPE2014-21 LQE2014-26 |
III-V CMOSフォトニクスは、基板貼り合わせによって作製したIII-V on insulator (III-V-O... [more] | OPE2014-21 LQE2014-26 pp.39-42 |
| MWP, EMT, PN, LQE, OPE, EST (共催) IEE-EMT (連催) [詳細] |
2014-01-24 17:00 |
京都 | 同志社大学（烏丸キャンパス） | 表面プラズモン検出器-MOSFET集積回路における静的および動的特性 ○相原卓磨・武田愛弓・福原誠史・石井佑弥・福田光男（豊橋技科大） PN2013-82 OPE2013-196 LQE2013-182 EST2013-131 MWP2013-102 |
情報処理システムの更なる高速・大容量化の実現に向けて、集積回路内における光インターコネクトに関する研究が活発に行われてい... [more] | PN2013-82 OPE2013-196 LQE2013-182 EST2013-131 MWP2013-102 pp.303-306 |
| LQE, OCS, OPE (共催) |
2013-10-24 09:35 |
福岡 | 門司港・海峡ロマンホール | Si/SiO2曲線方向性結合器を用いた結合特性の波長依存性低減 ○森野久康・丸山武男・飯山宏一（金沢大） OCS2013-47 OPE2013-93 LQE2013-63 |
方向性結合器は光電子集積回路を構成するデバイスとして広く用いられている．しかし，これら方向性結合器は一般に波長依存性が大... [more] | OCS2013-47 OPE2013-93 LQE2013-63 pp.1-4 |
| NLP | 2013-07-09 13:25 |
沖縄 | 宮古島マリンターミナル | 外部共振器を有するカオス発生用光集積回路による高速物理乱数生成 ○高橋里枝・秋澤康裕・山崎泰基・内田淳史（埼玉大）・原山卓久（NTT/東洋大）・都築 健（NTT）・砂田 哲（NTT/金沢大）・吉村和之・新井賢一（NTT）・デイビス ピーター（NTT/テレコグニックス） NLP2013-43 |
近年、半導体レーザカオスを用いた高速な物理乱数生成方式が多く提案されているが、市販のレーザや光検出器を用いているために実... [more] | NLP2013-43 pp.93-98 |
| LQE | 2012-12-13 13:50 |
東京 | 機械振興会館 | ［奨励講演］ウェハ接合によるシリコン基板上量子ドットレーザの進展 ○田辺克明・荒川泰彦（東大） LQE2012-128 |
III-V化合物半導体光源をSiチップないし導波路上に形成したハイブリッド型レーザは、光集積回路の実現に有望視されている... [more] | LQE2012-128 pp.31-33 |
| LQE | 2012-12-13 14:15 |
東京 | 機械振興会館 | 窒素プラズマ活性化を用いたIII-V/Si直接貼り付けとそのハイブリッドレーザへの応用 ○林 侑介・長部 亮・福田渓太・カン ジュンヒョン・渥美裕樹・西山伸彦・荒井滋久（東工大） LQE2012-129 |
直接貼り付けを用いたIII-V/Siハイブリッド集積は、次世代大規模光集積回路の実現において有力な方法である。プラズマ活... [more] | LQE2012-129 pp.35-40 |
| SDM, ED (共催) (ワークショップ) |
2012-06-29 09:15 |
沖縄 | 沖縄県青年会館 | ［招待講演］III-V/Ge integration on Si platform for electronic-photonic integrated circuits ○Mitsuru Takenaka・Shinichi Takagi（Univ. Tokyo） |
[more] | |
| LQE | 2011-12-16 16:20 |
東京 | 機械振興会館 | 表面活性化接合によるAlInAs酸化狭窄型GaInAsP/Siハイブリッドレーザの検討 ○長部 亮・福田渓太・林 侑介・西山伸彦・荒井滋久（東工大） LQE2011-133 |
次世代大規模光集積回路に向けたシリコンフォトニクス用の光源として、III-V族化合物半導体とシリコンとのハイブリッドデバ... [more] | LQE2011-133 pp.49-54 |
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