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| 研究会 | 発表日時 | 開催地 | タイトル・著者 | 抄録 | 資料番号 | |
| EMT, PN, LQE, OPE, MWP, EST (共催) IEE-EMT (連催) [詳細] |
2012-01-26 17:30 |
大阪 | 大阪大学コンベンションセンター | 100 GHz帯アンテナ近傍界のEOセンシング ○森本雄太・久武信太郎（阪大）・味戸克裕・久々津直哉・都甲浩芳（NTT）・永妻忠夫（阪大）  PN2011-52 OPE2011-168 LQE2011-154 EST2011-102 MWP2011-70 |
誘電体である電気光学(EO)結晶を用いた電界センシングは、被測定電界への擾乱が少なく、アンテナ等の近傍電界測定への応用が... [more] | PN2011-52 OPE2011-168 LQE2011-154 EST2011-102 MWP2011-70 pp.121-125 |
| OPE | 2011-12-16 13:05 |
東京 | 機械振興会館 | 接合型トランジスタの動作説明に関する新理論 ～ 「トランジスタ光動説」の提案 ～ ○岡本研正（香川大） OPE2011-141 |
1948年，米国ベル研究所のショックレーは接合型トランジスタを発明し，その前年に点接触型トランジスタを発明した同研究所の... [more] | OPE2011-141 pp.1-6 |
| MWP | 2011-10-28 13:35 |
東京 | 機械振興会館 | ［招待講演］高速光半導体デバイスの最新動向 ○石橋忠夫・若月 温（NTT） MWP2011-46 |
40 Gb/sシステム，100 Gb/sデジタルコヒーレントシステム向けに主に開発されている受光デバイス，半導体光変調器... [more] | MWP2011-46 pp.1-6 |
| OPE, MW, MWP, EMT, EST (共催) IEE-EMT (連催) [詳細] |
2011-07-22 10:45 |
北海道 | 北見工業大学 | Broadband Optoelectronic Frequency Response Measurement Using Optical Amplifier with Automatic Level Control ○Ukrit Mankong・Keizo Inagaki・Tetsuya Kawanishi（NICT） MW2011-58 OPE2011-45 EST2011-44 MWP2011-26 |
Optoelectronic frequency response calibration using high ext... [more] | MW2011-58 OPE2011-45 EST2011-44 MWP2011-26 pp.115-118 |
| LQE, OPE (共催) |
2011-06-30 16:40 |
東京 | 機械振興会館 | 10G-EPON用APDの開発 ○笹畑圭史・中路雅晴・庵原 晋・山路和樹・菊地真人武・鈴木大輔・佐久間 仁・國次恭宏・石村栄太郎・杉立厚志（三菱電機） OPE2011-27 LQE2011-27 |
我々は、10G-EPON ONU用受光素子として、モジュール作製時の光結合が容易な大受光径（φ40 μｍ）の表面入射型A... [more] | OPE2011-27 LQE2011-27 pp.65-69 |
| OPE, EMT, LQE, PN (共催) IEE-EMT (連催) [詳細] |
2011-01-27 15:45 |
大阪 | 大阪大学 | Fast Optical Power Stabilization using a Germanium Photodiode and a Silicon Variable Optical Attenuator Integrated on a Silicon Photonic Platform ○Koji Yamada・Tai Tsuchizawa・Toshifumi Watanabe・Hiroyuki Shinojima・Hidetaka Nishi・Rai Kou・Sungbong Park（NTT）・Yasuhiko Ishikawa・Kazumi Wada（Univ. of Tokyo）・Seiichi Itabashi（NTT） PN2010-36 OPE2010-149 LQE2010-134 |
シリコンプラットフォーム上にモノリシックに集積したゲルマニウムフォトダイオードとシリコン可変減衰器を用いた、光強度の高速... [more] | PN2010-36 OPE2010-149 LQE2010-134 pp.53-56 |
| OPE, EMT, LQE, PN (共催) IEE-EMT (連催) [詳細] |
2011-01-28 10:50 |
大阪 | 大阪大学 | InP/InGaAs新構造Avalanche Photodiodeの高増倍率動作 ○名田允洋・村本好史・横山春喜・重川直輝・児玉 聡（NTT） PN2010-44 OPE2010-157 LQE2010-142 |
アバランシェフォトダイオード (APD)は，一般的なフォトダイオードと比較して高い動作電圧を必要とし，信頼性を確保するた... [more] | PN2010-44 OPE2010-157 LQE2010-142 pp.103-106 |
| CPM, LQE, ED (共催) |
2010-11-11 15:45 |
大阪 | 阪大 中ノ島センター | AlNテンプレート上高効率AlInN紫外線受光素子 ○酒井佑輔・市川淳規・江川孝志（名工大） ED2010-151 CPM2010-117 LQE2010-107 |
AlNテンプレート上にMOCVD成長させたAlInN/GaN構造の評価を行い、ショットキー型紫外線受光素子を試作した。A... [more] | ED2010-151 CPM2010-117 LQE2010-107 pp.41-45 |
| EMD, OPE, LQE, CPM (共催) |
2010-08-27 16:20 |
北海道 | 千歳アルカディアプラザ | 表面プラズモンを用いた金属中の自由電子励起による光検出 ○遠山 誠・相原卓磨・中川恭平・山口堅三・福田光男（豊橋技科大） EMD2010-58 CPM2010-74 OPE2010-83 LQE2010-56 |
表面プラズモンや近接場光を利用した光通信デバイスは，回折限界に制約されないため高密度集積が可能となり，新しい光電子集積回... [more] | EMD2010-58 CPM2010-74 OPE2010-83 LQE2010-56 pp.149-152 |
| OPE, LQE (共催) |
2010-06-25 14:55 |
東京 | 機械振興会館 地下3階研修1号室 | 低バイアス・高光入力動作に適したComposite Feld MIC-PDの提案と実証 ○吉松俊英・村本好史・児玉 聡・重川直輝・横山春喜（NTT）・石橋忠夫（NEL） OPE2010-16 LQE2010-18 |
Maximized Induced Current Photodiode (MIC-PD)は所望の光吸収層厚におけるキャ... [more] | OPE2010-16 LQE2010-18 pp.7-10 |
| OPE | 2009-12-18 16:40 |
東京 | 機械振興会館 | モノリシクに集積したシリコン可変光減衰器とゲルマニウムフォトダイオードの同期動作 ○朴 成鳳・土澤 泰・渡辺俊文・篠島弘幸・西 英隆・山田浩治（NTT）・石川靖彦・和田一美（東大）・板橋聖一（NTT） OPE2009-169 |
モノリシクに集積したGe p-i-nフォトダイオード(PD)とSi可変光減衰器(VOA)に関する研究を行った。Ge PD... [more] | OPE2009-169 pp.47-52 |
| LQE | 2009-12-11 16:30 |
東京 | 機械振興会館 地下3階2号室 | レンズ集積技術を用いた1.3μm帯面型レーザおよびフォトダイオードの高効率ファイバ結合 ○篠田和典・足立光一朗・李 英根・塩田貴支・田中滋久（日立/光協会）・菅原俊樹・青木雅博（日立）・辻 伸二（日立/光協会） LQE2009-152 |
次世代光通信に求められる実装簡易性に優れた光素子の開発を目的として、光素子へのレンズ集積技術を検討した。集積レンズはIn... [more] | LQE2009-152 pp.71-74 |
| IEE-CMN, ITE-BCT (共催) OFT, OCS (併催) [詳細] |
2009-11-26 16:25 |
福島 | Jヴィレッジ | 指向性光無線通信端末の光軸制御方法 林 新（中川研）・○石川翔一（慶大）・広橋一俊（中川研）・春山真一郎・中川正雄（慶大） OCS2009-89 |
室内光無線高速LANの移動端末として，双方向指向方式によるデータ伝送を行う小型赤外線通信デバイスを開発した．光軸の高精度... [more] | OCS2009-89 pp.39-43 |
| OPE, LQE, OCS (共催) |
2009-10-23 16:55 |
福岡 | 九州大学 | 高RF出力InGaAs/InP p-i-n PD ○板倉成孝・酒井清秀・石村栄太郎・中路雅晴・青柳利隆・平野嘉仁（三菱電機） OCS2009-80 OPE2009-146 LQE2009-105 |
マイクロ波光伝送用のPDとして，大口径かつ低容量な高RF出力p-i-n PDを開発した．発熱密度を低減するためにPDの受... [more] | OCS2009-80 OPE2009-146 LQE2009-105 pp.191-195 |
| ICD, ITE-IST (共催) |
2009-10-01 11:25 |
東京 | キャンパス・イノベーションセンター東京（田町） | 埋め込み型高速電荷転送フォトダイオードを用いたTOF距離画像センサの試作 ○竹下裕章・澤田友成・飯田哲也・安富啓太・川人祥二（静岡大） ICD2009-38 |
本稿では，埋め込み型高速電荷転送フォトダイオードを用いたTime-of-Flight(TOF)距離画像センサの駆動方法，... [more] | ICD2009-38 pp.23-28 |
| OPE, EMT, MW (共催) |
2009-07-30 13:00 |
北海道 | 旭川市民文化会館 | 高RF出力PDアレイモジュール ○板倉成孝・永塚 勉・大塚浩志・森 一富・酒井清秀・平野嘉仁（三菱電機） MW2009-34 OPE2009-34 |
裏面入射型InGaAs pinフォトダイオード（PD）素子を用いた高RF出力PDアレイモジュールを開発した．このモジュー... [more] | MW2009-34 OPE2009-34 pp.25-30 |
| OPE, CPM, R (共催) |
2009-04-17 14:45 |
東京 | 機械振興会館 | 多チャネルモニタ用PDアレイにおけるクロストーク特性の検討 ○土居芳行・小川育生・大山貴晴・金子明正（NTT）・赤堀裕二（NEL） R2009-4 CPM2009-4 OPE2009-4 |
光通信システムにおいて使用される光強度モニタ部品として、フォトダイオード（ＰＤ）アレイを用いた多チャネルモニタは小型集積... [more] | R2009-4 CPM2009-4 OPE2009-4 pp.17-21 |
| OFT, OPE (共催) |
2009-03-06 14:20 |
東京 | 機械振興会館 | InAlAs-APD過剰雑音の高精度測定 ○石原 純（立命館大）・中田武志（NEC）・笠原健一（立命館大）・牧田紀久夫（NEC） OFT2008-95 OPE2008-195 |
数Gbps光通信用アバランシェフォトダイオードの過剰雑音とイオン化率比を測定した。これらの値を高い精度で測定するために差... [more] | OFT2008-95 OPE2008-195 pp.45-50 |
| PN, OPE, EMT, LQE (共催) |
2009-01-29 09:20 |
京都 | 京都工芸繊維大学（松ヶ崎キャンパス） | Reverse current reduction of Ge pin photodiodes on Si without post-growth annealing ○Sungbong Park・Shinya Takita・Yasuhiko Ishikawa・Jiro Osaka・Kazumi Wada（Univ. of Tokyo） PN2008-44 OPE2008-147 LQE2008-144 |
[more] | PN2008-44 OPE2008-147 LQE2008-144 pp.11-15 |
| OPE | 2008-12-19 14:55 |
東京 | 機械振興会館 | ［招待講演］オンチップ光配線開発の動向 ○大橋啓之（NEC/MIRAI-Selete） OPE2008-140 |
LSIにおいては、トランジスタの微細化に伴いゲート遅延が短縮される一方で、信号の高周波化および配線の微細・複雑化に伴い配... [more] | OPE2008-140 pp.23-24 |
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