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| 研究会 | 発表日時 | 開催地 | タイトル・著者 | 抄録 | 資料番号 | |
| MI | 2015-03-02 09:05 |
沖縄 | 石垣島 ホテルミヤヒラ | 3D蛍光顕微鏡画像からの哺乳類着床前胚の発生動態の再構成 ○小林徹也（東大）・尾関光徳（慶大）・山縣一夫（阪大）・舟橋 啓（慶大）  MI2014-53 |
哺乳類着床前胚の発生過程に関する情報を経時的な顕微鏡観察画像から得ることは，近年基礎生物学のみならず生殖補助医療などでも... [more] | MI2014-53 pp.1-6 |
| EST, OPE, LQE, EMT, PN, MWP (共催) IEE-EMT (連催) [詳細] |
2015-01-29 09:00 |
大阪 | 大阪大学 豊中キャンパスΣホール | ZnOへのカーボンナノチューブ埋め込み構造の作製 ○梅田俊一（青学大）・赤羽浩一（NICT）・外林秀之（青学大） PN2014-27 OPE2014-152 LQE2014-139 EST2014-81 MWP2014-49 |
現在、カーボンナノチューブ(CNT)は自身の持つ多様な光学応答から様々な光デバイスへの応用が期待されている。これまでに行... [more] | PN2014-27 OPE2014-152 LQE2014-139 EST2014-81 MWP2014-49 pp.1-4 |
| EE | 2015-01-30 12:30 |
熊本 | 桜の馬場 城彩苑（熊本県） | 高電位部への給電のためのデータ伝送機能付き非接触給電手法の研究 ○石崎潤起（同志社大）・久保敏裕・松原克夫（日新電機）・高橋康人・藤原耕二（同志社大） EE2014-37 |
電子線照射装置やイオン注入装置などでは，高電位に充電された電子やイオンの生成部に電力を供給する必要があり，所定の絶縁距離... [more] | EE2014-37 pp.49-53 |
| OPE, LQE (共催) |
2014-12-19 14:50 |
東京 | 機械振興会館(12/18)、NTT厚木センタ(12/19) | III-V-OI基板の耐熱性向上技術および低抵抗横型PIN接合形成技術 ○一宮佑希・竹中 充・高木信一（東大） OPE2014-146 LQE2014-133 |
III-V CMOSフォトニクスは、III-V-on-Insulator (III-V-OI)基板を用いることで化合物半... [more] | OPE2014-146 LQE2014-133 pp.37-40 |
| SDM, EID (共催) |
2014-12-12 11:00 |
京都 | 京都大学 | 炭素系多原子分子イオンのシリコンへの照射効果 ○竹内光明・林 恭平・龍頭啓充・高岡義寛（京大）・永山 勉・松田耕自（日新イオン機器） EID2014-17 SDM2014-112 |
炭化水素多原子分子イオンC$_{n}$H$_{n}^{+}$($n$=3, 7, 14)及びC$_{n}$H$_{2n+... [more] | EID2014-17 SDM2014-112 pp.21-24 |
| SDM | 2014-11-06 10:55 |
東京 | 機械振興会館 | モンテカルロ法によるSiCへの3次元不純物イオン注入計算 ○岡本 稔・清水 守・大倉康幸・山口 憲・小池秀耀（アドバンスソフト） SDM2014-98 |
[more] | SDM2014-98 pp.13-18 |
| SDM | 2014-10-16 16:30 |
宮城 | 東北大学未来研 | ［招待講演］イメージセンサーデバイスにおけるイオン注入 ○川崎洋司・布施玄秀・佐野 信・大賀絵美・小池正純・渡邉一浩・杉谷道朗（SEN） SDM2014-88 |
CMOSイメージセンサのためのイオン注入の方向性を議論した。要求されるより深い分布に対して、安定性の観点からビーム方向、... [more] | SDM2014-88 pp.23-30 |
| SDM | 2014-06-19 11:25 |
愛知 | 名古屋大学 ベンチャー・ビジネス・ラボラトリー | Ge基板中のAs高効率活性化と低抵抗浅接合形成 ○浜田慎也・村上秀樹・小野貴寛・橋本邦明（広島大）・大田晃生（名大）・花房宏明・東 清一郎（広島大）・宮崎誠一（名大） SDM2014-48 |
Ge中でのAsの活性化率を向上させるために、Ge(100)に対して基板温度を-100~400°Cに制御してAs+イオン注... [more] | SDM2014-48 pp.27-30 |
| CPM, ED, SDM (共催) |
2014-05-29 14:00 |
愛知 | 名古屋大学VBL3階 | P - GaN by Mg Ion Implantation for Power Device Applications ○Zheng Sun・Marc Olsson（Nagoya Univ.）・Tsutomu Nagayama（Nissin Ion Equipment）・Yoshio Honda・Hiroshi Amano（Nagoya Univ.） ED2014-40 CPM2014-23 SDM2014-38 |
[more] | ED2014-40 CPM2014-23 SDM2014-38 pp.109-112 |
| CPM, ED, SDM (共催) |
2014-05-29 14:20 |
愛知 | 名古屋大学VBL3階 | n型Ge単結晶中におけるSnと空孔関連欠陥との相互作用 ○竹内和歌奈・田岡紀之・坂下満男・中塚 理・財満鎭明（名大） ED2014-41 CPM2014-24 SDM2014-39 |
Ge結晶に導入されたSnが、空孔欠陥やドーパントとの複合欠陥等の格子欠陥に与える効果についてDeep-Level Tra... [more] | ED2014-41 CPM2014-24 SDM2014-39 pp.113-118 |
| SDM, OME (共催) |
2014-04-11 10:50 |
沖縄 | 沖縄県青年会館 | BLDAを用いた低温プロセスpoly-Si TFT ○下田清治・杉原弘也・井村公彦・岡田竜弥・野口 隆（琉球大） SDM2014-14 OME2014-14 |
低コストでの製造プロセスによるpoly-Si TFTは、ガラス上およびフレキシブルパネルに必要とされている。本研究では、... [more] | SDM2014-14 OME2014-14 pp.59-61 |
| SIS | 2014-03-07 10:00 |
大阪 | 関西大学うめきたラボラトリ | ［チュートリアル講演］画像メディア処理向け集積システムの実装技術 ○尾上孝雄（阪大） SIS2013-66 |
MPEG-2 の標準化が完了し、DVDプレーヤが商品化された1990年代前半、画像メディア処理を行うVLSIシステムは、... [more] | SIS2013-66 p.55 |
| SDM | 2014-02-28 13:50 |
東京 | 機械振興会館 | ［招待講演］インプラント法によるカーボンナノチューブプラグの作製とスパッタアニール法による多層グラフェン配線の接合 ○佐藤元伸・高橋 慎・二瓶瑞久・佐藤信太郎・横山直樹（産総研） SDM2013-170 |
カーボンナノチューブ（CNT）を微細孔に転写・移植（インプラント）する新たなプロセスを開発した。LSIのプラグやビア、T... [more] | SDM2013-170 pp.29-33 |
| SDM | 2014-01-29 10:50 |
東京 | 機械振興会館 | ［招待講演］高信頼メタル/high-k CMOS SOI FinFETsのための高温イオン注入技術 ○水林 亘（産総研）・おの田 博・中島良樹（日新イオン機器）・石川由紀・松川 貴・遠藤和彦・Yongxun Liu・大内真一・塚田順一・山内洋美・右田真司・森田行則・太田裕之・昌原明植（産総研） SDM2013-138 |
高温イオン注入がメタルゲート/high-k CMOS SOI FinFETsの性能及び信頼性に及ぼす影響について調べた。... [more] | SDM2013-138 pp.13-16 |
| ED, MW (共催) |
2014-01-16 11:45 |
東京 | 機械振興会館 | Siイオン注入を用いて作製したディプレッション型酸化ガリウムMOSFET ○東脇正高（NICT）・佐々木公平（タムラ製作所/NICT）・ワン マンホイ・上村崇史・ダイワシガマニ キルシナムルティ（NICT）・倉又朗人（タムラ製作所）・増井建和（光波）・山腰茂伸（タムラ） ED2013-116 MW2013-181 |
我々は，新たに開発したSiイオン注入技術を用いてディプレッション型Ga2O3 MOSFETを作製した．今回作製したデバイ... [more] | ED2013-116 MW2013-181 pp.35-39 |
| LQE, OCS, OPE (共催) |
2013-10-24 10:00 |
福岡 | 門司港・海峡ロマンホール | イオン注入法を用いたサブバンド間遷移超高速全光ゲートスイッチの高性能化 ○秋本良一・フェン ジジュン・牛頭信一郎・物集照夫・石川 浩（産総研） OCS2013-48 OPE2013-94 LQE2013-64 |
イオン注入による量子井戸混合法を用いて，異なるバンドギャップもつInGaAs/AlAsSb量子井戸光導波路を接続したマイ... [more] | OCS2013-48 OPE2013-94 LQE2013-64 pp.5-8 |
| SDM, ED, CPM (共催) |
2013-05-16 16:35 |
静岡 | 静大（浜松）創造科学技術大学院 | 収束イオンビームを用いたPドープSOI基板に対するGaイオン注入とそのゼーベック係数 ○鈴木悠平・三輪一聡（静岡大）・ファイズ サレ（静岡大/学振）・下村 勝・石田明広・池田浩也（静岡大） ED2013-22 CPM2013-7 SDM2013-29 |
Siナノワイヤを用いたサーモパイル型赤外線センサを作製するために，収束イオンビーム(FIB)によってn型SOI層へのGa... [more] | ED2013-22 CPM2013-7 SDM2013-29 pp.33-37 |
| MBE, NC (併催) |
2013-03-13 13:45 |
東京 | 玉川大学 | 視覚野V1及びV2の電気刺激によって惹起される光覚のシミュレーション ○神谷雄斗・奥野弘嗣・亀田成司・八木哲也（阪大） NC2012-147 |
視覚野V1及びV2の電気刺激によって惹起される光覚を模擬するシミュレータを開発した．本シミュレータでは，皮質上における埋... [more] | NC2012-147 pp.79-83 |
| EE, CPM (共催) |
2013-01-25 11:40 |
熊本 | 阿蘇ファームランド | 高電位部への送電に適した長ギャップ非接触給電方式の検討 ○権藤亮太（同志社大）・久保敏裕・松原克夫（日新電機）・高橋康人・藤原耕二（同志社大） EE2012-49 CPM2012-171 |
電子線照射装置やイオン注入装置などでは，電子やイオンを生成するため，高電位に充電された部位に電力を供給する必要があり，所... [more] | EE2012-49 CPM2012-171 pp.123-128 |
| SDM | 2012-12-07 14:00 |
京都 | 京都大学(桂) | ナノスケールウエットエッチング法を用いたSi極浅接合の深さ方向ホトルミネセンス分析 ○村井剛太・奥谷真士・田川修治・吉本昌広（京都工繊大）・Woo Sik Yoo（WaferMasters） SDM2012-127 |
ナノスケールでウエットエッチングした試料のホトルミネセンス(PL)を低温と室温で観測することによって，極浅接合の欠陥の深... [more] | SDM2012-127 pp.71-76 |
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