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| 研究会 | 発表日時 | 開催地 | タイトル・著者 | 抄録 | 資料番号 | |
| SDM | 2018-06-25 13:30 |
愛知 | 名古屋大学 VBL３F | ［依頼講演］反転層チャネルダイヤモンドMOSFET ～ ウェットアニール処理による高品質ダイヤモンドMOS界面の形成 ～ ○松本 翼（金沢大）・加藤宙光・牧野俊晴・小倉政彦・竹内大輔（産総研）・猪熊孝夫（金沢大）・山崎 聡（産総研）・徳田規夫（金沢大）  SDM2018-20 |
ダイヤモンド半導体においても、ノーマリーオフ動作可能な反転層チャネルMOSFETが実現した。ダイヤモンド半導体では、Si... [more] | SDM2018-20 pp.19-22 |
| EMCJ, MICT (併催) |
2018-03-16 13:50 |
東京 | 機械振興会館 | 高周波域デカップリングによる三相インバータのコモンモード電流低減設計法 ○藤井志貴（京大）・松嶋 徹（九工大）・久門尚史・和田修己（京大） EMCJ2017-111 |
パワーエレクトロニクス機器が急速に発展する中、電気自動車にもモータードライブ回路に三相インバータが用いられている。三相イ... [more] | EMCJ2017-111 pp.37-42 |
| WPT (第二種研究会) |
2017-12-09 - 2017-12-11 |
海外 | シンガポール国立大学 | Novel Extended Non-Breakdown Rectifier Topologies for Power-Optimized Waveform based Wireless Power Transfer Systems ○Hao Zhang（NUST）・Zheng Zhong・Yong-Xin Guo（NUS）・Wen Wu（NUST） |
This paper presents two novel extended non-breakdown rectifi... [more] | |
| WPT, EMCJ (併催) |
2017-11-21 11:20 |
東京 | 機械振興会館 | パワーMOSFET近傍の寄生結合とコモンモード電圧の関係 ○松嶋 徹・黒柳貴夫・久門尚史・和田修己（京大） EMCJ2017-61 |
パワーエレクトロニクスに用いられるMOSFETのヒートスプレッダとヒートシンク間に存在する寄生結合により、回路にコモンモ... [more] | EMCJ2017-61 pp.13-18 |
| SDM | 2017-11-09 13:05 |
東京 | 機械振興会館 | p-LDMOSFETのホットキャリア耐性を向上させる新構造の検討 ○酒井 敦・永久克己（ルネサス エレクトロニクス）・藤井宏基・森 隆弘（ルネサスセミコンダクタマニュファクチャリング）・秋山 豊・山口泰男（ルネサス エレクトロニクス） SDM2017-63 |
BiCDプロセスで用いられるp-LDMOSFETではホットキャリアストレスによってゲート酸化膜の絶縁破壊が起こるため，信... [more] | SDM2017-63 pp.11-14 |
| SDM | 2017-11-09 14:30 |
東京 | 機械振興会館 | ［招待講演］SiCパワーMOSFETの特性測定とモデル化 ○佐藤高史・大石一輝・廣本正之（京大）・新谷道広（奈良先端大） SDM2017-65 |
シリコンカーバイド(SiC)は大電力を扱うスイッチ素子の実現に好適な材料であり，今後より広く普及が進むものと考えられてい... [more] | SDM2017-65 pp.21-26 |
| SDM, ICD (共催) ITE-IST (連催) [詳細] |
2017-07-31 10:15 |
北海道 | 北海道大学情報教育館 | 8角形多端子MOSFETによる多機能センサ動作の評価 ○原田知親（山形大） SDM2017-32 ICD2017-20 |
センサ素子を、Si材料、更にMOSFET型とすることにより、素子が既存のSiプロセスで作製可能で、低コスト化、回路組込が... [more] | SDM2017-32 ICD2017-20 pp.7-12 |
| SDM, ICD (共催) ITE-IST (連催) [詳細] |
2017-08-01 13:50 |
北海道 | 北海道大学情報教育館 | しきい電圧の温度依存性を低減した等価MOSFETの試作と評価 ○山口拓哉・奥 達哉・関根かをり（明大） SDM2017-41 ICD2017-29 |
MOSFETの温度特性は回路の動作に大きな影響を与える。MOSFETはしきい電圧と移動度に温度依存性を持っているが、今回... [more] | SDM2017-41 ICD2017-29 pp.77-82 |
| SDM, ICD (共催) ITE-IST (連催) [詳細] |
2017-08-02 11:35 |
北海道 | 北海道大学情報教育館 | 急峻なSSを持つPN-Body Tied SOI FETを用いた高効率RFエネルギーハーベスティング用Gate Controlled Diodeの特性 ○百瀬 駿・井田次郎・森 貴之・吉田貴大・岩田潤平・堀井隆史・古田貴大・山田拓弥・高松大地・伊東健治（金沢工大）・石橋孝一郎（電通大）・新井康夫（高エネルギー加速器研究機構） SDM2017-45 ICD2017-33 |
新たに提案した極低ドレイン電圧で急峻なサブスレッショルド特性を持つPN-Body Tied SOI FETを用いたGat... [more] | SDM2017-45 ICD2017-33 pp.109-114 |
| EMCJ, EMD (共催) |
2017-07-21 13:05 |
東京 | 機械振興会館 | 電気接点と半導体スイッチを用いたハイブリッド直流遮断器のシミュレーション ○中山恭太郎・全 俊豪・安岡康一（東工大） EMCJ2017-25 EMD2017-13 |
近年，直流送配電の需要増加に伴い，電気接点と半導体スイッチを並列に接続したハイブリッド直流遮断器が注目されている。筆者ら... [more] | EMCJ2017-25 EMD2017-13 pp.1-6 |
| MW (第二種研究会) |
2017-06-14 - 2017-06-16 |
海外 | KMUTT（タイ・バンコク） | ［ショートペーパー］RF Characteristics of SOTB Devices for GHz Frequency Applications ○Van-Trung Nguyen・Koichiro Ishibashi（UEC） |
The paper presents RF characteristics of the 65nm SOTB CMOS ... [more] | |
| EMD | 2017-03-03 14:15 |
千葉 | 千葉工業大学 津田沼キャンパス 6号館６１２講義室 | ハイブリッド直流遮断器の電流遮断時における溶融ブリッジ状態とアークレス遮断の関係 ○山田雄太・陳 黙・中山恭太郎・早川達也・全 俊豪・安岡康一（東工大） EMD2016-103 |
近年直流給配電の需要増加に伴い，電気接点と半導体素子を並列に接続したハイブリッド直流遮断器が注目されている。半導体素子と... [more] | EMD2016-103 pp.17-20 |
| EMD, R (共催) |
2017-02-17 16:20 |
滋賀 | オムロン草津事業所 | ハイブリッド直流遮断器によるDC300V-150Aアークレス電流遮断 ○早川達也・中山恭太郎・全 俊豪・安岡康一（東工大） R2016-69 EMD2016-96 |
近年直流給配電の需要増加に伴い，電気接点と半導体デバイスを並列に接続したハイブリッド直流遮断器が注目されている。そのうち... [more] | R2016-69 EMD2016-96 pp.53-58 |
| ICD, CPM, ED, EID, EMD, MRIS, OME, SCE, SDM (共催) QIT (併催) [詳細] |
2017-01-31 14:10 |
広島 | みやじま杜の宿(広島) | 数式ベースと遺伝的アルゴリズムの組み合わせによる演算増幅器の自動設計 ○鈴木研人・高井伸和・菅原誉士紀・吉澤 慧・大河内一登・石井 司・篠田沙樹・福田雅史（群馬大） EMD2016-83 MR2016-55 SCE2016-61 EID2016-62 ED2016-126 CPM2016-127 SDM2016-126 ICD2016-114 OME2016-95 |
設計の自由度が大きいアナログ回路は依然として設計者が持つ経験や知識に基づいて、用途に合った回路を設計しており、最適な回路... [more] | EMD2016-83 MR2016-55 SCE2016-61 EID2016-62 ED2016-126 CPM2016-127 SDM2016-126 ICD2016-114 OME2016-95 pp.69-74 |
| EMD | 2016-12-16 14:30 |
東京 | 機械振興会館 | タングステン及び炭素接点を用いたハイブリッド直流遮断器のアークレス化 ○早川達也・中山恭太郎・安岡康一（東工大） EMD2016-66 |
近年直流給配電の需要増加に伴い，電気接点と半導体素子を並列に接続したハイブリッド直流遮断器が注目されている。ここで半導体... [more] | EMD2016-66 pp.7-12 |
| ICD, CPSY (共催) |
2016-12-16 09:40 |
東京 | 東京工業大学 | MOSFETのキャラクタライズ結果を用いたバイアス回路の自動設計 ○鈴木研人・高井伸和・菅原誉士紀・大河内一登・吉澤 慧・石井 司・篠田沙樹・福田雅史（群馬大） ICD2016-91 CPSY2016-97 |
アナログ回路は設計の自由度が大きく最適な回路を短時間で設計するのは困難である。アナログ回路において、バイアス回路はトラン... [more] | ICD2016-91 CPSY2016-97 pp.119-122 |
| SDM, EID (共催) |
2016-12-12 15:15 |
奈良 | 奈良先端科学技術大学院大学 | DNA/Si-MOSFET,寄生容量制御によるインバータ回路の検討 ○中野 響・松尾直人・部屋 彰・高田忠雄・山名一成（兵庫県立大）・佐藤 旦・横山 新（広島大） EID2016-23 SDM2016-104 |
DNA/Si-MOSFET,及び,寄生容量制御可能なインバータ回路を作成しその入出力特性を調べた。シリコン基板を使って電... [more] | EID2016-23 SDM2016-104 pp.63-66 |
| VLD, DC (共催) CPM, ICD, IE (共催) CPSY, RECONF (併催) [詳細] |
2016-11-29 09:00 |
大阪 | 立命館大学大阪いばらきキャンパス | 薄膜BOX-SOIを用いた基板バイアス制御による低消費電力スタンダードセルメモリの設計と実装 ○吉田有佑・宇佐美公良（芝浦工大） VLD2016-53 DC2016-47 |
スタンダードセルメモリ(Standard Cell Memory : SCM)はSRAMに代わる低電圧動作可能な組み込み... [more] | VLD2016-53 DC2016-47 pp.55-60 |
| SDM | 2016-11-10 13:30 |
東京 | 機械振興会館 | ［招待講演］センサーネットワーク時代の低エネルギーSOIデバイスの展開可能性と見通し ○大村泰久（関西大） SDM2016-81 |
本稿では、SOI TFETを含むいろいろなSOIデバイスの性能の特徴と見通しを議論する。埋め込み医療デバイスやセンサー・... [more] | SDM2016-81 pp.15-22 |
| SDM | 2016-10-27 10:50 |
宮城 | 東北大学未来研 | 動作電圧変化時の過渡状態におけるランダムテレグラフノイズの挙動に関する研究 ○間脇武蔵・寺本章伸・黒田理人・市野真也・後藤哲也・諏訪智之・須川成利（東北大） SDM2016-75 |
MOSFETの微細化に伴い、RTN(Random Telegraph Noise)の影響が顕在化している。 RTNの発生... [more] | SDM2016-75 pp.35-38 |
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