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| 研究会 | 発表日時 | 開催地 | タイトル・著者 | 抄録 | 資料番号 | |
| MW (第二種研究会) |
2017-06-14 - 2017-06-16 |
海外 | KMUTT（タイ・バンコク） | ［ショートペーパー］RF Characteristics of SOTB Devices for GHz Frequency Applications ○Van-Trung Nguyen・Koichiro Ishibashi（UEC） |
The paper presents RF characteristics of the 65nm SOTB CMOS ... [more] | |
| EMD | 2016-12-16 14:30 |
東京 | 機械振興会館 | タングステン及び炭素接点を用いたハイブリッド直流遮断器のアークレス化 ○早川達也・中山恭太郎・安岡康一（東工大）  EMD2016-66 |
近年直流給配電の需要増加に伴い，電気接点と半導体素子を並列に接続したハイブリッド直流遮断器が注目されている。ここで半導体... [more] | EMD2016-66 pp.7-12 |
| ICD, CPSY (共催) |
2016-12-15 15:30 |
東京 | 東京工業大学 | ［ポスター講演］光プローブ電流センサ向け光電流電圧変換CMOSアナログフロントエンド回路の検討と試作 ○小柳洸介・宮地幸祐（信州大） ICD2016-74 CPSY2016-80 |
パワーエレクトロニクス向けに、磁気光学効果を用いた光プローブ電流センサが研究されている。従来の磁気ヨーク付きホール効果電... [more] | ICD2016-74 CPSY2016-80 p.67 |
| ICD, CPSY (共催) |
2016-12-15 15:30 |
東京 | 東京工業大学 | ［ポスター講演］残留キャリア引抜による可視光通信用複数色LED駆動回路の高速化に関する検討 ○康 自成・松田勇介・小澤佑介・楳田洋太郎（東京理科大） ICD2016-84 CPSY2016-90 |
近年, LED (light emitting diode) は高い発光効率, 長寿命, 高い応答性などの利点を持つため... [more] | ICD2016-84 CPSY2016-90 pp.95-100 |
| CPM, LQE, ED (共催) |
2016-12-12 15:45 |
京都 | 京大桂キャンパス | プレーナ型GaN MOS-HFETのノーマリオフ動作 ○南條拓真・林田哲郎・小山英寿・今井章文・古川彰彦・山向幹雄（三菱電機） ED2016-63 CPM2016-96 LQE2016-79 |
GaNは高周波素子だけではなく，高出力スイッチング素子に用いる半導体材料として近年注目を集めている．高出力スイッチング素... [more] | ED2016-63 CPM2016-96 LQE2016-79 pp.31-34 |
| SDM | 2016-11-10 13:30 |
東京 | 機械振興会館 | ［招待講演］センサーネットワーク時代の低エネルギーSOIデバイスの展開可能性と見通し ○大村泰久（関西大） SDM2016-81 |
本稿では、SOI TFETを含むいろいろなSOIデバイスの性能の特徴と見通しを議論する。埋め込み医療デバイスやセンサー・... [more] | SDM2016-81 pp.15-22 |
| ICD, SDM (共催) ITE-IST (連催) [詳細] |
2016-08-01 09:15 |
大阪 | 中央電気倶楽部 | ［招待講演］イメージング技術の進化とセンシング応用への展望 ○大池祐輔・若林準人・野本哲夫（ソニーセミコンダクタソリューションズ） SDM2016-48 ICD2016-16 |
本発表はイメージセンサ技術の進化と今後のセンシング応用への展望について，Symposium on VLSI Circui... [more] | SDM2016-48 ICD2016-16 p.1 |
| EMCJ | 2016-05-13 15:40 |
北海道 | 北海道大学 百年記念会館 | 高速電力変換回路内部を対象とした相互誘導によるスイッチング特性評価 ○緒形 航・和田圭二（首都大東京） EMCJ2016-17 |
近年，SiC やGaN などの次世代半導体デバイスの発展によって，電力変換回路内部の寄生要素がもたらすスイッチング特性へ... [more] | EMCJ2016-17 pp.47-52 |
| OPE (共催) OFT, OCS (併催) [詳細] |
2016-02-18 10:55 |
沖縄 | 沖縄大学 | モスキート法を用いた端面研磨フリー円形GI型ポリマー光導波路の作製 ○榎本忠幸・石榑崇明（慶大） OCS2015-100 OFT2015-59 OPE2015-219 |
光配線によるチップ間伝送を可能とする光インターコネクト技術が注目されており, オンボードの光信号伝送路としてマルチモード... [more] | OCS2015-100 OFT2015-59 OPE2015-219 pp.1-5(OCS), pp.23-27(OFT), pp.23-27(OPE) |
| LQE, EST, OPE, EMT, PN, MWP (共催) IEE-EMT, PEM (連催) ※学会内は併催 [詳細] |
2016-01-28 11:20 |
兵庫 | 神戸市産業振興センター | ミリ波無線通信システムへ向けたKu帯アウトフェーズ増幅器の試作 ○前田祐人・塩見英久・岡村康行（阪大） PN2015-51 EMT2015-102 OPE2015-164 LQE2015-151 EST2015-108 MWP2015-77 |
近年，携帯無線端末の爆発的な普及により通信トラフィック量が増大している．これによる周波数逼迫への対策として広帯域確保が可... [more] | PN2015-51 EMT2015-102 OPE2015-164 LQE2015-151 EST2015-108 MWP2015-77 pp.95-100 |
| ED | 2016-01-20 11:20 |
東京 | 機械振興会館 | ［依頼講演］酸化ガリウムパワーデバイスの最新技術 ○東脇正高・ワン マンホイ・小西敬太（NICT）・佐々木公平（タムラ/NICT）・後藤 健（タムラ/東京農工大）・野村一城・ティユ クァン トゥ・富樫理恵・村上 尚・熊谷義直・Bo Monemar・纐纈明伯（東京農工大）・倉又朗人・増井建和・山腰茂伸（タムラ） ED2015-114 |
酸化ガリウム (Ga{$_{2}$}O{$_{3}$}) は，パワーデバイス用途に適した優れた物性を有する酸化物半導体で... [more] | ED2015-114 pp.13-18 |
| MI | 2015-11-11 14:30 |
奈良 | 奈良先端大 | ラットの脳微小血管における血流速度の検出 ～ 複数の自動決定検出法の比較 ～ ○出島 遼・佐藤哲大・春田牧人・中澤 瞳・徳田 崇・太田 淳・金谷重彦（奈良先端大） MI2015-65 |
fMRI(functional magnetic resonance imaging)やPET(Positron Emi... [more] | MI2015-65 pp.37-41 |
| ED | 2015-07-25 10:40 |
石川 | ITビジネスプラザ武蔵研修室1(金沢市武蔵町) | 再成長ソース・ドレインを有するマルチゲートMOSFETの作製プロセス ○木下治紀・祢津誠晃・三嶋裕一・金澤 徹・宮本恭幸（東工大） ED2015-44 |
次世代の高速・低消費電力デバイスとしてInGaAsチャネルMOSFETが注目されている。さらなる性能向上を目指して、マル... [more] | ED2015-44 pp.39-44 |
| MI | 2015-07-15 15:10 |
北海道 | 函館市勤労者総合福祉センター（サン・リフレ函館） | ラットの脳微小血管における血流速度自動決定法 ○出島 遼・佐藤哲大・春田牧人・中澤 瞳・徳田 崇・太田 淳・金谷重彦（奈良先端大） MI2015-45 |
fMRI(functional magnetic resonance imaging)やPET(Positron Emi... [more] | MI2015-45 pp.73-77 |
| CPSY, DC (共催) IPSJ-EMB, IPSJ-SLDM (共催) (連催) [詳細] |
2015-03-07 08:55 |
鹿児島 | 奄美市社会福祉協議会 会議室（2F・４F） | CMOSアナログ回路におけるバイアス回路制御方式の改良と性能評価 ○堀 遼平（立命館大）・熊本敏夫（阪産大）・白畑正芳・藤野 毅（立命館大） CPSY2014-175 DC2014-101 |
消費電力の小さいセンサノードデバイスの実現のため，ノーマリオフ（Noff）・コンピューティング技術を活用したデバイス制御... [more] | CPSY2014-175 DC2014-101 pp.77-82 |
| OPE, LQE (共催) |
2014-12-19 14:50 |
東京 | 機械振興会館(12/18)、NTT厚木センタ(12/19) | III-V-OI基板の耐熱性向上技術および低抵抗横型PIN接合形成技術 ○一宮佑希・竹中 充・高木信一（東大） OPE2014-146 LQE2014-133 |
III-V CMOSフォトニクスは、III-V-on-Insulator (III-V-OI)基板を用いることで化合物半... [more] | OPE2014-146 LQE2014-133 pp.37-40 |
| OME, OPE (共催) |
2014-11-21 13:00 |
東京 | 機械振興会館 | ［招待講演］CMOSセンサ技術をベースとしたバイオメディカルフォトニックデバイスの研究開発 ○徳田 崇・竹原宏明・野田俊彦・笹川清隆・太田 淳（奈良先端大） OME2014-47 OPE2014-127 |
CMOSイメージセンサ技術をベースとした、バイオサイエンス・医療向けの新しいタイプのデバイス開発について論じる。特に、著... [more] | OME2014-47 OPE2014-127 pp.1-6 |
| SDM | 2014-11-06 11:20 |
東京 | 機械振興会館 | SiCパワーデバイス(DioMOS)のSPICEモデルの構築 ～ 双対性による逆方向電流のモデル化 ～ ○山本哲也・澤井徹郎・堀川信之・神澤好彦・水谷研治・大塚信之・藤井英治（パナソニック） SDM2014-99 |
SiC MOSFETの電流・電圧（Ids-Vds）特性を再現し、スイッチング回路での特性評価を可能とするSPICEモデル... [more] | SDM2014-99 pp.19-24 |
| ICD, SDM (共催) |
2014-08-05 13:05 |
北海道 | 北海道大学 情報教育館（札幌市） | ［招待講演］配線層中形成した酸化物半導体トランジスタ ○砂村 潤・古武直也・齋藤 忍・成広 充・林 喜宏（ルネサス エレクトロニクス） SDM2014-76 ICD2014-45 |
オンチップ高耐圧インターフェイス実現を目的として我々が提唱する配線層中形成した酸化物半導体トランジスタ技術（BEOL-F... [more] | SDM2014-76 ICD2014-45 pp.77-82 |
| OPE, LQE (共催) |
2014-06-20 16:40 |
東京 | 機械振興会館 | III-V CMOSフォトニクスを用いた小型低クロストーク光スイッチ ○一宮佑希・横山正史・竹中 充・高木信一（東大） OPE2014-21 LQE2014-26 |
III-V CMOSフォトニクスは、基板貼り合わせによって作製したIII-V on insulator (III-V-O... [more] | OPE2014-21 LQE2014-26 pp.39-42 |
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