研究会 |
発表日時 |
開催地 |
タイトル・著者 |
抄録 |
資料番号 |
SDM |
2021-06-22 14:40 |
ONLINE |
オンライン開催 |
[依頼講演]二次元材料をチャネルとするFET ○若林 整(東工大) SDM2021-24 |
[more] |
SDM2021-24 pp.13-15 |
OPE, LQE (共催) |
2020-11-20 15:30 |
ONLINE |
オンライン開催 |
Mosquito法によるシングルモードY分岐導波路の作製 ○濱 拓樹・石榑崇明(慶大) OPE2020-52 LQE2020-32 |
近年のクラウドコンピューティング技術の急速な普及を受けてデータセンタ内外の光リンクの伝送容量増大が目覚ましく,光ファイバ... [more] |
OPE2020-52 LQE2020-32 pp.35-40 |
SCE |
2020-01-17 13:15 |
神奈川 |
横浜市開港記念会館 |
[ポスター講演]Optimization of a Josephson latching driver using 10-kA/cm2 Nb process for a Josephson-CMOS hybrid memory ○Yuki Hironaka・Yuki Yamanashi・Nobuyuki Yoshikawa(Yokohama Natl. Univ.) SCE2019-47 |
[more] |
SCE2019-47 pp.73-74 |
VLD, DC, IPSJ-SLDM, IPSJ-EMB (連催) CPSY, IPSJ-ARC (連催) ICD, IE (共催) RECONF (併催) [詳細] |
2019-11-15 14:15 |
愛媛 |
愛媛県男女共同参画センター |
SOIウェハの直接接合を用いた3層構造リングオシレータとイメージセンサの試作 ○後藤正英(NHK)・本田悠葵(NHKエンジニアリングシステム)・渡部俊久・萩原 啓・難波正和・井口義則(NHK)・更屋拓哉・小林正治(東大)・日暮栄治(産総研)・年吉 洋・平本俊郎(東大) ICD2019-38 IE2019-44 |
超高精細と高フレームレートとを両立する次世代のイメージセンサを目指して,画素並列信号処理を行う3次元構造イメージセンサの... [more] |
ICD2019-38 IE2019-44 pp.45-49 |
OCS, LQE, OPE (共催) |
2019-10-17 14:35 |
鹿児島 |
サンプラザ天文館(鹿児島) |
Mosquito法によるシングルモードポリマー3次元配列光導波路作製 ○松井 瞳・矢加部 祥・石榑崇明(慶大) OCS2019-34 OPE2019-72 LQE2019-50 |
データセンタネットワークはかつてのマルチモードファイバ(MMF)からシングルモードファイバ(SMF)リンクへ代わりつつあ... [more] |
OCS2019-34 OPE2019-72 LQE2019-50 pp.39-44 |
SDM, ED, CPM (共催) |
2019-05-16 15:25 |
静岡 |
静岡大学(浜松) |
[招待講演]シリコンにおける電子―電子散乱を用いたエレクトロン・ナノ・アスピレーター ○小野行徳(静岡大) ED2019-15 CPM2019-6 SDM2019-13 |
エレクトロン・ナノ・アスピレーターは、T字型分岐を有するシリコン・ナノデバイスであり、電子の流体的性質を利用することによ... [more] |
ED2019-15 CPM2019-6 SDM2019-13 pp.25-28 |
SDM, ED, CPM (共催) |
2019-05-17 11:10 |
静岡 |
静岡大学(浜松) |
ナノ人工物メトリクスのための2次元ランダム構造形成プロセス最適化と電気的読出しの実験的検討 呂 任鵬・清水克真・殷 翔(北大)・上羽陽介・石川幹雄・北村 満(大日本印刷)・○葛西誠也(北大) ED2019-24 CPM2019-15 SDM2019-22 |
レジスト倒壊現象を利用したナノ人工物メトリクスのために,レジスト倒壊のランダム性を高める電子線リソグラフィ条件の最適化と... [more] |
ED2019-24 CPM2019-15 SDM2019-22 pp.67-70 |
EMM |
2019-03-13 16:50 |
沖縄 |
沖縄県青年会館 |
インフラサウンドの多点観測による音源位置推定 ○崔 正烈・笹原稜翼(東北大)・西村竜一(NICT)・鈴木陽一(東北大) EMM2018-110 |
インフラサウンドは津波より伝搬速度が速く,インフラサウンドの計測により津波の早期検出が可能となる.インフラサウンドの計測... [more] |
EMM2018-110 pp.101-104 |
EMD |
2019-01-18 14:40 |
東京 |
機械振興会館地下3階1号室 |
SiC-MOSFETを用いたkV, kA級ハイブリッド直流遮断器 ○久保翔也・佐藤俊介・全 俊豪・安岡康一(東工大) EMD2018-50 |
近年直流遮断器の需要が増加しているが,直流は電流零点がないため開極時のアーク放電を消弧することが難しい。またアーク放電に... [more] |
EMD2018-50 pp.11-16 |
VLD, DC, IPSJ-SLDM, IPSJ-EMB (連催) CPSY, IPSJ-ARC (連催) CPM, ICD, IE (共催) RECONF (併催) [詳細] |
2018-12-05 11:00 |
広島 |
サテライトキャンパスひろしま |
[基調講演]ポストCMOS回路技術が拓くAIハードウェアの挑戦 ○羽生貴弘(東北大) |
人工知能(Artificial Intelligence; AI)は,近年,その有用性がさまざまな応用分野で認識されつつ... [more] |
|
EST, MW, EMCJ (共催) IEE-EMC (連催) [詳細] |
2018-10-19 11:35 |
青森 |
八戸商工会館(青森県八戸市) |
60GHz帯シリコンCMOSオンチップダイポールアンテナのシリコン貫通ビアによる損失低減の一検討 ○平野拓一(東京都市大) EMCJ2018-51 MW2018-87 EST2018-73 |
ミリ波帯においては、アンテナが小型になるため、近年開発が進んでいるCMOSチップに一体化して作成するオンチップアンテナが... [more] |
EMCJ2018-51 MW2018-87 EST2018-73 pp.105-109 |
SDM |
2018-10-18 14:00 |
宮城 |
東北大学未来情報産業研究館5F |
ソースとドレインが非対称のMOSFETを用いた電気的特性ばらつきの統計的解析 ○市野真也・寺本章伸・黒田理人・間脇武蔵・諏訪智之・須川成利(東北大) SDM2018-62 |
高精度アナログデバイス回路の実現に支障をきたす,しきい値電圧ばらつきやランダムテレグラフノイズ(RTN)といったMOSト... [more] |
SDM2018-62 pp.51-56 |
SDM, ICD (共催) ITE-IST (連催) [詳細] |
2018-08-07 12:55 |
北海道 |
北海道大学大学院情報科学研究科 M棟M151 |
[招待講演]慣性センサの超低消費電力化に向けたCMOS混載SiGe-MEMS技術の開発 ○富澤英之・久留井慶彦(東芝)・秋田一平(産総研)・藤本 明・齋藤友博・小島章弘・柴田英毅(東芝) SDM2018-29 ICD2018-16 |
本稿は実デバイス試作・評価結果を以て慣性系MEMSセンサにおける多結晶SiGe材料のメリットを報告する.我々は、超低消費... [more] |
SDM2018-29 ICD2018-16 pp.21-24 |
SDM, ICD (共催) ITE-IST (連催) [詳細] |
2018-08-07 13:40 |
北海道 |
北海道大学大学院情報科学研究科 M棟M151 |
[招待講演]ミニマルファブとメガファブを併用したハイブリッドプロセスによるSOI-CMOSの作製及び電気特性評価 ○柳 永勛・田中宏幸(産総研)・古賀和博・佐藤和重(ミニマルファブ推進機構)・クンプアン ソマワン・長尾昌善・松川 貴・原 史朗(産総研) SDM2018-30 ICD2018-17 |
本研究では,ミニマルファブとメガファブを併用したハイブリッドプロセスの開発を行い,ミニマルウエハ(直径12.5 mm)上... [more] |
SDM2018-30 ICD2018-17 pp.25-30 |
EA, ASJ-H, ASJ-AA (共催) |
2018-07-24 13:00 |
北海道 |
北海道大学 |
[ポスター講演]聴覚特性を考慮した省電力音響再生のための音源加工 ~ 騒音環境下での主観評価 ~ ○中川原光洋(パナソニック)・中嶋 司・水町光徳(九工大) EA2018-8 |
スマートフォンやポータブルスピーカ等の携帯型音楽プレイヤーが普及する中,省電力化が製品性能を決める重要なポイントとなって... [more] |
EA2018-8 pp.41-46 |
SDM |
2018-06-25 11:40 |
愛知 |
名古屋大学 VBL3F |
高性能GaN MOSFET実現に向けたSiO2/GaN界面制御 ○細井卓治・山田高寛・野崎幹人(阪大)・高橋言諸・山田 永・清水三聡(産総研)・吉越章隆(原子力機構)・志村考功・渡部平司(阪大) SDM2018-18 |
GaN MOSFETは高耐圧・低損失スイッチング素子として期待されているが、その実現には良質な絶縁膜および絶縁膜/GaN... [more] |
SDM2018-18 pp.11-14 |
ICD, CPSY, CAS (共催) |
2017-12-14 15:10 |
沖縄 |
アートホテル石垣島 |
190mVから昇圧可能な0.18um標準CMOSプロセスを用いたエネルギーハーベスティング向けCMOSゲート電圧2倍振幅スタートアップボルテージダブラー型チャージポンプ ○吉田穣理・宮地幸祐(信州大) CAS2017-91 ICD2017-79 CPSY2017-88 |
近年、バッテリーの電源が消失したときでも、室内光等の低電力ソースから電源供給を復帰させるコールドスタート機能を持ったIo... [more] |
CAS2017-91 ICD2017-79 CPSY2017-88 p.127 |
LQE, CPM, ED (共催) |
2017-12-01 13:20 |
愛知 |
名古屋工業大学 |
NO2ホールドーピング水素終端ダイヤモンドMOS FETのDCストレス評価 ○石松裕真・舟木浩祐・桝谷聡士・宮崎恭輔・大島孝仁・嘉数 誠・大石敏之(佐賀大) ED2017-63 CPM2017-106 LQE2017-76 |
ダイヤモンドは高周波かつ高出力デバイスへの応用が期待されており,これまでに水素終端やNO2 ホールドーピングにより高周波... [more] |
ED2017-63 CPM2017-106 LQE2017-76 pp.69-72 |
EMCJ, EMD (共催) |
2017-07-21 13:05 |
東京 |
機械振興会館 |
電気接点と半導体スイッチを用いたハイブリッド直流遮断器のシミュレーション ○中山恭太郎・全 俊豪・安岡康一(東工大) EMCJ2017-25 EMD2017-13 |
近年,直流送配電の需要増加に伴い,電気接点と半導体スイッチを並列に接続したハイブリッド直流遮断器が注目されている。筆者ら... [more] |
EMCJ2017-25 EMD2017-13 pp.1-6 |
MWP, OPE, EMT, MW, EST (共催) IEE-EMT (連催) [詳細] |
2017-07-21 13:30 |
北海道 |
帯広商工会議所 |
小型光ファイバ増幅器・ファイバレーザ実現に向けたEu-Alポリマーコンポジット添加光導波路の作製と評価 ○吉田百合重(慶大)・福井俊巳・三木 瞳(KRI)・石榑崇明(慶大) EMT2017-37 MW2017-62 OPE2017-42 EST2017-39 MWP2017-39 |
誘導放出により特定波長の光を増幅する希土類イオンは,ファイバ型光増幅器やファイバレーザなど様々な光増幅デバイスに利用され... [more] |
EMT2017-37 MW2017-62 OPE2017-42 EST2017-39 MWP2017-39 pp.177-182 |