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| 研究会 | 発表日時 | 開催地 | タイトル・著者 | 抄録 | 資料番号 | |
| ED, LQE, CPM (共催) |
2012-11-30 11:25 |
大阪 | 大阪市立大学 | Effects of internal fields and potential inhomogeneity on the lasing properties of InGaN-based green laser diodes fabricated on (0001) polar substrates ○Yoon Seok Kim（Kyout Univ.）・Akio Kaneta・Mitsuru Funato・Yoichi Kawakami（Kyoto Univ.）・Takashi Miyoshi・Shin-ichi Nagahama（Nichia）  ED2012-81 CPM2012-138 LQE2012-109 |
緑色領域でのレーザの開発がInGaNをベースとした材料系で進められている．とくに，従来用いられている(0001)極性面と... [more] | ED2012-81 CPM2012-138 LQE2012-109 pp.71-74 |
| OPE, LQE, OCS (共催) |
2012-10-25 17:00 |
宮崎 | ホテルメリージュ(宮崎) | 非相反双安定半導体レーザの発振状態制御に関する研究 ○田澤耕明・上原啓史・石坂大介・清水大雅（東京農工大） OCS2012-57 OPE2012-108 LQE2012-74 |
半導体光アイソレータは，強磁性金属の横磁気カー効果によって一方向伝搬特性を示す．特に，半導体光増幅器の利得が強磁性金属に... [more] | OCS2012-57 OPE2012-108 LQE2012-74 pp.81-85 |
| LQE, CPM, EMD, OPE, R (共催) |
2012-08-23 14:15 |
宮城 | 東北大学電気通信研究所 | AlGaInAs端面発光型レーザの信頼性向上 ○市川弘之・山崎靖夫・生駒暢之（住友電工） R2012-27 EMD2012-33 CPM2012-58 OPE2012-65 LQE2012-31 |
AlGaInAs端面発光型レーザは、光通信システムの光源として幅広く用いられているGaInAsP端面発光型レーザと比較し... [more] | R2012-27 EMD2012-33 CPM2012-58 OPE2012-65 LQE2012-31 pp.33-36 |
| LQE, CPM, EMD, OPE, R (共催) |
2012-08-24 13:35 |
宮城 | 東北大学電気通信研究所 | シリコン細線光導波路を用いた狭線幅波長可変レーザーの開発 ○北 智洋・根本景太・山田博仁（東北大） R2012-44 EMD2012-50 CPM2012-75 OPE2012-82 LQE2012-48 |
シリコン細線光導波路を用いたリング共振器波長フィルタを持つ狭線幅波長可変レーザーを作製した。半導体光増幅器と波長可変フィ... [more] | R2012-44 EMD2012-50 CPM2012-75 OPE2012-82 LQE2012-48 pp.111-114 |
| OPE, LQE (共催) EMD, CPM, OME (共催) (併催) [詳細] |
2012-06-22 09:55 |
東京 | 機械振興会館 | BeZnCdSe量子井戸を用いた緑色半導体レーザの高出力発振 ○藤崎寿美子・葛西淳一（日立）・秋本良一（産総研）・田中滋久・辻 伸二（日立）・挾間壽文・石川 浩（産総研） OPE2012-10 LQE2012-14 |
超小型プロジェクタなどのレーザディスプレイへの搭載を目的に，緑色半導体レーザの開発が盛んになっている．我々は，Beを導入... [more] | OPE2012-10 LQE2012-14 pp.5-8 |
| OPE, LQE (共催) EMD, CPM, OME (共催) (併催) [詳細] |
2012-06-22 14:15 |
東京 | 機械振興会館 | ［招待講演］半導体レーザと光集積回路の通信システム導入 ○河内正夫（NEL） OPE2012-15 LQE2012-19 |
本講演では，まず石英系光ファイバと半導体レーザの初期の研究開発の歩みを振り返り，それらがNTTの商用通信システムに導入さ... [more] | OPE2012-15 LQE2012-19 pp.27-32 |
| SDM | 2011-07-04 16:40 |
愛知 | 名古屋大学（ベンチャー・ビジネス・ラボラトリー） | グリーンレーザーによる積層構造シリコン薄膜の同時結晶化と薄膜デバイスへの応用 ○堀田昌宏（奈良先端大/JST）・山崎浩司・町田絵美（奈良先端大）・石河泰明・浦岡行治（奈良先端大/JST） SDM2011-68 |
ガラス基板上に形成された2層積層構造シリコン薄膜に対して, グリーンレーザーアニール(GLA)による同時結晶化を行った.... [more] | SDM2011-68 pp.103-108 |
| OPE, R, CPM (共催) |
2011-04-22 13:55 |
東京 | 機械振興会館 | 青色半導体レーザを用いたラインビーム生成 ○高橋健一郎・島川 修・蟹江智彦・井上 享（住友電工） R2011-3 CPM2011-3 OPE2011-3 |
本論文では、光強度が均一なビームサイズ10μm × 1,000μm, 波長445nmの青色ラインビーム生成方法を提案する... [more] | R2011-3 CPM2011-3 OPE2011-3 pp.11-14 |
| LQE | 2010-12-17 15:00 |
東京 | 機械振興会館 | 1.3ミクロン帯半導体レーザ基板用大型InGaAs単結晶の製造 ○木下恭一・依田眞一（JAXA）・青木拓克・山本 智・細川忠利・松島正明（フルウチ化学）・荒井昌和（NTT東日本）・川口悦弘（NEL）・狩野文良（NTT）・近藤康洋（NEL） LQE2010-123 |
半導体レーザの基板として均一組成の板状InxGa1-xAs (x: 0.10 – 0.13) 単結晶育成に世... [more] | LQE2010-123 pp.43-46 |
| LQE | 2010-12-17 16:50 |
東京 | 機械振興会館 | 端面非吸収窓構造を用いた超高出力青紫レーザ ○川口真生・春日井秀紀・左文字克哉・萩野裕幸・折田賢児・山中一彦・油利正昭・瀧川信一（パナソニック） LQE2010-127 |
GaN系材料を用いた高出力半導体レーザは、ディスプレイ、光記録、加工などの幅広いアプリケーションのキーデバイスとして期待... [more] | LQE2010-127 pp.59-62 |
| LQE | 2010-12-17 17:15 |
東京 | 機械振興会館 | 紫外短波長領域に向けたAlGaN半導体レーザ ○吉田治正・桑原正和・山下陽滋・内山和也・菅 博文（浜松ホトニクス） LQE2010-128 |
AlGaN系多重量子井戸型レーザダイオードの室温下でのパルス駆動によるレーザ発振を実証した．GaN/AlGaNおよびAl... [more] | LQE2010-128 pp.63-67 |
| LQE, OPE, OCS (共催) |
2010-10-28 15:05 |
福岡 | 門司港レトロ・港ハウス | ［招待講演］ECOC2010報告 ～ 光アクティブデバイス関連 ～ ○田中信介（富士通研） OCS2010-63 OPE2010-99 LQE2010-72 |
ECOC2010 (9月19～23日、トリノ)における、光アクティブデバイス（半導体レーザ・受光素子、半導体光変調器、半... [more] | OCS2010-63 OPE2010-99 LQE2010-72 pp.51-53 |
| OPE, EMT, LQE, PN, IEE-EMT (共催) |
2010-01-28 17:15 |
京都 | 京大桂キャンパス、Bクラスター事務管理棟 、大会議室_A会場、桂ラウンジ_B会場 | 1μm帯広帯域スーパールミネッセントダイオードと波長可変レーザ ○浅野英樹・向井厚史・矢口純也・大郷 毅（富士フイルム） PN2009-47 OPE2009-185 LQE2009-167 |
我々は光計測用途として1μm帯の広帯域なスーパールミネッセントダイオード及び波長可変レーザを開発した。広帯域化を実現する... [more] | PN2009-47 OPE2009-185 LQE2009-167 pp.65-69 |
| OPE | 2009-12-18 17:05 |
東京 | 機械振興会館 | Si導波路と集積化したオンチップ光配線デバイスの開発 ○小林賢太郎・大平和哉・飯塚紀夫・吉田春彦・江崎瑞仙（東芝） OPE2009-170 |
シリコンフォトニクス技術を活用したLSI 光配線の実現に向けて、Si チップ上に光導波路及び光機能デバイスの小型・集積化... [more] | OPE2009-170 pp.53-56 |
| LQE | 2009-12-11 11:00 |
東京 | 機械振興会館 地下3階2号室 | 端面発光型AlGaInAsレーザの端面応力が信頼性に及ぼす影響 ○市川弘之・熊谷安紀子・河野直哉・松川真治・福田智恵・岩井圭子・生駒暢之（住友電工） LQE2009-142 |
端面発光型レーザの信頼性を左右する指標の1つに、端面の応力が挙げられる。しかしながら、高速変調・高温動作に優れたAlGa... [more] | LQE2009-142 pp.19-23 |
| LQE | 2009-12-11 16:30 |
東京 | 機械振興会館 地下3階2号室 | レンズ集積技術を用いた1.3μm帯面型レーザおよびフォトダイオードの高効率ファイバ結合 ○篠田和典・足立光一朗・李 英根・塩田貴支・田中滋久（日立/光協会）・菅原俊樹・青木雅博（日立）・辻 伸二（日立/光協会） LQE2009-152 |
次世代光通信に求められる実装簡易性に優れた光素子の開発を目的として、光素子へのレンズ集積技術を検討した。集積レンズはIn... [more] | LQE2009-152 pp.71-74 |
| ED, LQE, CPM (共催) |
2009-11-19 15:45 |
徳島 | 徳島大学（常三島キャンパス・工業会館） | AlGaN系多重量子井戸型紫外レーザダイオード ○吉田治正・桑原正和・山下陽滋・高木康文・内山和也・菅 博文（浜松ホトニクス） ED2009-141 CPM2009-115 LQE2009-120 |
AlGaN系多重量子井戸型レーザダイオードの室温下でのパルス駆動によるレーザ発振を実証した．GaN/AlGaNおよびAl... [more] | ED2009-141 CPM2009-115 LQE2009-120 pp.61-64 |
| OPE, OME (共催) |
2009-11-13 15:40 |
東京 | 機械振興会館 | SOI導波路基板上へのLDチップ実装方法に関する検討 ○阿部政浩（東北大）・宮村悟史・中村幸治（OKI）・北 智洋・大寺康夫・山田博仁（東北大） OME2009-63 OPE2009-158 |
SOI光集積プラットフォーム上に，半導体レーザ(LD)やフォトダイオード(PD)を集積化する技術が求められている．本論文... [more] | OME2009-63 OPE2009-158 pp.55-60 |
| OPE, LQE, OCS (共催) |
2009-10-22 09:00 |
福岡 | 九州大学 | 横モード間双安定を用いたアクティブMMIによる光RAM用2bit集積メモリ素子 ○姜 海松・ハニー・アヤド バスタワロス・田原裕一朗（九大）・松尾慎治（NTT）・浜本貴一（九大） OCS2009-41 OPE2009-107 LQE2009-66 |
光RAM用のメモリ素子の高集積化を実現するには、小型化•低動作電流に加えて、全素子が同一電流で駆動できるため... [more] | OCS2009-41 OPE2009-107 LQE2009-66 pp.1-5 |
| OFT | 2009-05-28 13:00 |
静岡 | 住友電気工業?南箱根セミナーハウス | 青紫半導体レーザーの歯科治療への応用 ○畑山 均・村上 孝・柏田智徳・井上 享（住友電工）・宮崎英隆・加藤純二（東京医科歯科大） OFT2009-1 |
近年、GaN系青紫半導体レーザーの高出力化が進んでいる。青紫半導体レーザーの波長（405nm）は従来の半導体レーザーに比... [more] | OFT2009-1 pp.1-6 |
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