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| 研究会 | 発表日時 | 開催地 | タイトル・著者 | 抄録 | 資料番号 | |
| ED | 2016-12-19 14:40 |
宮城 | 東北大通研ナノ・スピン棟 | InP HEMTの低温DC・RF特性に関するドレイン側リセス長の影響 ○遠藤 聡・渡邊一世・笠松章史（NICT）・高橋 剛・芝 祥一・中舍安宏・岩井大介（富士通研）・三村高志（富士通研/NICT）  ED2016-81 |
InP系75-nmゲートIn0.52Al0.48As/In0.63Ga0.37As HEMTの温度300及び16 Kにお... [more] | ED2016-81 pp.7-12 |
| ED | 2015-12-21 13:45 |
宮城 | 東北大通研ナノ・スピン棟 | InP HEMTの低温DC・RF特性に関する温度依存性 ○遠藤 聡（NICT/富士通研）・渡邊一世・笠松章史（NICT）・高橋 剛・芝 祥一・中舍安宏・岩井大介（富士通研）・三村高志（富士通研/NICT） ED2015-92 |
75 nmゲートInP系In0.52Al0.48As/In0.63Ga0.37As HEMTのDC・RF特性を，温度30... [more] | ED2015-92 pp.7-11 |
| ED | 2014-12-22 14:35 |
宮城 | 東北大学電気通信研究所 片平北キャンパス ナノ・スピン総合研究棟 | 90GHz帯におけるInGaAs/InAlAs HEMTの出力特性 ○渡邊一世（NICT）・遠藤 聡（NICT/富士通研）・笠松章史（NICT）・三村高志（NICT/富士通研） ED2014-101 |
InGaAs/InAlAs系高電子移動度トランジスタ（HEMT）は，高速・高周波・低雑音特性に優れるだけでなく，ミリ波帯... [more] | ED2014-101 pp.15-19 |
| PN | 2013-11-11 14:00 |
東京 | 早稲田大学 西早稲田キャンパス | Non-blocking 8x8 InAlGaAs/InAlAsマッハツェンダ型光スイッチの小型化・高速動作の実現 ○纐纈博岐・川崎祥子・小山慶晃（早大）・武井亜紀・谷口隆文（日立）・松島裕一・宇高勝之（早大） PN2013-24 |
次世代の光ネットワークでは、光信号の経路を光のまま切り替える高速な光スイッチが不可欠である。我々は、InAlGaAs/I... [more] | PN2013-24 pp.1-4 |
| LQE, OPE (共催) |
2013-06-21 14:00 |
東京 | 機械振興会館 | GaAs基板上メタモルフィックInAlAsによるMSM型光検出器のGHz応答 ○前北和晃・丸山武男・飯山宏一（金沢大）・鈴木寿一（北陸先端大） OPE2013-10 LQE2013-20 |
GaAs基板上にメタモルフィック結晶成長させたInAlAs層を用いたMSM光検出器を作製し，波長0.8 $mu$m帯での... [more] | OPE2013-10 LQE2013-20 pp.19-22 |
| PN | 2012-03-12 14:55 |
長崎 | 五島市IT振興センター | ［奨励講演］InAlGaAs/InAlAsマッハツェンダー干渉計型高速光スイッチのカスケード接続による4 x 4光スイッチの低消費電力・低偏光依存動作の実現 ○上田悠太・小山慶晃・上林和樹・藤本信二・宇高勝之（早大）・塩田貴支・北谷 健（日立） PN2011-89 |
次世代の光ネットワークでは、光パケット信号の経路を光のまま切り替える高速な光スイッチが不可欠である。我々は、InAlGa... [more] | PN2011-89 pp.43-47 |
| ED | 2011-07-30 14:45 |
新潟 | 長岡技術科学大学マルチメディアシステムセンター | 高In組成InGaAsInAlAs 2次元電子ガス2層系のサブバンド構造とスピン軌道相互作用の解析 赤堀誠志・片山智之・森本幸作・岩瀬比宇麻・○山田省二（北陸先端大） ED2011-57 |
高In組成 InGaAs/InAlAsヘテロ接合では強いRashba型（構造依存の）スピン軌道相互作用を示す2次元電子ガ... [more] | ED2011-57 pp.103-108 |
| PN | 2011-03-01 12:40 |
鹿児島 | KKR鹿児島敬天閣 | InAlGaAs/InAlAsマッハツェンダー干渉計型高速光スイッチのカスケード接続による4 x 4光スイッチの低消費電力・低偏光依存動作の実現 ○上田悠太・小山慶晃・上林和樹・藤本信二・宇高勝之（早大）・塩田貴支・北谷 健（日立） PN2010-71 |
次世代の光ネットワークでは、光パケット信号の経路を光のまま切り替える高速な光スイッチが不可欠である。我々は、InAlGa... [more] | PN2010-71 pp.77-80 |
| MW, ED (共催) |
2009-01-15 14:50 |
東京 | 機械振興会館 | ミリ波集積回路用InP系HEMTの高周波・低雑音特性 ○渡邊一世・遠藤 聡（NICT）・三村高志（NICT/富士通研）・松井敏明（NICT） ED2008-214 MW2008-179 |
InP系高電子移動度トランジスタ(HEMT)はミリ波帯(30-300 GHz)及びサブミリ波帯(300 GHz-3 TH... [more] | ED2008-214 MW2008-179 pp.95-99 |
| ED | 2008-12-19 15:05 |
宮城 | 東北大学電気通信研究所 | InAlAs/In0.7Ga0.3As系HEMTの極低温下における超高速動作 ○遠藤 聡・渡邊一世（NICT）・篠原啓介（NICT/HRL Labs.）・三村高志（NICT/富士通研）・松井敏明（NICT） ED2008-187 |
ゲート長Lg=50～700 nmを有するIn0.52Al0.48As/In0.7Ga0.3As系HEMTのDC・RF特性... [more] | ED2008-187 pp.15-20 |
| LQE, CPM, EMD, OPE (共催) |
2008-08-29 10:55 |
宮城 | 東北大学 | 光通信用ガードリングフリーInAlAs APD ○中路雅晴・石村栄太郎・柳生栄治・見上洋平・庵原 晋・青柳利隆・吉新喜市・石川高英（三菱電機） EMD2008-49 CPM2008-64 OPE2008-79 LQE2008-48 |
我々は、過剰雑音が少なく、信頼性に優れた10Gbps光通信用及び2.5Gbps光通信用ガードリングフリーInAlAs-A... [more] | EMD2008-49 CPM2008-64 OPE2008-79 LQE2008-48 pp.89-92 |
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