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| 研究会 | 発表日時 | 開催地 | タイトル・著者 | 抄録 | 資料番号 | |
| LQE, CPM, ED (共催) |
2020-11-26 13:50 |
ONLINE | オンライン開催 | ALDにより成膜したSiO2/Al2O3 2層絶縁膜を用いたAlGaN/GaN MIS-HEMTの電気特性評価 ○横井駿一・久保俊晴・江川孝志（名工大）  ED2020-8 CPM2020-29 LQE2020-59 |
SiO2はバンドギャップが約9eVと大きいため、原子層堆積(ALD)によってAl2O3とSiO2との2層絶縁膜を形成する... [more] | ED2020-8 CPM2020-29 LQE2020-59 pp.29-32 |
| LQE, CPM, ED (共催) |
2020-11-26 15:50 |
ONLINE | オンライン開催 | Mist-CVD法によるAl2O3絶縁膜を用いたAlGaN/GaN MIS-HEMTの電気特性 ○ロー ルイ シャン・永瀬 樹・バラトフ アリ・アスバル ジョエル タクラ・徳田博邦（福井大）・葛原正明（関西学院大）・谷田部然治・内藤健太・本山智洋・中村有水（熊本大） ED2020-13 CPM2020-34 LQE2020-64 |
近年、ミスト化学気相成長（mist-CVD）法を用いて原子層堆積法と同等の膜質を有する Al2O3アモルファス薄膜の形成... [more] | ED2020-13 CPM2020-34 LQE2020-64 pp.49-52 |
| LQE, CPM, ED (共催) |
2020-11-27 11:20 |
ONLINE | オンライン開催 | AlGaN/GaN SG-HEMTと比べてMIS-HEMTの優れた高周波特性に関する研究 ○バラトフ アリ・小澤渉至・山下隼平・アスバル ジョエル タクラ・徳田博邦（福井大）・葛原正明（関西学院大） ED2020-16 CPM2020-37 LQE2020-67 |
小信号特性の場合にはMIS構造がSG構造より優れた特性を示していることを複数の研究者から報告されている。しかし、大信号特... [more] | ED2020-16 CPM2020-37 LQE2020-67 pp.60-62 |
| WPT, EE (併催) |
2020-10-07 13:40 |
ONLINE | オンライン開催 | ノーマリオフGaN HEMTを用いたレクテナ用ゲーテッドアノード型ダイオードの電気的特性 ○高橋英匡・安藤裕二（名大）・土屋洋一・分島彰男（名工大）・林 宏暁・柳生栄治（三菱電機）・桔川洸一・坂井尚貴・伊東健治（金沢工大）・須田 淳（名大） WPT2020-19 |
無線電力伝送用デバイスとして、ノーマリオフ型のGaN HEMTのゲート電極とオーミック電極を短絡したゲーテッドアノード型... [more] | WPT2020-19 pp.1-5 |
| MW, AP (併催) |
2020-09-24 15:00 |
ONLINE | オンライン開催 | パッシブ動作E-pHEMTを用いる5.8GHz帯大電力整流器MMIC ○小松郁弥・坂井尚貴・伊東健治（金沢工大） MW2020-35 |
ここでは，パッシブ動作E-pHEMTを用いる整流用ダイオードによる5.8GHz帯大電力整流器MMICについて報告する．ノ... [more] | MW2020-35 pp.1-6 |
| EMT, MW, OPE, EST, MWP (共催) THz, IEE-EMT (連催) ※学会内は併催 [詳細] |
2020-07-17 14:15 |
ONLINE | オンライン開催 | OAM通信用ループアンテナを直接平衡励振する直列接続型高調波処理GaN HEMTドハティ増幅器の検討 ○中田将大・高山洋一郎・石川 亮・本城和彦（電通大） EMT2020-24 MW2020-33 OPE2020-19 EST2020-24 MWP2020-24 |
直列接続型ドハティ増幅器の直列結合に利用するバランを省略し，軌道角運動量（OAM）通信用平衡励振ループアンテナをダイレク... [more] | EMT2020-24 MW2020-33 OPE2020-19 EST2020-24 MWP2020-24 pp.101-106 |
| MW, WPT (共催) |
2020-04-23 16:30 |
ONLINE | オンライン開催 | パワーアンプとアンテナの一体化設計 ○鈴木麻子（名大）・伴 駿矢・大島尭隻・平山 裕（名工大）・原 信二（名大） WPT2020-10 MW2020-10 |
マイクロ波を利用した無線電力伝送 にお け る 送電 側 効率 を 高効率化 する方法 を提案する 。トランジスタ の最... [more] | WPT2020-10 MW2020-10 pp.51-54 |
| ED, MW (共催) |
2020-01-31 16:00 |
東京 | 機械振興会館 地下3階6号室 | 注入ゲート導入型ノーマリオフFloating Gate GaN HEMTの動作原理と構造 ○南雲謙志・木本大幾・諏訪智之（東北大）・寺本章伸（広島大）・白田理一郎・高谷信一郎（国立交通大）・黒田理人・須川成利（東北大） ED2019-104 MW2019-138 |
ノーマリオフを達成する構造として従来のFloating Gate型に新たに電荷注入用の注入ゲートを設けた構造のGaN高電... [more] | ED2019-104 MW2019-138 pp.55-58 |
| ED, MW (共催) |
2020-01-31 16:35 |
東京 | 機械振興会館 地下3階6号室 | ［招待講演］ミリ波・サブミリ波帯無線通信に向けた化合物半導体電子デバイスおよび高周波計測技術 ○渡邊一世・山下良美・笠松章史（NICT） ED2019-105 MW2019-139 |
窒化ガリウム（GaN）系高電子移動度トランジスタ（HEMT）等の化合物半導体電子デバイスは，周波数100 GHz以上で動... [more] | ED2019-105 MW2019-139 pp.59-64 |
| ED, THz (共催) [詳細] |
2019-12-23 16:20 |
宮城 | 東北大学・電気通信研究所 | テラヘルツ動作IC実現に向けたInPウェハレベル裏面配線プロセス ○堤 卓也・濱田裕史・杉山弘樹・野坂秀之・松崎秀昭（NTT） ED2019-82 |
近年InP-HEMT やInP-HBT によるサブミリ波帯集積回路(SMMIC: Submillimeter-wave ... [more] | ED2019-82 pp.23-28 |
| ED, THz (共催) [詳細] |
2019-12-23 16:45 |
宮城 | 東北大学・電気通信研究所 | 歪みAl0.40In0.60Sb/Al0.25In0.75Sbステップバッファを用いたGaInSb n-チャネルHEMT ○大澤幸希・岩木拓也・遠藤勇輝・平岡瑞穂・岸本尚之・林 拓也（東京理科大）・渡邊一世（NICT/東京理科大）・山下良美・原 紳介・後藤高寛・笠松章史（NICT）・遠藤 聡・藤代博記（東京理科大） ED2019-83 |
我々は，世界初となるGaInSb n-チャネルHEMTの作製に成功し，これらのHEMTの特性を評価した．我々が以前に作製... [more] | ED2019-83 pp.29-32 |
| ED, THz (共催) [詳細] |
2019-12-24 10:05 |
宮城 | 東北大学・電気通信研究所 | 格子ゲート構造プラズモニックTHzディテクタのゲート電極からの光電流出力に関する検討 ○齋藤 琢・鈴木雅也・細谷友崇・尾辻泰一（東北大）・瀧田佑馬・伊藤弘昌・南出泰亜（理研）・佐藤 昭（東北大） ED2019-88 |
我々は室温動作・高感度・高速応答可能な高感度THz検出素子として期待される、格子ゲート構造プラズモニックTHzディテクタ... [more] | ED2019-88 pp.49-52 |
| CPM, LQE, ED (共催) |
2019-11-21 13:55 |
静岡 | 静岡大学（浜松） | ALDにより成膜したSiO2/Al2O3 2層絶縁膜を用いたAlGaN/GaN MIS-HEMTのデバイス特性評価 ○横井駿一・古岡啓太・久保俊晴・江川孝志（名工大） ED2019-41 CPM2019-60 LQE2019-84 |
SiO2はバンドギャップが約9 eVと大きいため、原子層堆積(ALD)によってAl2O3とSiO2との2層絶縁膜を形成す... [more] | ED2019-41 CPM2019-60 LQE2019-84 pp.37-40 |
| MW | 2019-11-14 15:35 |
沖縄 | 南大東村多目的交流センター | 高調波処理を含めた二入力電力レベル最適化による高効率GaNHEMTドハティ増幅器 ○瀬下拓也・高山洋一郎・石川 亮・本城和彦（電通大） MW2019-106 |
次世代通信システムの実現に向けて，電力増幅器は更なる高効率· 高機能化が求められている．通信システムの高度化に伴い，基地... [more] | MW2019-106 pp.35-39 |
| MW | 2019-11-14 16:00 |
沖縄 | 南大東村多目的交流センター | スプリアス抑圧回路とインピーダンス変換回路にT型スタブを用いた高効率ドハティ増幅器 ○髙木裕貴・長谷川直輝・太田喜元（ソフトバンク）・石川 亮・本城和彦（電通大） MW2019-107 |
近年の移動体通信システムの高速・大容量化に伴い, 移動体通信で使用する周波数帯は従来の低SHF 帯に加えて, 準ミリ波帯... [more] | MW2019-107 pp.41-46 |
| MW, ED (共催) |
2019-01-17 15:00 |
東京 | 日立中研 | ピットアシストオーミック技術によるInAlGaN/GaN HEMTの性能向上 ○熊崎祐介・尾崎史朗・美濃浦優一・牧山剛三・多木俊裕・岡本直哉・中村哲一（富士通研） ED2018-77 MW2018-144 |
InAlGaN/GaN HEMTのコンタクト抵抗低減を目的として，オーミック金属/InAlGaN界面にピット構造を導入す... [more] | ED2018-77 MW2018-144 pp.51-54 |
| MW, ED (共催) |
2019-01-18 10:40 |
東京 | 日立中研 | 高温動作時のGaN-HEMTの故障モード分析 ○四田泰代（住友電工デバイス・イノベーション）・舘野泰範・米村卓巳・古川将人・山本 洋（住友電工）・野瀬幸則・清水 聡（住友電工デバイス・イノベーション） ED2018-81 MW2018-148 |
本研究の目的は，高温通電試験におけるGaN-HEMTの閾値電圧変動の原因について，デバイス内部の応力・結晶歪に着目し，シ... [more] | ED2018-81 MW2018-148 pp.67-70 |
| MW, ED (共催) |
2019-01-18 11:05 |
東京 | 日立中研 | 高温信頼度試験におけるGaN-HEMTのパルスI-V特性劣化メカニズムの解析 ○舘野泰範（住友電工）・四田泰代（住友電工デバイス・イノベーション）・山本 洋・中林隆志（住友電工） ED2018-82 MW2018-149 |
高温保存試験におけるGaN-HEMTのパルスI-V特性変化の物理的メカニズムについて解析を行った. GaN-HEMTに高... [more] | ED2018-82 MW2018-149 pp.71-74 |
| ED, THz (共催) |
2018-12-18 09:00 |
宮城 | 東北大・通研 | ［招待講演］InP系、Sb系及びGaN系HEMTの高速化 ○遠藤 聡・渡邊一世・山下良美・笠松章史（NICT）・藤代博記（東京理科大）・三村高志（NICT） ED2018-62 |
我々は，電子ビーム露光法を用いて微細ゲートを有するInP系，Sb系及びGaN系HEMTを作製し，これらのHEMTの特性を... [more] | ED2018-62 pp.35-38 |
| ED, LQE, CPM (共催) |
2018-11-30 09:25 |
愛知 | 名古屋工業大学 | ALD-Al2O3/AlGaN/GaN MIS-HEMTの電気特性に及ぼすアニール雰囲気の効果 ○古岡啓太・久保俊晴・三好実人・江川孝志（名工大） ED2018-42 CPM2018-76 LQE2018-96 |
AlGaN/GaN HEMT構造表面に界面準位等の電子捕獲準位の少ない絶縁膜を成膜することは難しく、ゲートリーク電流や閾... [more] | ED2018-42 CPM2018-76 LQE2018-96 pp.45-48 |
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