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| 研究会 | 発表日時 | 開催地 | タイトル・著者 | 抄録 | 資料番号 | |
| SDM | 2014-11-06 10:05 |
東京 | 機械振興会館 | 非対称ダブル・ゲート横型トンネルFETの解析モデル ○呂 鴻飛・佐藤伸吾・大村泰久（関西大）・アブヒジット マリック（カルカッタ大）  SDM2014-96 |
本論文では非対称Double-Gate Tunnel FET(ADG-TFET)の解析ポテンシャルモデルを報告する。チャ... [more] | SDM2014-96 pp.1-6 |
| ICD, SDM (共催) |
2014-08-04 13:05 |
北海道 | 北海道大学 情報教育館（札幌市） | ［招待講演］急峻スイッチング素子の研究動向とTFETにおけるオン電流向上策 ○森 貴洋・森田行則・右田真司・水林 亘・福田浩一・宮田典幸・安田哲二・昌原明植・太田裕之（産総研） SDM2014-67 ICD2014-36 |
低電圧動作可能な急峻スイッチング素子が注目を集めている。本論文では急峻スイッチング素子の研究動向を概観する。その中でも最... [more] | SDM2014-67 ICD2014-36 pp.29-34 |
| IEIJ-SSL, SID-JC (共催) EID, ITE-IDY, IEE-EDD (連催) [詳細] |
2014-01-25 11:06 |
新潟 | 新潟大学 駅南キャンパス | 有機薄膜トランジスタにおける電界効果移動度の温度依存性の考察 ○松本竜也・金 丞謙・服部励治（九大） EID2013-29 |
有機薄膜トランジスタにおける有機半導体層へのキャリア注入機構を明らかとするため，電界効果移動度と，有機半導体と金属電極と... [more] | EID2013-29 pp.117-120 |
| ED, MW (共催) |
2014-01-16 11:45 |
東京 | 機械振興会館 | Siイオン注入を用いて作製したディプレッション型酸化ガリウムMOSFET ○東脇正高（NICT）・佐々木公平（タムラ製作所/NICT）・ワン マンホイ・上村崇史・ダイワシガマニ キルシナムルティ（NICT）・倉又朗人（タムラ製作所）・増井建和（光波）・山腰茂伸（タムラ） ED2013-116 MW2013-181 |
我々は，新たに開発したSiイオン注入技術を用いてディプレッション型Ga2O3 MOSFETを作製した．今回作製したデバイ... [more] | ED2013-116 MW2013-181 pp.35-39 |
| ED, MW (共催) |
2014-01-17 09:30 |
東京 | 機械振興会館 | 低転位GaN基板上縦型ショットキバリアダイオードとHFETの特性評価 ○吉本 晋・石原邦亮・岡田政也・住吉和英・平野英則・三橋史典・善積祐介・石塚貴司・木山 誠・上野昌紀（住友電工） ED2013-124 MW2013-189 |
窒化ガリウム(GaN)パワーデバイスは、GaN基板を用いた縦型構造を採用することで、コラプス抑制や低オン抵抗、また高い面... [more] | ED2013-124 MW2013-189 pp.79-84 |
| OME | 2013-10-11 10:40 |
大阪 | 阪大中之島センター | 有機トランジスタを使用したRFID用アクティブアンテナの作製 ○長谷川 奨・磯田俊介・橋詰貴裕・山内 博・國吉繁一・酒井正俊・工藤一浩・飯塚正明（千葉大） OME2013-53 |
本研究では、低コストな印刷プロセスに向けたRFIDタグの作製に向け、段差型有機トランジスタとアンテナを一体化したRFID... [more] | OME2013-53 pp.11-16 |
| SDM, ICD (共催) |
2013-08-01 09:25 |
石川 | 金沢大学 角間キャンパス | 合成電界効果によるトンネルトランジスタの性能向上 ○森田行則・森 貴洋・右田真司・水林 亘・田邊顕人・福田浩一・遠藤和彦・松川 貴・大内真一・柳 永シュン・昌原明植・太田裕之（産総研） SDM2013-66 ICD2013-48 |
トンネル電界効果トランジスタ (TFET) の特性を改善する新規なチャネル構造および電極構造を備えた合成電界TFETを提... [more] | SDM2013-66 ICD2013-48 pp.7-12 |
| ED | 2013-04-19 09:50 |
宮城 | 東北大学電通研 片平北キャンパス ナノ・スピン総合研究棟4階 カンファレンスルーム | P3HT膜の電界効果移動度に及ぼす熱処理過程の影響 ○飯野祥平・但木大介・馬 騰・張 普逾・木村康男・庭野道夫（東北大） ED2013-11 |
P3HTを用いた有機電界効果トランジスタは熱処理により移動度が向上することが知られているが、除冷の効果についてはほとんど... [more] | ED2013-11 pp.41-44 |
| OME | 2013-03-08 14:00 |
東京 | 機械振興会館 B1-2 | 新しい有機半導体分子の設計と有機電界効果トランジスタへの応用 ○中野幸司（東京農工大/JST）・茶山奈津子・チョン ミンアン・児玉俊輔・野崎京子（東大） OME2012-108 |
新しい有機半導体材料の開発を目指し，フラン環が縮環骨格に組み込まれたヘテロアセン，ジベンゾ[d,d']ベンゾ[1,2-b... [more] | OME2012-108 pp.13-16 |
| OME, OPE (共催) |
2012-11-16 13:55 |
東京 | 機械振興会館 | EFI-SHG法によるフレキシブル有機トランジスタの特性評価 ～ 曲げ変形の効果 ～ ○阿部洋平・田口 大・間中孝彰・岩本光正（東工大） OME2012-57 OPE2012-129 |
有機半導体層をtips-pentacene、ゲート絶縁膜をポリイミドとしたフレキシブルトランジスタを作製し、曲げ変形によ... [more] | OME2012-57 OPE2012-129 pp.13-18 |
| ED | 2012-07-27 11:50 |
福井 | 福井大学 文京キャンパス産学官連携本部３Ｆ研修室 | ダイヤモンドライクカーボン絶縁膜を用いたグラフェンFET ○鷹林 将・楊 猛・小川修一・林 広幸・栗田裕記・高桑雄二・末光哲也・尾辻泰一（東北大） ED2012-53 |
ダイヤモンドライクカーボン(DLC)トップゲート絶縁膜を有するグラフェンチャネル電界効果トランジスタ(DLC-GFET)... [more] | ED2012-53 pp.67-72 |
| SDM, ED (共催) (ワークショップ) |
2012-06-27 11:45 |
沖縄 | 沖縄県青年会館 | ［招待講演］Plasmonic Terahertz Wave Detectors Based on Silicon Field-Effect Transistors ○Kyung Rok Kim・Min Woo Ryu・Sunhae Shin・Hee Cheol Hwang・Kibog Park（UNIST） |
We report the first implementation of a modeling and simulat... [more] | |
| SDM, ED (共催) (ワークショップ) |
2012-06-27 13:15 |
沖縄 | 沖縄県青年会館 | Investigation and Optimization of the n-channel and p-channel L-shaped Tunneling Field-Effect Transistors ○Sang Wan Kim（Seoul National Univ.）・Woo Young Choi（Sogang Univ.）・Min-Chul Sun・Hyun Woo Kim・Byung-Gook Park（Seoul National Univ.） |
Tunneling field-effect transistors (TFETs) have been regarde... [more] | |
| SDM, ED (共催) (ワークショップ) |
2012-06-27 16:15 |
沖縄 | 沖縄県青年会館 | The study on A Novel Asymmetric Poly-Si Thin Film Transistor With Low Drain Electric Field ○Meng-Shan Chi・Tzung-Ju Lin・Feng-Tso Chien（Feng Chia Univ.）・Chii-Wen Chen（Minghsin Univ.） |
We propose a asymmetric poly-Si thin film transistor with a ... [more] | |
| SDM, ED (共催) (ワークショップ) |
2012-06-28 10:40 |
沖縄 | 沖縄県青年会館 | ［ポスター講演］Rigorous Design for Gate-Dielectric and n-Pocket Region of Tunneling Field-Effect Transistors and Its High Performances. ○Jae Hwa Seo・Jae Sung Lee・Yun Soo Park・Jung-Hee Lee・In Man Kang（Kyunpook Nat'l Univ.） |
A gate-all-around tunneling field-effect transistor (GAA TFE... [more] | |
| MBE, NC (併催) |
2012-03-15 10:40 |
東京 | 玉川大学 | 強誘電体ゲートトランジスタを用いたシナプス素子におけるSTDP機能の実証 ○西谷 雄・金子幸広・上田路人（パナソニック）・森江 隆（九工大）・藤井映志（パナソニック） NC2011-156 |
[more] | NC2011-156 pp.203-207 |
| ED, SDM (共催) |
2012-02-07 14:35 |
北海道 | 北海道大学 百年記念会館 | KFM observation of individual dopant potentials and electron charging ○Roland Nowak・Miftahul Anwar・Daniel Moraru・Takeshi Mizuno（Shizuoka Univ.）・Ryszard Jablonski（Warsaw Univ. of Tech.）・Michiharu Tabe（Shizuoka Univ.） ED2011-144 SDM2011-161 |
We utilize Kelvin probe force microscope (KFM) to measure su... [more] | ED2011-144 SDM2011-161 pp.13-18 |
| ED, MW (共催) |
2012-01-12 15:35 |
東京 | 機械振興会館 | Si基板上AlGaN/GaN HFETの高出力・高利得化に向けたフィールドプレート設計 ○中澤敏志・鶴見直大・西嶋将明・按田義治・石田昌宏・上田哲三・田中 毅（パナソニック） ED2011-139 MW2011-162 |
Si基板上AlGaN/GaN HFETの高出力化および高利得化に向けてフィールドプレート構造を適用し、小信号RF特性から... [more] | ED2011-139 MW2011-162 pp.111-115 |
| OME | 2011-12-21 16:10 |
東京 | 機械振興会館 | グラフェン塗布電極を用いた有機FETの作製と評価 ○菅沼洸一（埼玉大）・斉木幸一朗（東大）・後藤拓也（三菱ガス化学）・上野啓司（埼玉大） OME2011-72 |
酸化剥離法により合成された酸化グラフェン溶液を用い，溶液塗布プロセスによる有機FET素子の電極形成を行った。作製したグラ... [more] | OME2011-72 pp.35-39 |
| ED | 2011-12-14 14:05 |
宮城 | 東北大学 電気通信研究所 片平キャンパス内 ナノ・スピン総合研究棟 | 薄層AlGaN障壁層を有するAlGaN/GaNヘテロ構造電界効果トランジスタの小信号および30 GHzパワー特性 ～ AlGaN障壁層薄層化の影響 ～ ○東脇正高（NICT/JST）・Yi Pei・Rongming Chu・Umesh K. Mishra（カリフォルニア大サンタ・バーバラ校） ED2011-102 |
ミリ波応用を念頭においた、非常に薄いAlGaN障壁層を有する短ゲートAlGaN/GaNヘテロ構造トランジスタ(HFET)... [more] | ED2011-102 pp.13-17 |
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