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研究会 発表日時 開催地 タイトル・著者 抄録 資料番号
MW 2015-12-18
11:40
東京 東京理科大 葛飾キャンパス kHz帯磁界共鳴電力伝送における回路不整の影響に関する検討
青木勝義呉高専)・勝代健次広島大)・山野上耕一今仙電機製作所)・黒木太司呉高専MW2015-152
電気自動車への非接触給電としては、80kHzあるいは140kHzの周波数を用いた磁気誘導方式が種々研究されている。非接触... [more] MW2015-152
pp.109-112
WPT 2015-06-12
13:45
東京 東京大学 磁界共振結合型無線電力伝送に向けた誘電体を装荷した自己共振型小型共振器の開発
拮石真一郎辻村善徳日本特殊陶業)・居村岳広東大WPT2015-24
コイルの巻線間に誘電体を装荷することで大きな浮遊容量を形成し,外部コンデンサを不要とする小型共振器を開発した.誘電体は電... [more] WPT2015-24
pp.19-24
US 2015-05-25
16:15
東京 機械振興会館 圧電素子の感度を静電容量から計測する方法
宇田川義夫isl)・石河睦生桐蔭横浜大)・三原 毅東北大US2015-15
低周波と共振周波数より高い周波数での容量を測定する事により圧電振動子の感度(K^2相当)を計測する方法の理論と実測結果を... [more] US2015-15
pp.35-38
WPT, MW
(共催)
2015-04-17
09:55
東京 機械振興会館 距離依存性の少ない電界結合共振型無線電力伝送の検討
難波隆一楳田洋太郎小澤佑介東京理科大WPT2015-9 MW2015-9
近年,ユビキタス社会の実現に向けてコードレスで電子機器に高い効率で電力を供給する共振型無線電力伝送技術が注目されている.... [more] WPT2015-9 MW2015-9
pp.45-50
MRIS, ITE-MMS
(連催)
2014-12-11
14:25
愛媛 愛媛大学 アクチュエータグランディング構造による共振現象と再生ヘッドの雑音感度による信号再生系への漏れこみについて
西山延昌長岡和洋HGST)・井戸立身日立)・曽我雄二HGSTMR2014-31
アクチュエータグランディングが不十分な場合における現象と再生系への影響を検証した。評価の結果、以下のことがわかった。アク... [more] MR2014-31
pp.17-21
EE, WPT
(併催)
2014-11-18
15:40
京都 同志社大学 共振電界結合の低周波化に向けた検討
梅上大勝服部文哉山本真義島根大)・楠 正弘増田 満古河電工WPT2014-56
電界結合型の非接触給電において中距離での電力伝送を実現できることが報告されている。電界結合型は構造的に容量を大きくするこ... [more] WPT2014-56
pp.33-36
CPM 2014-10-24
13:00
長野 信州大学工学部 地域共同研究センター3階研修 キャンパスマップ17番 密度汎関数法による含窒素カーボンのイオン吸着能の解析
杉澤智亮岩切大輔位田裕基松井佑樹梶浦良紀田中義也林 卓哉村松寛之信州大CPM2014-103
含窒素炭素材料は電気二重層キャパシタ(Electric Double Layer Cpacitor : EDLC)の電極... [more] CPM2014-103
pp.11-12
CPM 2014-10-25
10:40
長野 信州大学工学部 地域共同研究センター3階研修 キャンパスマップ17番 カップ積層型カーボンナノチューブを用いた電気二重層キャパシタの特性評価
町田 匡石田誠顕金山尚人小林謙作平良大幸國枝義宏布廣祥平林 卓哉村松寛之信州大CPM2014-117
電気二重層キャパシタ(Electric Double Layer Capacitor : EDLC) は急速充放電が可能... [more] CPM2014-117
pp.61-62
CS, CAS, SIP
(共催)
2014-03-07
10:55
大阪 大阪市立大学 学術情報総合センター 過熱水蒸気の温度・湿度センシングのための保水制御 ~ 局部静電容量による湿潤状態検出に基づく制御と安定化 ~
宮脇 望森川暉大辻岡哲夫三浦孝平松本泰希伊與田浩志阪市大)・田中倫明北村治雄宮川化成CAS2013-126 SIP2013-172 CS2013-139
近年,乾燥や殺菌,調理などの分野において,過熱水蒸気の利用が拡大している.過熱水蒸気を利用する加工装置では,気流温度とと... [more] CAS2013-126 SIP2013-172 CS2013-139
pp.211-215
EMD, CPM, OME
(共催)
2013-06-21
14:40
東京 機械振興会館 ハンマリング加振機構および微摺動機構による電気接点の劣化現象 ~ ハンマリング加振機構の特性に関する基礎的検討(27) ~
和田真一越田圭治益田直樹柳 国男久保田洋彰TMCシステム)・澤 孝一郎日本工大EMD2013-17 CPM2013-32 OME2013-40
著者らは,いくつかの加振機構(ハンマリング加振機構,微摺動機構,タッピング・デバイスなど)により,実際の微小振動による電... [more] EMD2013-17 CPM2013-32 OME2013-40
pp.55-60
SDM 2013-06-18
11:15
東京 機械振興会館 InGaAs MOSゲートスタック電気特性に与えるメタルゲート電極の影響
張 志宇横山正史金 相賢東大)・市川 磨長田剛規秦 雅彦住友化学)・竹中 充高木信一東大SDM2013-50
メタルゲート電極がInGaAs MOSゲートスタックの電気特性に与える影響を評価するために、Al2O3/InGaAsとH... [more] SDM2013-50
pp.33-37
EE, WPT
(併催)
2012-11-09
13:00
東京 機械振興会館 環境の変化に対して安定な結合共振器型WPTシステム
澤原裕一石崎俊雄龍谷大)・粟井郁雄リューテック
結合共振器型WPT(Wireless Power Transfer)システムは複数の共振器間結合によってエネルギー伝送を... [more]
EMCJ, IEE-EMC
(連催)
2010-12-10
14:55
愛知 中京大学 豊田キャンパス マイクロストリップライン構造EMI試験装置を用いた小型デバイスのノイズ定量化
川端恵理香パナソニック フォト・ライティング)・崎山一幸山田 徹パナソニック)・谷口俊彦パナソニック フォト・ライティングEMCJ2010-94
近年,デバイス部品でのEMC試験の実施要望が増えてきている.本論文では,部品単体からのノイズ放射量を簡易な方式で見積もる... [more] EMCJ2010-94
pp.75-80
NLP 2010-07-12
11:30
石川 石川県文教会館 スパイクノイズが状態・時刻混合型断続回路のカオス的挙動に与える影響とその実験的検証
松尾彰人麻原寛之高坂拓司大分大NLP2010-32
スパイクノイズが状態・時刻混合型断続回路のカオス的挙動に及ぼす影響を実験的視点に基づき検討する.まず,回路モデルとその基... [more] NLP2010-32
pp.19-22
ED, SDM
(共催)
2010-07-02
12:00
東京 東工大 大岡山キャンパス The Analysis of Temperature Dependency of the Mobility In High-k/Metal Gate MOSFET and the Performance on its CMOS Inverter
Takeshi SasakiTakuya ImamotoTetsuo EndohTohoku Univ.ED2010-92 SDM2010-93
As the integration density and capacitance of semiconductor ... [more] ED2010-92 SDM2010-93
pp.177-182
ITE-IDY, EID, IEIJ-SSL, IEE-EDD
(共催)
2010-01-29
10:50
福岡 九州大学(筑紫地区) 液晶材料の閾値電圧、弾性定数比及び誘電率比の高精度測定法の確立
千葉祐介大野友嗣石鍋隆宏宮下哲哉内田龍男東北大EID2009-71
電圧無印加時のホモジニアス配向液晶セル内において生じる干渉の入射角依存性を利用して,液晶材料の屈折率を高い精度で測定を行... [more] EID2009-71
pp.99-102
CAS, NLP
(共催)
2009-09-24
13:00
広島 広島大学東千田キャンパス 並列処理型最適化システムによる車載電子機器のEMI低減手法
岡崎勇治静岡大)・鵜生高徳デンソー)・浅井秀樹静岡大CAS2009-28 NLP2009-64
電子機器の動作周波数の高速化・高密度実装化に伴い,電子機器から発生する不要電磁放射による電磁妨害(EMI)が問題となって... [more] CAS2009-28 NLP2009-64
pp.25-30
EMD 2009-07-17
13:55
北海道 千歳アルカディア・プラザ Pdコンタクトの接触電圧の上昇に関する検討
石田広幸佐々木俊介鈴木祥介谷口正成東北文化学園大EMD2009-22
接触現象はコンタクト表面の凹凸に関係する。原田氏らは、表面粗さと接触抵抗の関係を実験的・理論的に明らかにした。著者らは、... [more] EMD2009-22
pp.7-12
SDM 2009-06-19
14:50
東京 東京大学(生産研An棟) LaAlO/Ge構造へのALD-Al2O3界面制御層挿入の効果
坂下満男加藤亮祐京極真也近藤博基財満鎭明名大SDM2009-37
GeチャネルMOSFETは高速動作および低電圧動作デバイスとして期待され、また一方で、high-k材料によるゲート絶縁膜... [more] SDM2009-37
pp.61-66
EA, US
(併催)
2008-01-29
13:00
大阪 関西大学 負性容量回路を用いた圧電体の弾性率制御
宝田 隼上田裕章関西大)・伊達宗宏深田栄一小林理研)・山本 健田實佳郎関西大US2007-101 EA2007-106
PZTセラミックスとPLLA高分子に“負性容量回路”(あたかも負の容量を持つコンデンサーとして働く電気回路)を結合するこ... [more] US2007-101 EA2007-106
pp.29-32(US), pp.31-34(EA)
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