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| 研究会 | 発表日時 | 開催地 | タイトル・著者 | 抄録 | 資料番号 | |
| SDM | 2018-06-25 15:15 |
愛知 | 名古屋大学 VBL３F | リモートプラズマ支援CVDにより形成したSiO2/GaN界面の化学結合状態および熱的安定性評価 ○松田亮平・大田晃生（名大）・田岡紀之（産総研）・池田弥央・牧原克典（名大）・清水三聡（産総研）・宮崎誠一（名大）  SDM2018-22 |
n型GaN(0001)基板上に、リモートプラズマ支援CVDにより厚さ~6.2nmのSiO2を堆積し、X線光電子分光法(X... [more] | SDM2018-22 pp.29-32 |
| ITE-IDY, IEE-EDD (共催) IEIJ-SSL, SID-JC (共催) EID (連催) [詳細] |
2018-01-25 13:30 |
静岡 | 静岡大学 浜松キャンパス | c面サファイア基板上における六方晶BN薄膜の減圧CVD成長機構 ○川原崎 匠・梅原直己・名嘉眞朝泰・小南裕子・原 和彦（静岡大） EID2017-30 |
BCl3とNH3を原料とする化学気相法を用いて，c面サファイア基板上に六方晶窒化ホウ素（h-BN）薄膜の作製を行った。ま... [more] | EID2017-30 pp.1-4 |
| LQE | 2017-12-15 14:10 |
東京 | 機械振興会館 | ［招待講演］Recent progress of AlGaN deep-UV LEDs Hideki Hirayama・○Masafumi Jo・Noritoshi Maeda（RIKEN）・Yukio Kashima（Marubun） LQE2017-91 |
[more] | LQE2017-91 pp.21-26 |
| LQE, CPM, ED (共催) |
2017-12-01 09:40 |
愛知 | 名古屋工業大学 | サファイア基板ならびにAlN/サファイアテンプレート上にMOCVD成長したInGaN/GaN MQW太陽電池の特性比較 ○森 拓磨・太田美希・原田紘希・加藤慎也・三好実人・江川孝志（名工大） ED2017-57 CPM2017-100 LQE2017-70 |
有機金属気相成長法によってサファイア基板とAlN/サファイアテンプレート（AlNテンプレート）の2種類の基板上にInGa... [more] | ED2017-57 CPM2017-100 LQE2017-70 pp.39-44 |
| CPM | 2017-10-27 13:30 |
長野 | 信州大学 長野(工学)キャンパス Ｅ７棟 3階 研修室 | 化学気相堆積した窒化ホウ素炭素膜の形成条件の検討 ○小坂舞人・浦上法之・橋本佳男（信州大） CPM2017-67 |
ワイドバンドギャップエネルギーを有する炭素系化合物半導体の実現に向けて、化学気相堆積法によりグラファイト状窒化炭素へホウ... [more] | CPM2017-67 pp.1-4 |
| OME, SDM (共催) |
2017-04-20 14:10 |
鹿児島 | 龍郷町生涯学習センター | 低温プラズマによるナノ粒子の合成と太陽電池への応用 ○古閑一憲・徐 鉉雄・板垣奈穂・白谷正治（九大） SDM2017-2 OME2017-2 |
我々は、マルチホロー放電プラズマCVD法を開発し、サイズ・構造制御した結晶Siナノ粒子の連続作製に成功した。この方法では... [more] | SDM2017-2 OME2017-2 pp.5-8 |
| MW, ED (共催) |
2017-01-26 15:50 |
東京 | 機械振興会館地下2階1号室 | ［依頼講演］GaN電子デバイス用エピウエハの現状と課題 ○乙木洋平（SCIOCS） ED2016-100 MW2016-176 |
GaN電子デバイスは高周波用途を中心に実用化がすすんでいる。エピタキシャル成長においては、GaAs系にくらべ、成長条件の... [more] | ED2016-100 MW2016-176 pp.19-22 |
| CPM, LQE, ED (共催) |
2016-12-13 09:05 |
京都 | 京大桂キャンパス | MOCVD法による凸凹表面p-GaN層の形成とInGaN/GaN MQW構造太陽電池への応用 ○森 拓磨・三好実人・江川孝志（名工大） ED2016-68 CPM2016-101 LQE2016-84 |
InGaN混晶を吸収層に用いた窒化物系太陽電池は、原理的に太陽光の大半のスペクトルを吸収することが可能であるため、有毒元... [more] | ED2016-68 CPM2016-101 LQE2016-84 pp.55-59 |
| CPM | 2016-07-23 10:25 |
愛媛 | 愛媛大学工学部本館3階会議室 | 原料交互供給法による酸化スズナノワイヤーの成長と形状制御 ○寺迫智昭（愛媛大）・矢木正和（香川高専） CPM2016-29 |
スズ(Sn)粉末と水(H2O)を原料，Au 薄膜を触媒とする大気圧 CVD 法において，Sn と H2O を時間的に分離... [more] | CPM2016-29 pp.21-26 |
| SDM | 2016-06-29 11:15 |
東京 | キャンパス・イノベーションセンター東京 | 強誘電体ナノワイヤキャパシタの作製 ～ 高集積強誘電体メモリへの応用を目指して ～ ○藤沢浩訓・清水 勝・中嶋誠二（兵庫県立大） SDM2016-35 |
有機金属化学気相堆積(MOCVD)法のみにより，直径110 nm，アスペクト比90のZnOナノワイヤを凸型テンプレートと... [more] | SDM2016-35 pp.15-19 |
| SDM | 2016-06-29 14:45 |
東京 | キャンパス・イノベーションセンター東京 | リモート酸素プラズマ支援CVDによる低温SiO2薄膜形成 ○グェンスァン チュン・藤村信幸・竹内大智・大田晃生・牧原克典・池田弥央・宮崎誠一（名大） SDM2016-41 |
SiH4と励起したAr希釈O2を用いたリモート酸素プラズマ支援CVD(O2-RPCVD)により水素終端したSi表面上にS... [more] | SDM2016-41 pp.49-52 |
| SID-JC, IEIJ-SSL (共催) EID, ITE-IDY, IEE-EDD (連催) [詳細] |
2016-01-29 10:45 |
富山 | 富山大学 | 減圧CVD成長によってサファイア基板上に作製した六方晶BN薄膜の発光特性 ○清水乙生・梅原直己・増田 敦・渡辺佳那・光野徹也・小南裕子・原 和彦（静岡大） EID2015-38 |
BCl3とNH3を原料とする減圧CVDにより，c面サファイア基板上に作製した六方晶窒化ホウ素薄膜について，カソードルミネ... [more] | EID2015-38 pp.97-100 |
| EID, SDM (共催) |
2015-12-14 14:00 |
京都 | 龍谷大学 響都ホール 校友会館 | ミストCVD法によるGaxSn1-xO薄膜の特性評価 ○弓削政博・小川淳史・吉岡敏博・加藤雄太・松田時宜・木村 睦（龍谷大） EID2015-16 SDM2015-99 |
薄膜トランジスタ動作する事が確認されたGaxSn1-xO(GTO)薄膜を、非真空プロセスであるミストCVD法によって、 ... [more] | EID2015-16 SDM2015-99 pp.31-34 |
| ED, CPM, SDM (共催) |
2015-05-28 13:00 |
愛知 | 豊橋技科大VBL棟 | 液体原料を用いた熱CVDによるグラフェンの合成 ○岸 直希・岩田鷹明・岩間一樹・包 建峰・劉 会濤・曽我哲夫（名工大） ED2015-16 CPM2015-1 SDM2015-18 |
我々は安全・簡便なグラフェン合成を目指し、炭素源として液体原料であるエタノールを、またキャリアガスとして窒素を用いたグラ... [more] | ED2015-16 CPM2015-1 SDM2015-18 pp.1-4 |
| ED, CPM, SDM (共催) |
2015-05-28 13:25 |
愛知 | 豊橋技科大VBL棟 | マイクロ波表面波プラズマCVDによる多数層グラフェン合成と紫外光カットによる高品質化 ○市村 進・内田秀雄・脇田紘一（中部大）・林 靖彦（岡山大）・梅野正義（中部大） ED2015-17 CPM2015-2 SDM2015-19 |
本研究に置いては，グラフェンをバイオセンサ、生体適合材料として応用する事を主眼に置き研究を進めた。信頼性の観点、電気伝導... [more] | ED2015-17 CPM2015-2 SDM2015-19 pp.5-10 |
| ED, CPM, SDM (共催) |
2015-05-28 15:40 |
愛知 | 豊橋技科大VBL棟 | コランダム構造酸化物半導体の成長とMOSFET試作 伊藤義人・金子健太郎・○藤田静雄（京大） ED2015-21 CPM2015-6 SDM2015-23 |
サファイア基板を用いたコランダム構造の酸化物半導体について、適切なバッファ層を導入しミストCVD法による成長条件を明らか... [more] | ED2015-21 CPM2015-6 SDM2015-23 pp.27-30 |
| OME, SDM (共催) |
2015-04-29 16:25 |
沖縄 | 大濱信泉記念館多目的ホール | ［招待講演］クラスタ除去によるa-Si太陽電池の光劣化抑制 ○白谷正治・都甲 将・鳥越祥宏・毛屋公孝・古閑一憲（九大） SDM2015-7 OME2015-7 |
本研究では,水素化アモルファスシリコン(a-Si:H)薄膜太陽電池の最重要課題である光劣... [more] | SDM2015-7 OME2015-7 pp.25-30 |
| SDM | 2015-03-02 15:25 |
東京 | 機械振興会館 | ［招待講演］CVD/ALDを用いたCu(Mn)/Co(W)配線システムの構築と3次元アトムプローブによるサブナノ構造・バリヤ性評価 ○嶋 紘平（東大）・ツ ユアン・韓 斌・高見澤 悠（東北大）・清水秀治（東大）・清水康雄（東北大）・百瀬 健（東大）・井上耕治・永井康介（東北大）・霜垣幸浩（東大） SDM2014-169 |
ULSI-Cu配線の微細化に伴う配線抵抗の増大及びエレクトロマイグレーションの問題を克服すべく、我々はこれまでに新規バリ... [more] | SDM2014-169 pp.39-44 |
| IEIJ-SSL, SID-JC (共催) EID, ITE-IDY, IEE-EDD (連催) [詳細] |
2015-01-22 15:24 |
京都 | 龍谷大学響都ホール校友会館 | 深紫外発光応用に向けた六方晶BN薄膜のCVD成長 ○増田 敦・梅原直己・清水乙生・光野徹也・小南裕子・中西洋一郎・原 和彦（静岡大） EID2014-45 |
BCl3とNH3を原料とする化学気相法を用いて，c面サファイア基板上に六方晶窒化ホウ素(h-BN)薄膜の作製を行った．成... [more] | EID2014-45 pp.41-44 |
| LQE, ED, CPM (共催) |
2014-11-28 09:55 |
大阪 | 大阪大学 吹田キャンパス 理工学図書館 | MOCVDを用いたGaN/AlGaNテラヘルツ量子カスケードレーザ（THz-QCL）の作製と7THz発振動作 ○豊田史朗（理研/埼玉大）・寺嶋 亘（理研）・鎌田憲彦（埼玉大）・平山秀樹（理研/埼玉大） ED2014-84 CPM2014-141 LQE2014-112 |
テラヘルツ量子カスケードレーザ（THz-QCL）は小型，連続動作，狭線幅，高出力，長寿命といった特長を持つことから，簡便... [more] | ED2014-84 CPM2014-141 LQE2014-112 pp.55-58 |
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