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研究会 発表日時 開催地 タイトル・著者 抄録 資料番号
ED, MW
(共催)
2024-01-25
14:25
東京 機械振興会館
(ハイブリッド開催,主:現地開催,副:オンライン開催)
MOCVD法におけるシミュレーションを活用したGaN成長条件の最適化
吉岡尚輝畠中 奨野々田亮平小島善樹三菱電機ED2023-66 MW2023-158
GaNの高電子移動度トランジスタ(High Electron Mobility Transistor : HEMT)は所... [more] ED2023-66 MW2023-158
pp.4-6
LQE, ED, CPM
(共催)
2023-11-30
13:30
静岡 アクトシティ浜松 四元混晶AlGaInNエミッタとp型GaInNベースを用いたGaN系HBTの作製
滝本将也間瀬 晃小嶋智輝江川孝志三好実人名工大ED2023-15 CPM2023-57 LQE2023-55
GaN系半導体を用いたヘテロ接合バイポーラトランジスタ(HBT)は次世代の高周波デバイスとして有望視されている。GaN系... [more] ED2023-15 CPM2023-57 LQE2023-55
pp.6-10
LQE, ED, CPM
(共催)
2023-11-30
17:10
静岡 アクトシティ浜松 光無線給電システムに向けた自立GaN基板上GaInN系受光素子の作製と特性評価
藤澤孝博Hu Nan小嶋智輝江川孝志三好実人名工大ED2023-23 CPM2023-65 LQE2023-63
GaInN系受光素子は太陽電池だけでなく、光無線給電システムへの適用にも非常に有望である。本研究では、光無線給電システム... [more] ED2023-23 CPM2023-65 LQE2023-63
pp.44-47
IEIJ-SSL, SID-JC
(共催)
ITE-IDY, EID, IEE-EDD
(連催) [詳細]
2023-01-27
15:15
ONLINE オンライン開催 (Webex) ミストCVD法により作製したナノ粒子分散(Zn,Mg)O薄膜へのアニールの効果
田中京輔奈良俊宏矢ヶ崎 司伊藤里樹光野徹也小南裕子原 和彦静岡大EID2022-7
原料に酢酸化物を用いるミストCVD法により,a面サファイア基板上に, (Zn,Mg)O混晶中にZnOナノ粒子を分散させた... [more] EID2022-7
pp.13-16
IEIJ-SSL, SID-JC
(共催)
ITE-IDY, EID, IEE-EDD
(連催) [詳細]
2023-01-27
15:25
ONLINE オンライン開催 (Webex) 六方晶BN薄膜の減圧CVD成長の高温化
大石泰己渡邊泰良田中佑樹増田克仁吉岡 陸増田希良里小南裕子原 和彦静岡大EID2022-8
BCl₃ と NH₃ を原料とする減圧化学気相法 (CVD) を用いて、c 面サファイア上に六方晶窒化ホウ素 (h-BN... [more] EID2022-8
pp.17-20
CPM, ED, LQE
(共催)
2022-11-24
10:45
愛知 ウインクあいち(愛知県産業労働センター)(名古屋)
(ハイブリッド開催,主:現地開催,副:オンライン開催)
2次元層状材料g-C3N4/SnS2/grapheneヘテロ接合のCVD成長
森 耀平松岡晃汰Baskar Malathi中村篤志静岡大ED2022-26 CPM2022-51 LQE2022-59
人工光合成は,太陽光を利用して,光触媒により水と二酸化炭素から価値のあるソーラー燃料へと変換する技術
であり,地球温暖... [more]
ED2022-26 CPM2022-51 LQE2022-59
pp.11-16
CPM, ED, LQE
(共催)
2022-11-24
15:15
愛知 ウインクあいち(愛知県産業労働センター)(名古屋)
(ハイブリッド開催,主:現地開催,副:オンライン開催)
GaN系HBTに向けたp-GaInN base層と四元AlGaInN emitter層の検討
飯田悠介間瀬 晃滝本将也二階祐宇江川孝志三好実人名工大ED2022-36 CPM2022-61 LQE2022-69
窒化物半導体HBTは次世代の高周波パワーデバイスとして非常に有望である。窒化物半導体HBTはp型ベース層が高抵抗であるこ... [more] ED2022-36 CPM2022-61 LQE2022-69
pp.57-60
CPM, ED, LQE
(共催)
2022-11-25
11:25
愛知 ウインクあいち(愛知県産業労働センター)(名古屋)
(ハイブリッド開催,主:現地開催,副:オンライン開催)
半極性 {11-22}AlInN/GaInN の成長温度依存性
藤澤孝博中林泰希江川孝志三好実人名工大)・竹内哲也名城大)・岡田成仁只友一行山口大ED2022-42 CPM2022-67 LQE2022-75
AlInNはGaN系の電子デバイスや光デバイスの要素構造への応用が期待されている。本研究では、GaN系の長波長LDクラッ... [more] ED2022-42 CPM2022-67 LQE2022-75
pp.81-84
ED, CPM, LQE
(共催)
2021-11-25
16:55
ONLINE オンライン開催 光無線給電システムに向けたGaInN系受光素子の単色光照射下でのPV性能評価
中林泰希山本皓介Pradip Dalapati江川孝志三好実人名工大ED2021-27 CPM2021-61 LQE2021-39
GaInN系受光素子は太陽電池だけでなく、光無線給電システムへの適用にも非常に有望である。本研究では、光無線給電システム... [more] ED2021-27 CPM2021-61 LQE2021-39
pp.59-62
CPM 2021-10-27
14:00
ONLINE オンライン開催 層状構造を有する窒化炭素膜の化学気相堆積
浦上法之高島健介橋本佳男信州大CPM2021-28
グラファイト状窒化炭素(g-C3N4)は層状構造で半導体性質を示し、貴金属を用いない機能性材料の候補として有望である。本... [more] CPM2021-28
pp.31-35
LQE, CPM, ED
(共催)
2020-11-26
11:15
ONLINE オンライン開催 エピタキシャルAlInN膜のp/n導電性制御に関する研究
中林泰希高田華果江川孝志三好実人名工大)・竹内哲也名城大ED2020-4 CPM2020-25 LQE2020-55
本研究では、有機金属気相成長法(MOCVD)によるAlInN膜成長において、Si及びMgドープによる導電性制御、ならびに... [more] ED2020-4 CPM2020-25 LQE2020-55
pp.13-16
LQE, CPM, ED
(共催)
2020-11-26
11:35
ONLINE オンライン開催 光無線給電システムに向けたGaN系受光素子の検討
山本皓介Pradip Dalapati江川孝志三好実人名工大ED2020-5 CPM2020-26 LQE2020-56
半導体発光デバイスと受光デバイスを用いた光無線給電システムが注目されている。本研究では、光無線給電システムに適用可能なエ... [more] ED2020-5 CPM2020-26 LQE2020-56
pp.17-20
LQE, CPM, ED
(共催)
2020-11-26
15:50
ONLINE オンライン開催 Mist-CVD法によるAl2O3絶縁膜を用いたAlGaN/GaN MIS-HEMTの電気特性
ロー ルイ シャン永瀬 樹バラトフ アリアスバル ジョエル タクラ徳田博邦福井大)・葛原正明関西学院大)・谷田部然治内藤健太本山智洋中村有水熊本大ED2020-13 CPM2020-34 LQE2020-64
近年、ミスト化学気相成長(mist-CVD)法を用いて原子層堆積法と同等の膜質を有する Al2O3アモルファス薄膜の形成... [more] ED2020-13 CPM2020-34 LQE2020-64
pp.49-52
EID, ITE-IDY, IEE-EDD
(連催)
IEIJ-SSL, SID-JC
(共催)
(連催) [詳細]
2020-01-23
13:05
鳥取 鳥取大鳥取キャンパス [ポスター講演]c面サファイアおよびSi (111)基板上への六方晶BN薄膜のCVD成長
名嘉眞朝泰松下一貴渡邊泰良小南裕子原 和彦静岡大
BCl3とNH3を原料とする減圧化学気相法(CVD)を用いて、c面サファイアおよびSi (111)基板上へ六方晶窒化ホウ... [more]
EID, ITE-IDY, IEE-EDD
(連催)
IEIJ-SSL, SID-JC
(共催)
(連催) [詳細]
2020-01-23
13:10
鳥取 鳥取大鳥取キャンパス [ポスター講演]ZnO系ナノ粒子分散薄膜のミストCVD
大城巨暉小野田翔悟奈良俊宏小南裕子原 和彦静岡大
新規の蛍光体応用のための材料としてナノ粒子分散半導体薄膜を提案し,その一例として,ZnOナノ粒子分散Ga2O3薄膜の作製... [more]
OME 2019-12-26
11:05
沖縄 沖縄県青年会館 ダイヤモンド電極の作製と電解硫酸技術
新藤恵美千葉工大)・永井達夫ミクロエース)・坂本幸弘千葉工大OME2019-50
ホウ酸トリメチルB(CH3O)3をホウ素源として用い,マイクロ波プラズマCVD装置を用いてボロンドープダイヤモンドを合成... [more] OME2019-50
pp.9-12
CPM, LQE, ED
(共催)
2019-11-21
15:30
静岡 静岡大学(浜松) c面GaNに格子整合する組成近傍の四元混晶AlGaInNエピタキシャル膜の成長と結晶及び光学特性評価
原田紘希三好実人江川孝志名工大)・竹内哲也名城大ED2019-45 CPM2019-64 LQE2019-88
可視光GaN系LDのクラッド層としての応用を目指し、有機金属化学気相成長法(MOCVD)により、c面GaN/サファイアテ... [more] ED2019-45 CPM2019-64 LQE2019-88
pp.53-56
OCS, LQE, OPE
(共催)
2019-10-17
15:00
鹿児島 サンプラザ天文館(鹿児島) 1.3 µm帯多波長レーザに向けた構造および作製方法の違いによるSiN導波路の特性分析
横村優太御手洗拓矢雨宮智宏西山伸彦東工大OCS2019-35 OPE2019-73 LQE2019-51
温調制御の必要性と波長間隔の制限を受けてしまう従来のWDMシステムの問題点を克服するために、グリッドフリーな新しいWDM... [more] OCS2019-35 OPE2019-73 LQE2019-51
pp.45-48
ED, LQE, CPM
(共催)
2018-11-30
09:00
愛知 名古屋工業大学 歪み制御AlGaInNバリア層を備えた耐圧2.5kV級AlGaNチャネルHFET
細見大樹古岡啓太陳 珩斉藤早紀久保俊晴江川孝志三好実人名工大ED2018-41 CPM2018-75 LQE2018-95
新規AlGaNチャネルHFET構造として,バリア層に四元混晶AlGaInNを採用したAlGaInN/AlGaNヘテロ構造... [more] ED2018-41 CPM2018-75 LQE2018-95
pp.41-44
SDM 2018-11-09
09:20
東京 機械振興会館 [招待講演]4H-SiCトレンチ埋込成長のトポグラフィシミュレーション
望月和浩紀 世陽小杉亮治米澤喜幸奥村 元産総研SDM2018-70
化学的気相堆積(CVD)を用いた4H-SiCスーパージャンクション素子向けトレンチ埋込成長に関するトポグラフィシミュレー... [more] SDM2018-70
pp.29-34
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