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| 研究会 | 発表日時 | 開催地 | タイトル・著者 | 抄録 | 資料番号 | |
| SDM | 2023-11-10 14:40 |
東京 | 機械振興会館 5階 5S-2 会議室 （ハイブリッド開催，主：現地開催，副：オンライン開催） |
［招待講演］GaNの高電界物性の精密評価 ～ 衝突イオン化係数と絶縁破壊電界 ～ ○前田拓也（東大）  SDM2023-72 |
パワーデバイスの耐圧シミュレーションや安全動作領域の予測には，正確な物性値を用いたデバイスシミュレーションが必要不可欠で... [more] | SDM2023-72 pp.41-46 |
| ED, CPM, LQE (共催) |
2021-11-26 14:55 |
ONLINE | オンライン開催 | AlN/AlGaInNバリアを備えた高耐圧Al0.36Ga0.64NチャネルHFET ○井上暁喜・田中さくら・江川孝志・三好実人（名工大） ED2021-32 CPM2021-66 LQE2021-44 |
本研究では、AlNおよび四元混晶AlGaInNバリア層を備えたAl0.36Ga0.64Nチャネルヘテロ電界効果トランジス... [more] | ED2021-32 CPM2021-66 LQE2021-44 pp.79-82 |
| SDM, ICD (共催) ITE-IST (連催) [詳細] |
2021-08-18 11:00 |
ONLINE | オンライン開催 | ［招待講演］低電圧動作・低温プロセス・高エンデュランスの極薄膜HfO2系強誘電体の実証 ～ 微細技術ノードの混載メモリへの展開 ～ ○トープラサートポン カシディット・田原建人（東大）・彦坂幸信・中村 亘・齋藤 仁（富士通セミコンダクターメモリソリューション）・竹中 充・高木信一（東大） SDM2021-38 ICD2021-9 |
本研究は、厚さ2.8～9.5 nmをもつHf0.5Zr0.5O2の強誘電体キャパシタの作製プロセス、強誘電特性、およびメ... [more] | SDM2021-38 ICD2021-9 pp.42-47 |
| LQE, CPM, ED (共催) |
2020-11-26 13:30 |
ONLINE | オンライン開催 | 選択再成長オーミックコンタクトを用いた高耐圧AlGaNチャネルHFET ○井上暁喜・原田紘希・山中瑞樹・江川孝志・三好実人（名工大） ED2020-7 CPM2020-28 LQE2020-58 |
四元混晶AlGaInNバリア層と選択的に再成長したn+-GaNコンタクト層を採用したAl0.19Ga0.81NチャネルM... [more] | ED2020-7 CPM2020-28 LQE2020-58 pp.25-28 |
| LQE, CPM, ED (共催) |
2020-11-26 15:30 |
ONLINE | オンライン開催 | 酸素プラズマ処理によるAlGaN/GaN HEMTsの破壊電圧向上に関する研究 ○神谷俊佑・西谷高至・松田 悠・高野 望・ジョエル タクラ アスバル・徳田博邦（福井大）・葛原正明（関西学院大） ED2020-12 CPM2020-33 LQE2020-63 |
窒化ガリウム(GaN)は高い破壊電界強度を持っており、シリコン(Si)に代わるパワーデバイスの材料となることが期待されて... [more] | ED2020-12 CPM2020-33 LQE2020-63 pp.45-48 |
| SDM | 2020-10-22 10:50 |
ONLINE | オンライン開催 | 3次元積層に向けた高容量密度・高耐圧SiN絶縁膜粗面トレンチキャパシタの開発 ○齊藤宏河・吉田彩乃・黒田理人（東北大）・柴田 寛・柴口 拓・栗山尚也（ラピスセミコンダクタ宮城）・須川成利（東北大） SDM2020-15 |
本稿では高容量密度・高絶縁破壊耐圧を両立したSiN絶縁膜粗面トレンチキャパシタについて報告する. 開発したキャパシタは,... [more] | SDM2020-15 pp.7-11 |
| WPT, MW (共催) |
2019-04-22 16:30 |
東京 | 機械振興会館 | 5.8GHzにおけるブリッジ形整流器の整流効率の限界値 ○伊東健治・岸本大輝（金沢工大） WPT2019-9 MW2019-9 |
無線電力伝送の広範な普及を図るためには，整流器の高効率化や大電力化が課題である.過去，Si， GaAs，GaN 等の... [more] | WPT2019-9 MW2019-9 pp.45-50 |
| SDM | 2018-06-25 16:15 |
愛知 | 名古屋大学 VBL３F | HfO2系強誘電体薄膜の大きな抗電界がもたらす課題 ○右田真司・太田裕之（産総研）・鳥海 明（東大） SDM2018-25 |
HfO2系強誘電体薄膜は従来の強誘電体酸化物材料にない多くの優れた特性を備えており、LSI用の次世代メモリ材料として様々... [more] | SDM2018-25 pp.43-46 |
| WPT (第二種研究会) |
2017-12-09 - 2017-12-11 |
海外 | シンガポール国立大学 | Novel Extended Non-Breakdown Rectifier Topologies for Power-Optimized Waveform based Wireless Power Transfer Systems ○Hao Zhang（NUST）・Zheng Zhong・Yong-Xin Guo（NUS）・Wen Wu（NUST） |
This paper presents two novel extended non-breakdown rectifi... [more] | |
| SDM | 2017-11-09 13:05 |
東京 | 機械振興会館 | p-LDMOSFETのホットキャリア耐性を向上させる新構造の検討 ○酒井 敦・永久克己（ルネサス エレクトロニクス）・藤井宏基・森 隆弘（ルネサスセミコンダクタマニュファクチャリング）・秋山 豊・山口泰男（ルネサス エレクトロニクス） SDM2017-63 |
BiCDプロセスで用いられるp-LDMOSFETではホットキャリアストレスによってゲート酸化膜の絶縁破壊が起こるため，信... [more] | SDM2017-63 pp.11-14 |
| CPM, LQE, ED (共催) |
2016-12-12 16:10 |
京都 | 京大桂キャンパス | AlGaN/GaN HEMTの高耐圧・大電流化に関する検討 ○鈴木雄大・山崎泰誠・牧野伸哉・ジョエル アスバル・徳田博邦・葛原正明（福井大） ED2016-64 CPM2016-97 LQE2016-80 |
本研究では、パワー回路への応用を目的として開発したアンペア級のAlGaN/GaN HEMTの高耐圧化と低損失化について検... [more] | ED2016-64 CPM2016-97 LQE2016-80 pp.35-39 |
| SDM | 2016-06-29 13:30 |
東京 | キャンパス・イノベーションセンター東京 | SiO2の絶縁破壊と局所陽極酸化を用いた抵抗変化デバイス ○角嶋邦之・若林 整・筒井一生・岩井 洋（東工大） SDM2016-38 |
高い抵抗比が得られる抵抗変化メモリとしてCeOx膜と界面SiO2層をSi基板に積層した構造を提案する。上部電極への正の電... [more] | SDM2016-38 pp.33-36 |
| SDM | 2015-11-06 13:30 |
東京 | 機械振興会館 | ［招待講演］Si基板上GaNパワーデバイスと電力変換機器への応用 ○石田秀俊・石田昌宏・上田哲三（パナソニック） SDM2015-90 |
従来のSiパワーデバイスと比較して低損失化と高速化が可能となり、DC/DCコンバータをはじめとする電力変換機器の高効率化... [more] | SDM2015-90 pp.35-38 |
| SDM | 2015-06-19 10:50 |
愛知 | 名古屋大学 ベンチャー・ビジネス・ラボラトリー | ［依頼講演］3C/4H異種ポリタイプ接合を有するSiC MOSFETに対する検討 ○野口宗隆・岩松俊明・三浦成久・中田修平・山川 聡（三菱電機） SDM2015-41 |
SiC には異なるバンドギャップを持つ、様々なポリタイプが存在し、異種ポリタイプ接合を用いたSiCデバイスの可能性が考え... [more] | SDM2015-41 pp.17-20 |
| EMCJ, EMD (共催) |
2013-07-12 13:30 |
東京 | 機械振興会館 | 対数的時間変化の雑音 ～ 皮革素材の抵抗測定に出現する特異な時間変動 ～ ○伴 公伸（都皮革技） EMCJ2013-43 EMD2013-28 |
ｋＶ単位の高い電圧を与え絶縁測定としては高速なミリ秒単位に変動を記録した．電圧印加直後から革試料について抵抗の変動を測定... [more] | EMCJ2013-43 EMD2013-28 pp.25-27 |
| EE, CPM (共催) |
2013-01-24 13:30 |
熊本 | 阿蘇ファームランド | SOFC燃料極の再酸化に起因する電解質破損条件の評価 ○田原由梨・大類姫子・渡部仁貴・杉田 敏・小林隆一（NTT） EE2012-33 CPM2012-155 |
Ni ジルコニアサーメットは，固体酸化物形燃料電池（SOFC）の燃料極材料とし一般的に用いられている．通常は還元雰囲気下... [more] | EE2012-33 CPM2012-155 pp.29-34 |
| MW, ED (共催) |
2013-01-18 13:25 |
東京 | 機械振興会館 | ソースフィールドプレート構造AlGaN/GaN HEMTのラグ現象，電流コラプス及び耐圧特性の解析 ○塙 秀之・小野寺 啓・堀尾和重（芝浦工大） ED2012-123 MW2012-153 |
ソースフィールドプレート構造AlGaN/GaN HEMTのラグ現象，電流コラプス及び耐圧特性を２次元数値解析し，その結果... [more] | ED2012-123 MW2012-153 pp.57-62 |
| SDM | 2012-11-15 13:50 |
東京 | 機械振興会館 | 随伴変数法に基づくトポロジー最適化によるパワーデバイスの新設計手法 ○野村勝也・近藤継男・石川 剛・川本敦史・松森唯益・杉山隆英（豊田中研） SDM2012-101 |
トポロジー最適化の考え方を適用したパワーデバイスの構造設計手法の初期検討を行った。オン抵抗と耐圧のトレードオフの改善を目... [more] | SDM2012-101 pp.11-14 |
| EST, EMCJ (共催) IEE-EMC (連催) [詳細] |
2012-10-26 11:20 |
宮城 | 東北学院大学 多賀城キャンパス | 深いボロンイオン注入による自己バイアスチャネルダイオードの耐圧改善 ○工藤嗣友（神奈川工科大）・菅原文彦・大沼孝一（東北学院大） EMCJ2012-79 EST2012-63 |
3端子動作のチャネルダイオードに自己バイアス効果を導入したDMOS型自己バイアスチャネルダイオードが提案されている．この... [more] | EMCJ2012-79 EST2012-63 pp.93-97 |
| ED, MW (共催) |
2012-01-12 12:50 |
東京 | 機械振興会館 | 微細AlGaN/GaN HEMTの耐圧特性に与えるバッファ層内不純物とフィールドプレートの影響の解析 ○小野寺 啓・中島 敦・堀尾和重（芝浦工大） ED2011-133 MW2011-156 |
ゲート長やゲート・ドレイン間距離が比較的短いフィールドプレート構造AlGaN/GaN HEMTの２次元数値解析を行い，耐... [more] | ED2011-133 MW2011-156 pp.81-85 |
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