| 電子情報通信学会 研究会発表申込システム 研究会 開催スケジュール |
技報閲覧サービス [ログイン] 技報アーカイブ |
すべての研究会開催スケジュール (検索条件: すべての年度)
| 研究会 | 発表日時 | 開催地 | タイトル・著者 | 抄録 | 資料番号 | |
| ED, SDM, CPM (共催) |
2024-05-24 16:15 |
北海道 | 北海道大学クラーク会館（札幌キャンパス） （ハイブリッド開催，主：現地開催，副：オンライン開催） |
マイクロ波電力伝送用ワイドバンドギャップ半導体SBDの特性解析 ○大野泰夫・伊藤弘子・平岡知己（レーザーシステム）・東脇正高（阪公立大）  ED2024-10 CPM2024-10 SDM2024-17 |
(ご登録済みです．開催日以降に掲載されます) [more] | ED2024-10 CPM2024-10 SDM2024-17 pp.33-36 |
| OME | 2024-02-22 16:20 |
東京 | 機械振興会館 （ハイブリッド開催，主：現地開催，副：オンライン開催） |
［依頼講演］ナフタレンジイミド誘導体の蒸着膜形成 ○臼井博明・倉富 駿・泉 拓矢・帯刀陽子（東京農工大）・臼井 聡（新潟大） OME2023-92 |
スチリル基及びビニルスチリル基を持つナフタレンジイミドの真空蒸着膜を形成し，置換基と膜の表面形態，結晶性及び電気的特性の... [more] | OME2023-92 pp.30-35 |
| CPM | 2022-03-01 13:30 |
ONLINE | オンライン開催 | 室温原子層堆積法を用いた水蒸気ガスバリア膜の試作と評価 ○吉田一樹・齋藤健太郎・三浦正範・鹿又健作・廣瀬文彦（山形大） CPM2021-73 |
室温原子層堆積法を用いて作成した水蒸気ガスバリア膜について発表する。水蒸気ガスバリア膜は有機エレクトロニクスデバイスの劣... [more] | CPM2021-73 pp.7-10 |
| SDM | 2022-02-04 09:05 |
ONLINE | オンライン開催 | ［招待講演］タイムラグ法を用いた極薄PVD-Co(W)薄膜の定量的バリア性評価 ○百瀬 健・金 泰雄・鄧 玉斌・出浦桃子（東大）・松尾 明・山口述夫（キヤノンアネルバ）・霜垣幸浩（東大） SDM2021-74 |
半導体集積回路のCu配線における極薄バリアの開発には，バリア性を定量的かつ簡潔に評価する手法が不可欠である。そのため我々... [more] | SDM2021-74 pp.1-4 |
| SDM | 2021-02-05 13:45 |
ONLINE | オンライン開催 | Co-Zr合金の単層バリア材料としての特性 ○山田裕貴・矢作政隆・小池淳一（東北大） SDM2020-56 |
本研究の目的は，Cu配線を圧迫する厚い二重構造のTaライナーとTaNバリアを，熱的に安定なアモルファス構造で，ライナーと... [more] | SDM2020-56 pp.7-10 |
| HCS | 2021-01-23 15:00 |
ONLINE | オンライン開催 | 視覚障害者向け電子ゲームにおける音響を用いたカーソル提示の基礎検討 ○鄧 兆宏・米村俊一（芝浦工大） HCS2020-55 |
近年，視覚障害者向けのアクションゲームが提案されている．これらのアクションゲームでは，自分のカーソル位置や敵の位置，また... [more] | HCS2020-55 pp.17-22 |
| R | 2020-11-30 14:55 |
ONLINE | オンライン開催 | 電位コントラスト法を用いた積層セラミックコンデンサの劣化解析 ○斎藤 彰（村田製作所） R2020-27 |
積層セラミックコンデンサ（MLCC）の小型化と薄層化により，高信頼性の維持が困難になりつつある．特に電極界面付近の影響が... [more] | R2020-27 pp.21-24 |
| SDM | 2020-02-07 10:45 |
東京 | 東京大学/本郷キャンパス工学部4号館3階42講義室（419号室) | ［招待講演］Role of electroless-Ni plating in high-aspect-ratio TSV fabrication for 3D integration and packaging ○Murugesan Mariappan・Takafumi Fukushima（Tohoku Univ.） SDM2019-91 |
[more] | SDM2019-91 pp.15-19 |
| SDM | 2019-10-24 09:30 |
宮城 | 東北大学未来情報産業研究館５Ｆ | ［招待講演］NiAl as Cu alternative for ultrasmall feature sizes ○Linghan Chen・Junichi Koike・Daisuke Ando・Yuji Sutou（Tohoku Univ.） SDM2019-59 |
[more] | SDM2019-59 pp.29-33 |
| SDM | 2019-10-24 10:50 |
宮城 | 東北大学未来情報産業研究館５Ｆ | Low temperature formation of PdErSi/Si(100) for Schottky barrier source and drain MOSFET applications ○Rengie Mark D. Mailig・Yuichiro Aruga・Min Gee Kim・Shun-ichiro Ohmi（Tokyo Tech） SDM2019-61 |
In this report, the effects of the TiN encapsulating layer o... [more] | SDM2019-61 pp.39-43 |
| SDM | 2018-10-18 10:50 |
宮城 | 東北大学未来情報産業研究館５Ｆ | Schottky barrier height reduction of Pd2Si/Si(100) diodes by dopant segregation process ○Rengie Mark D. Mailig・Min Gee Kim・Shun-ichiro Ohmi（Tokyo Tech.） SDM2018-59 |
In this paper, the reduction of the Schottky barrier height ... [more] | SDM2018-59 pp.35-40 |
| ED | 2017-08-10 09:15 |
東京 | 機械振興会館 | ATP, ＡＣh、水素イオンが同時に観察できるバイオイメージセンサの開発 ～ 拡散防止膜を用いた選択的検出能力強化 ～ ○李 宥奈・堀尾智子・奥村弘一・岩田達哉・高橋一浩・澤田和明（豊橋技科大） ED2017-33 |
我々の研究室ではニューロン間の信号伝達メカニズムを理解するため、アデノシン三リン酸（ATP）、アセチルコリン（ACh）、... [more] | ED2017-33 pp.33-36 |
| ED | 2016-01-20 11:20 |
東京 | 機械振興会館 | ［依頼講演］酸化ガリウムパワーデバイスの最新技術 ○東脇正高・ワン マンホイ・小西敬太（NICT）・佐々木公平（タムラ/NICT）・後藤 健（タムラ/東京農工大）・野村一城・ティユ クァン トゥ・富樫理恵・村上 尚・熊谷義直・Bo Monemar・纐纈明伯（東京農工大）・倉又朗人・増井建和・山腰茂伸（タムラ） ED2015-114 |
酸化ガリウム (Ga{$_{2}$}O{$_{3}$}) は，パワーデバイス用途に適した優れた物性を有する酸化物半導体で... [more] | ED2015-114 pp.13-18 |
| SDM | 2015-06-19 14:35 |
愛知 | 名古屋大学 ベンチャー・ビジネス・ラボラトリー | 金属/Ge界面への超高Sn組成SnxGe1-x層導入による界面電気伝導特性の制御 ○鈴木陽洋・柴山茂久・坂下満男・竹内和歌奈・中塚 理・財満鎭明（名大） SDM2015-49 |
GeチャネルCMOSの実現に向けて、金属/Geコンタクト抵抗の低減は必要不可欠である。しかしながら、金属/n-Ge界面の... [more] | SDM2015-49 pp.57-61 |
| ED, CPM, SDM (共催) |
2015-05-28 16:40 |
愛知 | 豊橋技科大VBL棟 | 浮遊電極測定を用いたGaNショットキーバリアダイオードの順方向特性の解析 山口修造・○大石敏之（佐賀大）・山口裕太郎・山中宏治（三菱電機） ED2015-23 CPM2015-8 SDM2015-25 |
GaNショットキーバリアダイオード(SBD)を高電力で使用する場合，逆方向だけでなく、順方向にも大きな電圧が印加される。... [more] | ED2015-23 CPM2015-8 SDM2015-25 pp.35-39 |
| SDM | 2015-03-02 11:35 |
東京 | 機械振興会館 | ［招待講演］エピタキシャル金属/ゲルマニウム接合の形成による界面電気伝導特性の制御 ○中塚 理・鄧 云生・鈴木陽洋・坂下満男・田岡紀之・財満鎭明（名大） SDM2014-165 |
省電力・高速Geデバイスの実現には、金属/Ge接合のコンタクト抵抗低減に向けた界面電子物性の制御が必要不可欠である。本研... [more] | SDM2014-165 pp.17-22 |
| SDM | 2015-03-02 15:25 |
東京 | 機械振興会館 | ［招待講演］CVD/ALDを用いたCu(Mn)/Co(W)配線システムの構築と3次元アトムプローブによるサブナノ構造・バリヤ性評価 ○嶋 紘平（東大）・ツ ユアン・韓 斌・高見澤 悠（東北大）・清水秀治（東大）・清水康雄（東北大）・百瀬 健（東大）・井上耕治・永井康介（東北大）・霜垣幸浩（東大） SDM2014-169 |
ULSI-Cu配線の微細化に伴う配線抵抗の増大及びエレクトロマイグレーションの問題を克服すべく、我々はこれまでに新規バリ... [more] | SDM2014-169 pp.39-44 |
| SDM | 2012-03-05 13:30 |
東京 | 機械振興会館 | ALD/CVDによる次世代Cu配線用単層バリヤ/ライナーCo(W)膜 ○清水秀治（大陽日酸/東大）・嶋 紘平・百瀬 健（東大）・小林芳彦（大陽日酸）・霜垣幸浩（東大） SDM2011-180 |
ULSIの微細化に伴う配線抵抗の増大を抑えるため、新たな材料が必要とされている。特に、Cu配線の側壁に形成されるバリヤ/... [more] | SDM2011-180 pp.25-29 |
| LQE, ED, CPM (共催) |
2011-11-17 13:45 |
京都 | 京都大学桂キャンパス 桂ホール | AlInN/AlN/GaNヘテロ接合における高温での表面障壁高さの低下 ○ハサン タンビル・徳田博邦・葛原正明（福井大） ED2011-79 CPM2011-128 LQE2011-102 |
[more] | ED2011-79 CPM2011-128 LQE2011-102 pp.29-33 |
| LQE, ED, CPM (共催) |
2011-11-17 15:40 |
京都 | 京都大学桂キャンパス 桂ホール | 促進障壁層構造を有するAlGaN/GaN E-mode HFETの作製 ○前田就彦・廣木正伸・佐々木 智・原田裕一（NTT） ED2011-83 CPM2011-132 LQE2011-106 |
リセスゲート構造を用いたE-mode用のAlGaN/GaNヘテロ構造FET（HFET）において、高電流化およびデバイス作... [more] | ED2011-83 CPM2011-132 LQE2011-106 pp.49-54 |
[研究会発表申込システムのトップページに戻る]