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| 研究会 | 発表日時 | 開催地 | タイトル・著者 | 抄録 | 資料番号 | |
| ED, MW (共催) |
2024-01-25 15:30 |
東京 | 機械振興会館 （ハイブリッド開催，主：現地開催，副：オンライン開催） |
EID AlGaN/GaN MOS-HEMTにおけるAl2O3ゲート酸化膜直下の電子状態解析 ○南條拓真・清井 明・今澤貴史・古橋壮之・西川和康（三菱電機）・江川孝志（名工大）  ED2023-68 MW2023-160 |
ノーマリオフ動作するプレーナ型のExtrinsically Electron Induced by Dielectric... [more] | ED2023-68 MW2023-160 pp.11-14 |
| MW, ED (共催) |
2023-01-27 13:40 |
東京 | 機械振興会館 （ハイブリッド開催，主：現地開催，副：オンライン開催） |
ノーマリオフ型EID-AlGaN/GaN MOS-HEMTの大電流/高耐圧動作実証 ○南條拓真・品川友宏・綿引達郎・三浦成久・古橋壮之・西川和康（三菱電機）・江川孝志（名工大） ED2022-93 MW2022-152 |
AlGaN/GaN High Electron Mobility Transistor（HEMT）は，通信用の高周波高出... [more] | ED2022-93 MW2022-152 pp.36-39 |
| LQE, CPM, ED (共催) |
2020-11-26 15:50 |
ONLINE | オンライン開催 | Mist-CVD法によるAl2O3絶縁膜を用いたAlGaN/GaN MIS-HEMTの電気特性 ○ロー ルイ シャン・永瀬 樹・バラトフ アリ・アスバル ジョエル タクラ・徳田博邦（福井大）・葛原正明（関西学院大）・谷田部然治・内藤健太・本山智洋・中村有水（熊本大） ED2020-13 CPM2020-34 LQE2020-64 |
近年、ミスト化学気相成長（mist-CVD）法を用いて原子層堆積法と同等の膜質を有する Al2O3アモルファス薄膜の形成... [more] | ED2020-13 CPM2020-34 LQE2020-64 pp.49-52 |
| LQE, CPM, ED (共催) |
2020-11-27 11:20 |
ONLINE | オンライン開催 | AlGaN/GaN SG-HEMTと比べてMIS-HEMTの優れた高周波特性に関する研究 ○バラトフ アリ・小澤渉至・山下隼平・アスバル ジョエル タクラ・徳田博邦（福井大）・葛原正明（関西学院大） ED2020-16 CPM2020-37 LQE2020-67 |
小信号特性の場合にはMIS構造がSG構造より優れた特性を示していることを複数の研究者から報告されている。しかし、大信号特... [more] | ED2020-16 CPM2020-37 LQE2020-67 pp.60-62 |
| LQE, CPM, ED (共催) |
2017-11-30 15:50 |
愛知 | 名古屋工業大学 | 光電気化学反応を利用した窒化物半導体の低損傷エッチングと電子デバイスへの応用 ○植村圭佑・松本 悟・渡久地政周・伊藤圭亮・佐藤威友（北大） ED2017-54 CPM2017-97 LQE2017-67 |
窒化物半導体に対して，光電気化学反応を利用した低損傷ウェットエッチングプロセスを開発した．GaNと電解液界面の光電気化学... [more] | ED2017-54 CPM2017-97 LQE2017-67 pp.23-26 |
| CPM, LQE, ED (共催) |
2016-12-12 16:10 |
京都 | 京大桂キャンパス | AlGaN/GaN HEMTの高耐圧・大電流化に関する検討 ○鈴木雄大・山崎泰誠・牧野伸哉・ジョエル アスバル・徳田博邦・葛原正明（福井大） ED2016-64 CPM2016-97 LQE2016-80 |
本研究では、パワー回路への応用を目的として開発したアンペア級のAlGaN/GaN HEMTの高耐圧化と低損失化について検... [more] | ED2016-64 CPM2016-97 LQE2016-80 pp.35-39 |
| CPM, LQE, ED (共催) |
2016-12-12 16:35 |
京都 | 京大桂キャンパス | 三次元フィールドプレートを用いたAlGaN/GaN HEMTの電流コラプス抑制 ○鈴木敦也・ジョエル アスバル・徳田博邦・葛原正明（福井大） ED2016-65 CPM2016-98 LQE2016-81 |
ゲート－ドレイン間にフィン状に形成された複数の溝をもつ新しいフィールドプレート(3DFP)を有するAlGaN/GaN H... [more] | ED2016-65 CPM2016-98 LQE2016-81 pp.41-44 |
| MW | 2016-11-18 11:20 |
佐賀 | 佐賀大学 | GaN HEMTの低周波等価回路パラメータへのバッファトラップの影響 ○山口修造・大石敏之（佐賀大） MW2016-128 |
GaN HEMT中のトラップの影響を検討するため，低周波における等価回路パラメータを測定した．バッファに対応する小信号等... [more] | MW2016-128 pp.69-72 |
| ED, LQE, CPM (共催) |
2015-11-27 11:40 |
大阪 | 大阪市立大学・学術情報センター会議室 | Si基板上AlGaN/GaN HEMT構造における縦方向リーク電流の初期AlN層依存性 ○山岡優哉（大陽日酸）・伊藤和宏（名工大）・生方映徳・田渕俊也・松本 功（大陽日酸）・江川孝志（名工大） ED2015-83 CPM2015-118 LQE2015-115 |
本調査では、成長条件が異なる２種類のSi基板上AlNを製作し、scanning electron microscope(... [more] | ED2015-83 CPM2015-118 LQE2015-115 pp.77-80 |
| SDM | 2015-06-19 09:30 |
愛知 | 名古屋大学 ベンチャー・ビジネス・ラボラトリー | ［依頼講演］Al2O3/AlGaN/GaN構造の界面電子準位評価 ○谷田部然治・橋詰 保（北大） SDM2015-38 |
ドライエッチングをしたAlGaN上にAl2O3絶縁ゲート構造を作製し、絶縁膜/半導体界面の特性評価を行なった．評価には室... [more] | SDM2015-38 pp.1-4 |
| CPM, ED, SDM (共催) |
2014-05-28 16:30 |
愛知 | 名古屋大学VBL3階 | 表面波プラズマを用いたシリコン窒化膜の化学気相堆積とデバイス応用 ○川上恭平・石丸貴博・篠原正俊・岡田 浩（豊橋技科大）・古川雅一（アリエースリサーチ）・若原昭浩・関口寛人（豊橋技科大） ED2014-29 CPM2014-12 SDM2014-27 |
マイクロ波による表面波プラズマを応用した新しい化学気相堆積法を提案し、シリコン窒化膜の堆積を行った。ビス(ジメチルアミノ... [more] | ED2014-29 CPM2014-12 SDM2014-27 pp.55-58 |
| MW, ED (共催) |
2013-01-18 14:30 |
東京 | 機械振興会館 | AlGaN/GaN HEMTのドレインリーク電流解析 ○林 一夫・大石敏之・加茂宣卓・山口裕太郎・大塚浩志・山中宏治・中山正敏（三菱電機）・宮本恭幸（東工大） ED2012-125 MW2012-155 |
AlGaN/GaN HEMTのドレインリーク電流について，実測とTCADシミュレーションの両方から解析した．まず，ピンチ... [more] | ED2012-125 MW2012-155 pp.69-74 |
| ED, LQE, CPM (共催) |
2012-11-29 15:25 |
大阪 | 大阪市立大学 | プロセス条件がAlGaN/GaNヘテロMOS構造特性に与える影響 ○堀 祐臣・谷田部然治・馬 万程・橋詰 保（北大） ED2012-74 CPM2012-131 LQE2012-102 |
原子層堆積法で形成したAl2O3膜をゲート絶縁膜としてAl2O3/AlGaN/GaNヘテロMOS構造を作製し、形成プロセ... [more] | ED2012-74 CPM2012-131 LQE2012-102 pp.37-40 |
| ED, LQE, CPM (共催) |
2012-11-29 16:15 |
大阪 | 大阪市立大学 | Effect of Passivation on Drain Current Dispersion for AlGaN/GaN HEMTs ○Md. Tanvir Hasan・Hirokuni Tokuda・Masaaki Kuzuhara（Univ. of Fukui） ED2012-76 CPM2012-133 LQE2012-104 |
AlGaN/GaN HEMTs with different passivation layers were studi... [more] | ED2012-76 CPM2012-133 LQE2012-104 pp.45-50 |
| MW, ED (共催) |
2011-01-14 09:55 |
東京 | 機械振興会館 | AlGaN/GaN HEMTにおけるバッファ層に起因した電流コラプスに与える裏面電極とゲートフィールドプレートの影響の2次元解析 ○小野寺 啓・中島 敦・堀尾和重（芝浦工大） ED2010-183 MW2010-143 |
バッファ層中に深いドナーと深いアクセプタを考慮したAlGaN/GaN HEMTの２次元過渡解析を行い，ゲートフィールドプ... [more] | ED2010-183 MW2010-143 pp.45-50 |
| ED | 2010-06-17 14:50 |
石川 | 北陸先端大 | リセスゲートAlGaN/GaNヘテロ接合FETの電気的特性評価 ○向野美郷・山田直樹・徳田博邦・葛原正明（福井大） ED2010-37 |
BCl3ガスを用いたICP方式ドライエッチングを用いてリセスゲート構造AlGaN/GaN HEMTを試作した。ICPパワ... [more] | ED2010-37 pp.21-24 |
| ED | 2010-06-17 15:15 |
石川 | 北陸先端大 | 高周波・高出力AlGaN/GaN系HEMTの作製 ○山下良美・渡邊一世・遠藤 聡・広瀬信光・松井敏明（NICT）・三村高志（NICT/富士通研） ED2010-38 |
AlGaN/GaN系高電子移動度トランジスタ(HEMT)は高出力・高耐圧特性に優れるだけでなくミリ波帯(30-300 G... [more] | ED2010-38 pp.25-30 |
| ED, LQE, CPM (共催) |
2009-11-20 10:20 |
徳島 | 徳島大学（常三島キャンパス・工業会館） | 4inch径Si基板上に作製した四元混晶InAlGaN/GaN HEMTエピ構造の特性評価 ○市村幹也・三好実人・田中光浩（日本ガイシ）・江川孝志（名工大） ED2009-149 CPM2009-123 LQE2009-128 |
格子長とバンドギャップの独立制御が可能な四元混晶を障壁層とするInAlGaN/GaN HEMT構造のMOCVD成長および... [more] | ED2009-149 CPM2009-123 LQE2009-128 pp.99-103 |
| ED, LQE, CPM (共催) |
2009-11-20 14:00 |
徳島 | 徳島大学（常三島キャンパス・工業会館） | Si基板上AlGaN/GaN HEMTの高耐圧化 ○鈴江隆晃・ローレンス セルバラージ・江川孝志（名工大） ED2009-155 CPM2009-129 LQE2009-134 |
Si基板上AlGaN/GaN HEMTについて厚膜サンプルの特性評価を行った。耐圧測定を行ったところ、成長層膜厚の増加に... [more] | ED2009-155 CPM2009-129 LQE2009-134 pp.129-132 |
| ED, LQE, CPM (共催) |
2009-11-20 15:50 |
徳島 | 徳島大学（常三島キャンパス・工業会館） | 60 GHz帯におけるAlGaN/GaN系HEMTの出力特性 ○渡邊一世・遠藤 聡・山下良美・広瀬信光（NICT）・三村高志（NICT/富士通研）・松井敏明（NICT） ED2009-159 CPM2009-133 LQE2009-138 |
AlGaN/GaN系高電子移動度トランジスタ(HEMT)は高出力・高耐圧特性に優れるだけでなくミリ波帯(30-300 G... [more] | ED2009-159 CPM2009-133 LQE2009-138 pp.151-155 |
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