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| 研究会 | 発表日時 | 開催地 | タイトル・著者 | 抄録 | 資料番号 | |
| ED, CPM, LQE (共催) |
2021-11-25 15:25 |
ONLINE | オンライン開催 | c面Al0.83In0.17N/GaN格子整合ヘテロ構造の光学特性評価 ○李 リヤン・嶋 紘平（東北大）・山中瑞樹（名工大）・小島一信（東北大）・江川孝志（名工大）・上殿明良（筑波大）・石橋章司（産総研）・竹内哲也（名城大）・三好実人（名工大）・秩父重英（東北大）  ED2021-24 CPM2021-58 LQE2021-36 |
Al1-xInxNは、禁制帯幅 (Eg) 波長を深紫外線から赤外線まで変化させられる直接遷移型半導体混晶であり光・電子デ... [more] | ED2021-24 CPM2021-58 LQE2021-36 pp.45-50 |
| CPM | 2021-03-03 11:30 |
ONLINE | オンライン開催 | 化学溶液析出法によるZnOナノロッド/CuOおよびZnO/Cu₂Oヘテロ接合の作製 ○大本拓馬・寺迫智昭（愛媛大）・矢木正和（香川高専） CPM2020-64 |
酸化銅（II）(CuO)薄膜と酸化銅（I）(Cu₂O)薄膜が，それぞれpH 10に調整された硝酸銅(II)三水和物を用い... [more] | CPM2020-64 pp.34-37 |
| LQE, OPE, SIPH (共催) |
2018-12-06 17:10 |
東京 | 慶應義塾大学 | III-V/Siハイブリッド光集積回路に向けたチップオンウェーハプラズマ活性化接合の検討 ○白 柳（東工大）・菊地健彦（住友電工）・御手洗拓矢・西山伸彦（東工大）・八木英樹（住友電工）・雨宮智宏・荒井滋久（東工大） OPE2018-127 LQE2018-137 SIPH2018-43 |
[more] | OPE2018-127 LQE2018-137 SIPH2018-43 pp.149-153 |
| ED, LQE, CPM (共催) |
2018-11-30 10:25 |
愛知 | 名古屋工業大学 | 化学溶液析出法によるGZOシード層上へのZnOナノロッドの成長とPEDOT:PSS/ZnOナノロッドヘテロ接合の形成 小原翔平・○寺迫智昭・難波 優・橋国直人（愛媛大）・矢木正和（香川高専）・野本淳一・山本哲也（高知工科大） ED2018-44 CPM2018-78 LQE2018-98 |
硝酸亜鉛六水和物とヘキサメチレンテトラミンとの混合水溶液を用いた化学溶液析出法(CBD法)によってイオンプレーティング法... [more] | ED2018-44 CPM2018-78 LQE2018-98 pp.55-60 |
| ITE-IDY, IEE-EDD (共催) IEIJ-SSL, SID-JC (共催) EID (連催) [詳細] |
2018-01-25 13:40 |
静岡 | 静岡大学 浜松キャンパス | Ga蒸気を用いる化学気相法により成長したGaN薄膜の発光特性 ○増田裕一郎・長瀬 剛・国枝 航・光野徹也・小南裕子・原 和彦（静岡大） EID2017-31 |
Ga蒸気とNH3ガスを原料として用いた化学気相成長法（CVD）により，c面サファイア基板上に窒化ガリウム（GaN）薄膜の... [more] | EID2017-31 pp.5-8 |
| OME | 2017-12-01 13:30 |
佐賀 | サンメッセ鳥栖 | ［招待講演］イオンプレーティング法GZOシード層上へのZnOナノロッドのCBD成長とZnOナノロッド/PEDOT:PSSヘテロ構造の形成 ○寺迫智昭・大西航揮・小原翔平・福岡良太（愛媛大）・野本淳一・山本哲也（高知工科大） OME2017-43 |
イオンプレーティング法ZnO:Ga（GZO）シード層上に硝酸亜鉛六水和物及びヘキサメチレンテトラミンの混合水溶液を用いた... [more] | OME2017-43 pp.37-42 |
| LQE, CPM, ED (共催) |
2017-11-30 14:50 |
愛知 | 名古屋工業大学 | マクロステップ上AlGaN量子細線の光学特性 ○早川峰洋・林 佑樹・長瀬勇樹・市川修平・熊本恭介・柴岡真美・船戸 充・川上養一（京大） ED2017-52 CPM2017-95 LQE2017-65 |
近年，AlGaN/Al(Ga)N量子井戸を用いた深紫外LEDの研究が進展をみせており，メーカーによる市販化も始まった．し... [more] | ED2017-52 CPM2017-95 LQE2017-65 pp.15-18 |
| LQE, OPE, OCS (共催) |
2016-10-27 17:00 |
宮崎 | 宮崎市民プラザ（宮崎） | フラットバンド構造内に挿入された超格子におけるミニバンド形成過程とキャリア輸送評価 ○中村 翼・松落高輝・武田秀明（宮崎大）・Kasidit Toprasertpong・杉山正和・中野義昭（東大）・鈴木秀俊・碇 哲雄・福山敦彦（宮崎大） OCS2016-45 OPE2016-86 LQE2016-61 |
超格子のミニバンドを利用した量子井戸太陽電池や量子カスケードレーザーでは、ミニバンド内で再結合させずにキャリア輸送する必... [more] | OCS2016-45 OPE2016-86 LQE2016-61 pp.61-64 |
| CPM | 2014-09-05 09:30 |
山形 | 山形大学工学部百年周年記念会館 セミナールーム1,2,3 | 減圧MOCVD法による非極性窒化ガリウム膜の成長とその特性 寺口祐介・三宅祐介・西山智哉（長岡技科大）・大石耕一郎・片桐裕則（長岡高専）・玉山泰宏・○安井寛治（長岡技科大） CPM2014-83 |
減圧MOCVD法を用いてr面サファア基板上に非極性GaN結晶膜を成長させた。低温バッファー層を挿入した二段階成長、更に中... [more] | CPM2014-83 pp.43-47 |
| ITE-IDY, EID, IEE-EDD (連催) |
2013-01-24 15:16 |
静岡 | 静岡大学 | InGaN量子井戸の2波長励起フォトルミネッセンスによる評価 ○村越尚輝・トウヒドル イスラム・福田武司・鎌田憲彦（埼玉大）・荒川泰彦（東大） EID2012-21 |
時間分解フォトルミネッセンス（PL）および非破壊・非接触で非発光再結合準位として作用する禁制帯内準位の評価が可能な2波長... [more] | EID2012-21 pp.49-52 |
| CPM | 2012-10-27 12:15 |
新潟 | まちなかキャンパス長岡 | ガスソースMBEによるSi上の高密度Geナノドットの作製と発光特性 ○姉崎 豊・佐藤 魁・加藤孝弘・加藤有行・豊田英之（長岡技科大）・末光真希（東北大）・中澤日出樹（弘前大）・成田 克（山形大）・安井寛治（長岡技科大） CPM2012-111 |
パルス制御核発生法を用いたガスソースMBE法によりSi(001) -2˚off基板上にGeナノドットを形成し，... [more] | CPM2012-111 pp.97-100 |
| EMD, CPM, OME (共催) |
2012-06-22 15:35 |
東京 | 機械振興会館 | 塩化亜鉛を原料に用いた溶液成長法によるZnOナノロッドの成長と形状制御 ○寺迫智昭・村上聡宏（愛媛大）・矢木正和（香川高専）・白方 祥（愛媛大） EMD2012-12 CPM2012-29 OME2012-36 |
塩化亜鉛(ZnCl$_2$)水溶液を用いた溶液成長法(CBD: Chemical Bath Deposition)によっ... [more] | EMD2012-12 CPM2012-29 OME2012-36 pp.23-28 |
| EID, ITE-IDY, IEE-EDD (連催) |
2012-01-27 14:38 |
秋田 | 秋田大学 手形キャンパス | Ba3Si6O12N2:Eu2+蛍光体の2波長励起フォトルミネッセンス評価 ○石岡 亮・五十嵐航平・福田武司（埼玉大）・下村康夫（三菱化学）・鎌田憲彦（埼玉大） EID2011-19 |
高効率、高信頼な蛍光体材料の探索が続けられている．ピーク波長525nmで，250nmから450nm付近での励起が可能なB... [more] | EID2011-19 pp.21-24 |
| CPM | 2011-08-10 14:15 |
青森 | 弘前大学 文京町キャンパス | SiC層中に埋め込まれたGe・SiCドットの発光特性 大谷孝史・姉崎 豊・浅野 翔・加藤有行（長岡技科大）・成田 克（山形大）・中澤日出樹（弘前大）・加藤孝弘・○安井寛治（長岡技科大） CPM2011-59 |
Si基板上へガスソースMBE法によりモノメチルゲルマン(MMGe)を用いてSi c(4×4)構造形成後， Ge, SiC... [more] | CPM2011-59 pp.15-20 |
| EMD, CPM, OME (共催) |
2011-06-30 16:30 |
東京 | 機械振興会館 | Biと希土類元素を共添加したバナデートベース酸化物蛍光体薄膜のPL及びEL特性 ○宮田俊弘・南 内嗣（金沢工大） EMD2011-17 CPM2011-53 OME2011-31 |
多色発光の実現を目的に、Biと希土類元素を共添加したバナデートベース酸化物蛍光体薄膜を作製し、そのフォトルミネッセンス(... [more] | EMD2011-17 CPM2011-53 OME2011-31 pp.53-57 |
| EID, ITE-IDY, IEE-EDD, IEIJ-SSL (連催) |
2011-01-28 13:45 |
高知 | 高知工科大学 研究教育棟B | Ba3Si6012N2:Eu2+蛍光体のフォト－及び熱ルミネッセンス評価 ○石岡 亮・五十嵐航平・福田武司（埼玉大）・木島直人（三菱化学）・鎌田憲彦（埼玉大） EID2010-28 |
白色LEDでの緑色発光源として有望なBa3Si6O12N2:Eu2+蛍光体に対して，内部量子効率，フォトルミネッセンス（... [more] | EID2010-28 pp.25-28 |
| LQE, OPE, OCS (共催) |
2010-10-29 10:10 |
福岡 | 門司港レトロ・港ハウス | カルコパイライト型半導体AgGaSe2の異方性熱物性値 ○永岡 章・吉野賢二（宮崎大） OCS2010-74 OPE2010-110 LQE2010-83 |
I-III-VI2族カルコパイライト型半導体は、太陽電池をはじめ、LEDや非線形光学素子等のオプトエレクトロニクスデバイ... [more] | OCS2010-74 OPE2010-110 LQE2010-83 pp.113-116 |
| LQE, OPE, OCS (共催) |
2010-10-29 10:35 |
福岡 | 門司港レトロ・港ハウス | カルコパイライト型半導体AgGaSe2結晶の光学評価による物性解析 永岡 章・○吉野賢二（宮崎大） OCS2010-75 OPE2010-111 LQE2010-84 |
三元系カルコパイライト型半導体は、多元系という特性のためSiやGeといった元素半導体では得られない有益な物性値を持ってい... [more] | OCS2010-75 OPE2010-111 LQE2010-84 pp.117-120 |
| CPM | 2010-10-29 10:25 |
長野 | 信州大学 工学部 地域共同研究センター３階研修室 | パルスモードホットメッシュCVD法によるGaN成長条件の最適化 永田一樹・里本宗一（長岡技科大）・片桐裕則・神保和夫（長岡高専）・末光眞希・遠藤哲郎・伊藤 隆（東北大）・中澤日出樹（弘前大）・成田 克（山形大）・○安井寛治（長岡技科大） CPM2010-102 |
紫外・青紫LED, LD、また高温環境下で動作する電子デバイス用材料であるGaNの省資源成長法として期待されるホットメッ... [more] | CPM2010-102 pp.55-58 |
| ITE-IDY, EID, IEIJ-SSL, IEE-EDD (共催) |
2010-01-28 14:20 |
福岡 | 九州大学(筑紫地区) | InGaN量子井戸中の非発光再結合準位の2波長励起フォトルミネッセンス評価 ○山口朋彦・五十嵐航平・福田武司・本多善太郎・鎌田憲彦（埼玉大） |
非破壊・非接触で非発光再結合準位として作用する禁制帯内準位の評価が可能な2波長励起フォトルミネセンス法を用いて，障壁層と... [more] | EID2009-55 pp.33-36 |
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