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| 研究会 | 発表日時 | 開催地 | タイトル・著者 | 抄録 | 資料番号 | |
| SDM, EID (共催) |
2014-12-12 16:15 |
京都 | 京都大学 | Si面4H-SiC n-MOSFETにおけるSplit C-V特性の周波数依存性 ○結城広登（奈良先端大）・矢野裕司（奈良先端大/筑波大）  EID2014-33 SDM2014-128 |
Si面4H-SiCのn-MOSFETを作製し，1Hz～1MHzの範囲でSplit C-V測定を行った．Split C-V... [more] | EID2014-33 SDM2014-128 pp.103-107 |
| CPM | 2014-10-24 15:20 |
長野 | 信州大学工学部 地域共同研究センター３階研修 キャンパスマップ17番 | TEOSを用いた熱CVD法による4H-SiC MIS特性に対するH2アニールの効果 ○狩野巧生・赤羽桂幸・小林悠太・山上朋彦・上村喜一（信州大） CPM2014-109 |
TEOSを用いた熱CVD法により4H-SiC(0001)Si面にSiO2膜を形成し、作製したSiO2/SiCキャパシタの... [more] | CPM2014-109 pp.25-28 |
| SDM | 2014-06-19 16:55 |
愛知 | 名古屋大学 ベンチャー・ビジネス・ラボラトリー | ［依頼講演］絶縁膜上におけるIV族半導体多結晶薄膜の低温形成 ～ 低融点Snの活用 ～ ○黒澤昌志（名大/学振）・田岡紀之（名大）・池上 浩（九大）・竹内和歌奈・坂下満男・中塚 理・財満鎭明（名大） SDM2014-60 |
積層型 CMOS 回路や近赤外・中赤外光フォトディテクタの新規材料として,我々は IV 族多元半導体(GeSn, SiS... [more] | SDM2014-60 pp.91-95 |
| SDM, OME (共催) |
2014-04-11 10:50 |
沖縄 | 沖縄県青年会館 | BLDAを用いた低温プロセスpoly-Si TFT ○下田清治・杉原弘也・井村公彦・岡田竜弥・野口 隆（琉球大） SDM2014-14 OME2014-14 |
低コストでの製造プロセスによるpoly-Si TFTは、ガラス上およびフレキシブルパネルに必要とされている。本研究では、... [more] | SDM2014-14 OME2014-14 pp.59-61 |
| SDM, OME (共催) |
2014-04-11 11:10 |
沖縄 | 沖縄県青年会館 | ブルーマルチレーザダイオードアニールを施したガラス上Si薄膜の光伝導特性 ○コスワッタゲー チャリット ジャヤナダ・知念 怜・杉原弘也・岡田竜弥・野口 隆（琉球大） SDM2014-15 OME2014-15 |
ガラス上のSi膜の機能光センサ応用をめざし、ブルーマルチレーザダイオードアニール（BLDA）を施したSi膜の光伝導性につ... [more] | SDM2014-15 OME2014-15 pp.63-65 |
| SDM | 2013-12-13 17:00 |
奈良 | 奈良先端科学技術大学院大学 | 界面にリンおよび窒素を導入した4H-SiC MOSFETのしきい値電圧不安定性の考察 ○金藤夏子・矢野裕司・大澤 愛・畑山智亮・冬木 隆（奈良先端大） SDM2013-132 |
シリコンカーバイド(SiC)製MOSFETは高耐圧でも低損失な新しいパワーデバイスとして期待されているが，しきい値電圧の... [more] | SDM2013-132 pp.97-100 |
| CPM, LQE, ED (共催) |
2013-11-29 11:25 |
大阪 | 大阪大学 吹田キャンパス | サファイア上AlN緩衝層のN2-COアニールとMOVPE法による高温成長 ○西尾 剛・鈴木周平・三宅秀人・平松和政（三重大）・福山博之（東北大） ED2013-80 CPM2013-139 LQE2013-115 |
AlNはワイドギャップ半導体であり，熱及び化学的特性が安定であることから，深紫外光デバイス材料として注目されている．本研... [more] | ED2013-80 CPM2013-139 LQE2013-115 pp.75-78 |
| CPM | 2013-10-25 09:55 |
新潟 | 新潟大ときめいと | FeおよびFeSi積層膜からの固相反応法によるSi上鉄シリサイド薄膜形成 ○籾山克章・鹿又健作・有馬ボシールアハンマド・久保田 繁・廣瀬文彦（山形大） CPM2013-103 |
直接遷移半導体膜として期待されるβ-FeSi2をSi上に鉄あるいは鉄シリサイド膜を形成して、固相反応法を用いて作製した。... [more] | CPM2013-103 pp.49-52 |
| EMD, CPM, OME (共催) |
2013-06-21 15:55 |
東京 | 機械振興会館 | LiNbO3基板上におけるCr2O3薄膜の結晶成長 ○中村拓未・黒田卓司・岩田展幸・山本 寛（日大） EMD2013-20 CPM2013-35 OME2013-43 |
c面およびr面LiNbO3(LNO)基板のアニール最適条件探索を行った。c面では温度700ºC～950ºC、5～12時間... [more] | EMD2013-20 CPM2013-35 OME2013-43 pp.71-76 |
| SDM | 2013-06-18 15:10 |
東京 | 機械振興会館 | ［依頼講演］POCl3アニールによるSiC-MOSデバイスの高性能化 ○矢野裕司・畑山智亮・冬木 隆（奈良先端大） SDM2013-58 |
POCl3アニールによりSiO2/4H-SiC界面にリンを導入したMOSデバイスの特性を調査した。従来法のNOアニールに... [more] | SDM2013-58 pp.71-76 |
| SDM | 2013-06-18 16:10 |
東京 | 機械振興会館 | ［依頼講演］熱酸化SiC-MOSデバイス中の可動イオンの異常生成と特性改善技術 ○渡部平司・チャンタパン アタウット（阪大）・中野佑紀・中村 孝（ローム）・細井卓治・志村考功（阪大） SDM2013-61 |
熱酸化によって4H-SiC(0001)基板上に形成したMOSデバイス中の可動イオンの異常生成を詳細に調べると共に，その改... [more] | SDM2013-61 pp.87-90 |
| ED | 2013-04-19 11:35 |
宮城 | 東北大学電通研 片平北キャンパス ナノ・スピン総合研究棟4階 カンファレンスルーム | Ar雰囲気下高温アニールによる6H-SiC(0001)面上高品質エピタキシャルグラフェン形成 ○舩窪一智・猪俣州哉・佐藤 良・朴 君昊（東北大）・小嗣真人（高輝度光科学研究センター）・吹留博一・末光真希（東北大） ED2013-15 |
Si代替FETチャネル材料として高移動度の新素材グラフェンが近年注目されている。しかし、現在報告されているグラフェンFE... [more] | ED2013-15 pp.59-62 |
| SDM, ED (共催) |
2013-02-28 11:20 |
北海道 | 北海道大学（百年記念会館） | ジュール加熱されたグラフェンの近赤外イメージングによるその場温度測定 ○齋藤孝成・厚母息吹・須田隆太郎・伊藤光樹・白樫淳一（東京農工大） ED2012-142 SDM2012-171 |
我々は，その場温度観察が可能な近赤外イメージングシステムを利用して，通電下のグラフェンの発熱現象のリアルタイム観察を行っ... [more] | ED2012-142 SDM2012-171 pp.77-82 |
| MW, ED (共催) |
2013-01-18 14:55 |
東京 | 機械振興会館 | SiCNゲート絶縁膜を用いたAlGaN/GaN MISゲートHEMT ○小林健悟・吉田智洋・尾辻泰一・片山竜二・松岡隆志・末光哲也（東北大） ED2012-126 MW2012-156 |
HMDSを反応ガスとするPECVDにより堆積したSiCNゲート絶縁膜を導入したAlGaN/GaN MISゲート高電子移動... [more] | ED2012-126 MW2012-156 pp.75-78 |
| SDM | 2012-12-07 10:45 |
京都 | 京都大学(桂) | 4H-SiC（11-20）面上に形成したMOS界面へのリン導入による界面準位密度の低減効果 ○梅澤奈央・矢野裕司・畑山智亮・冬木 隆（奈良先端大） SDM2012-118 |
これまで、POCl3アニールによりPをSiO2/4H-SiC界面に導入することで、Si面・C面ともに優れた界面準位密度の... [more] | SDM2012-118 pp.19-23 |
| ED, LQE, CPM (共催) |
2012-11-30 13:15 |
大阪 | 大阪市立大学 | n-GaN表面層を有する構造内p-GaNのMgアクセプタ活性化 ○桑野侑香・加賀 充・森田隆敏・山下浩司・南川大智・竹内哲也・岩谷素顕・上山 智（名城大）・赤サキ 勇（名城大/名大） ED2012-83 CPM2012-140 LQE2012-111 |
p-GaNでは、Mgアクセプタと水素の結合を切断し、電気的に活性化させる熱アニールが必要である。一方、n-GaN内には原... [more] | ED2012-83 CPM2012-140 LQE2012-111 pp.81-85 |
| ED, SDM, CPM (共催) |
2012-05-17 16:45 |
愛知 | 豊橋技術科学大学ベンチャー・ビジネス・ラボラトリー | Ga2O3酸素センサの作製と評価 ○以西雅章・山本貴弘・鳥井琢磨（静岡大） ED2012-25 CPM2012-9 SDM2012-27 |
あらまし 近年、環境問題に対する関心の高まりから、排気ガスの制御に酸素ガスセンサが注目されている。酸化ガリウムは900... [more] | ED2012-25 CPM2012-9 SDM2012-27 pp.39-42 |
| OME, IEE-DEI (連催) |
2012-01-20 15:25 |
愛知 | 名古屋大学 | ジュール熱を利用したアニール法による有機薄膜太陽電池の最適化 ○内藤憲樹・森 竜雄（名大） OME2011-77 |
P3HTとPCBMを用いた素子では変換効率を上げるために、アニールが必要である。一般的には、基板はアニールにはホットプレ... [more] | OME2011-77 pp.45-49 |
| SDM | 2011-12-16 10:40 |
奈良 | 奈良先端科学技術大学院大学 | SiO2/p型4H-SiC界面特性におけるPOCl3アニールの効果 ○高上稔充・矢野裕司・畑山智亮・冬木 隆（奈良先端大） SDM2011-134 |
MOSデバイス特性を左右する界面準位に対し、我々はこれまでにPOCl3アニールによりリンを界面に導入することで、SiO2... [more] | SDM2011-134 pp.11-15 |
| OPE | 2011-12-16 13:55 |
東京 | 機械振興会館 | スパッタリング法による希土類ドープTa2O5薄膜の作製とその発光特性の評価 三浦健太・○新井勇輝・花泉 修（群馬大） OPE2011-143 |
スパッタリング法によりEuドープTa2O5薄膜を成膜し，アニール後，波長600nm, 620nm, 650nm及び700... [more] | OPE2011-143 pp.13-16 |
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