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研究会 発表日時 開催地 タイトル・著者 抄録 資料番号
EMCJ 2016-11-25
11:20
東京 機械振興会館 負の群遅延特性の広帯域化のための埋め込み型多層F-SIR構造に関する検討
佐々木隆司秋田大)・萓野良樹電通大)・田中元志秋田大EMCJ2016-91
負の群遅延特性を実現する方法として,多層F-SIR構造が提案されたが,負の群遅延発現帯域の広帯域化が求められている.本研... [more] EMCJ2016-91
pp.19-24
ED 2014-08-01
14:45
東京 機械振興会館B3-1室 GaAs JPHEMT P-Type Cap層によるオフ特性改善
竹内克彦谷口 理柳田将志ソニー)・佐々木有司中村光宏ソニーセミコンダクタ)・和田伸一ソニーED2014-58
低い挿入損失と良好な高調波歪特性により, Junction Pseudomorphic High Electron Mo... [more] ED2014-58
pp.29-34
ITE-MMS, ITE-CE, MRIS
(共催)
2009-01-15
13:30
大阪 パナソニック 松心会館 超高記録密度塗布型磁気記録媒体用Fe16N2超微粒子の開発
佐々木勇治井上鉄太郎渡辺利幸土井嗣裕岸本幹雄日立マクセル)・奥 隆之加倉井和久原子力機構MR2008-51
新しい磁気記録媒体用の磁性粉末としてFe16N2超微粒子を開発した.18nm程度の球状超微粒子であり,表面は酸化物,内部... [more] MR2008-51
pp.5-9
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