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| 研究会 | 発表日時 | 開催地 | タイトル・著者 | 抄録 | 資料番号 | |
| SDM, ED (共催) (ワークショップ) |
2012-06-29 08:45 |
沖縄 | 沖縄県青年会館 | ［招待講演］Potential of GeSn Alloys for Application to Si Nanoelectronics ○Shigeaki Zaima・Yosuke Shimura・Marika Nakamura・Wakana Takeuchi・Mitsuo Sakashita・Osamu Nakatsuka（Nagoya Univ.） |
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| SDM | 2012-06-21 10:55 |
愛知 | 名古屋大学（ベンチャー・ビジネス・ラボラトリー） | Al2O3/Ge構造への酸素熱処理および酸素ラジカル処理による界面反応機構の解明 ○柴山茂久（名大）・加藤公彦（名大/学振）・坂下満男・竹内和歌奈・田岡紀之・中塚 理・財満鎭明（名大）  SDM2012-48 |
高駆動力 Ge MOSFETの実現には，低界面準位密度（Dit）かつ低SiO2換算膜厚を有するhigh-k絶縁膜/Ge構... [more] | SDM2012-48 pp.27-32 |
| SDM | 2012-06-21 11:35 |
愛知 | 名古屋大学（ベンチャー・ビジネス・ラボラトリー） | ゲート電極の還元性がGe基板上Pr酸化膜のPr価数に与える影響 ○加藤公彦（名大/学振）・坂下満男・竹内和歌奈・田岡紀之・中塚 理・財満鎭明（名大） SDM2012-50 |
本研究では，金属/Pr酸化膜/Geゲートスタック構造の化学結合状態にゲート金属が与える影響について，酸素化学ポテンシャル... [more] | SDM2012-50 pp.37-42 |
| ED, SDM, CPM (共催) |
2012-05-18 11:40 |
愛知 | 豊橋技術科学大学ベンチャー・ビジネス・ラボラトリー | SiGe基板上へのひずみGeエピタキシャル層成長と結晶物性評価 ○山羽 隆・中塚 理（名大）・木下恭一・依田眞一（JAXA）・財満鎭明（名大） ED2012-32 CPM2012-16 SDM2012-34 |
[more] | ED2012-32 CPM2012-16 SDM2012-34 pp.73-77 |
| SDM | 2012-03-05 15:55 |
東京 | 機械振興会館 | Wafer-on-wafer構造における貫通Si電極周辺の局所歪の評価 ○中塚 理（名大）・北田秀樹・金 永束（東大）・水島賢子・中村友二（富士通研）・大場隆之（東大）・財満鎭明（名大） SDM2011-184 |
Wafer-on-wafer技術の応用に向けて，積層した薄化Si層内部における局所歪構造を，顕微ラマン分光法およびX線マ... [more] | SDM2011-184 pp.47-52 |
| SDM | 2011-07-04 11:40 |
愛知 | 名古屋大学（ベンチャー・ビジネス・ラボラトリー） | Evaluation of Light Induced Damages in Plasma Process on Electrical Properties of Al2O3/Ge Gate Stack Structure ○Kusuman Dari・Wakana Takeuchi・Kimihiko Kato・Shigehisa Shibayama・Mitsuo Sakashita・Osamu Nakatsuka・Shigeaki Zaima（Nagoya Univ.） SDM2011-57 |
We have investigated the effect of light induced damages on ... [more] | SDM2011-57 pp.41-46 |
| SDM | 2011-07-04 13:20 |
愛知 | 名古屋大学（ベンチャー・ビジネス・ラボラトリー） | Al2O3/Ge構造に対する酸素熱処理の界面特性に及ぼす効果 ○柴山茂久（名大）・加藤公彦（名大/学振）・坂下満男・竹内和歌奈・中塚 理・財満鎭明（名大） SDM2011-59 |
次世代CMOSの実現に向けて，低い界面準位密度（<1011 cm－2-eV－1）と低SiO2等価膜厚（1 nm）とを同時... [more] | SDM2011-59 pp.51-56 |
| SDM | 2011-07-04 13:40 |
愛知 | 名古屋大学（ベンチャー・ビジネス・ラボラトリー） | Pr酸化膜/Ge構造におけるPrの価数制御に基づく界面反応制御 ○加藤公彦（名大/学振）・坂下満男・竹内和歌奈・中塚 理・財満鎭明（名大） SDM2011-60 |
プラセオジム（Pr）酸化膜/GeおよびPr酸化膜/Pr酸窒化膜/Ge構造において化学結合状態および電気的特性を評価し，P... [more] | SDM2011-60 pp.57-62 |
| SDM | 2010-06-22 13:25 |
東京 | 東京大学（生産研An棟） | 原子層堆積法により作製したPrAlOの結晶構造および電気的特性 ○古田和也・竹内和歌奈・坂下満男・近藤博基・中塚 理・財満鎭明（名大） SDM2010-40 |
[more] | SDM2010-40 pp.39-42 |
| SDM | 2009-06-19 13:20 |
東京 | 東京大学（生産研An棟） | ラジカル窒化法によるHigh-k/Ge界面構造制御 ○加藤公彦・近藤博基・坂下満男・財満鎭明（名大） SDM2009-33 |
高移動度Geチャネルを有するmetal-oxide-semiconductor (MOS) 型トランジスタの実現に向け、... [more] | SDM2009-33 pp.39-44 |
| SDM | 2009-06-19 14:50 |
東京 | 東京大学（生産研An棟） | LaAlO/Ge構造へのALD-Al2O3界面制御層挿入の効果 ○坂下満男・加藤亮祐・京極真也・近藤博基・財満鎭明（名大） SDM2009-37 |
GeチャネルMOSFETは高速動作および低電圧動作デバイスとして期待され、また一方で、high-k材料によるゲート絶縁膜... [more] | SDM2009-37 pp.61-66 |
| SDM | 2009-06-19 16:20 |
東京 | 東京大学（生産研An棟） | Pr(EtCp)3を用いた原子層堆積法によるPr酸化膜の形成 ○近藤博基・古田和也・松井裕高・坂下満男・財満鎭明（名大） SDM2009-41 |
Pr(EtCp)3を用いた原子層堆積法(ALD)によるPr酸化膜の成長手法について研究を行い，ウェハー面内での膜厚ばらつ... [more] | SDM2009-41 pp.81-85 |
| SDM | 2008-06-10 13:10 |
東京 | 東京大学(生産研 An棟) | MOCVD法によるPr酸化膜の作製およびその電気的特性評価 ○近藤博基・櫻井晋也（名大）・酒井 朗（阪大）・小川正毅・財満鎭明（名大） SDM2008-54 |
バブリングによる原料供給が可能なシクロペンタジエニル錯体(Pr(EtCp)3)を用いた有機金属化学気相蒸着(MOCVD)... [more] | SDM2008-54 pp.71-75 |
| SDM | 2007-06-08 15:30 |
広島 | 広島大学（学士会館） | Ｇｅ基板上へのＰｒ酸化膜の作製と評価 ○坂下満男・鬼頭伸幸（名大）・酒井 朗（阪大）・小川正毅・財満鎭明（名大） SDM2007-51 |
High-kゲート絶縁膜によるGeチャネルMOSFETは高機能デバイスとして期待され、注目されている。我々はパルスレーザ... [more] | SDM2007-51 pp.107-111 |
| SDM | 2006-06-21 14:30 |
広島 | 広島大学, 学士会館 | La2O3-Al2O3複合膜における定電圧ストレス印加時の局所的な電荷捕獲とその放出過程 ○佐合寿文・世古明義・坂下満男・酒井 朗・小川正毅・財満鎭明（名大） |
高誘電率ゲート絶縁膜として期待されているLa2O3-Al2O3複合膜に着目し、定電圧ストレス印加中の局所リーク電流を電流... [more] | SDM2006-45 pp.19-24 |
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