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| 研究会 | 発表日時 | 開催地 | タイトル・著者 | 抄録 | 資料番号 | |
| MW, ED (共催) |
2019-01-18 13:00 |
東京 | 日立中研 | ［依頼講演］光通信・無線通信向け超高速IC技術 ○野坂秀之・長谷宗彦・濱田裕史・徐 照男・脇田 斉・堤 卓也・杉山弘樹・武藤美和・井田 実・松崎秀昭（NTT）  ED2018-84 MW2018-151 |
[more] | ED2018-84 MW2018-151 pp.79-84 |
| OCS, OPE, LQE (共催) |
2018-11-12 16:50 |
東京 | 機械振興会館 | ［特別招待講演］100GHzアナログマルチプレクサとInPマッハツェンダ変調器を用いた400Gbps DMT伝送 ○山崎裕史・長谷宗彦・脇田 斉・小木曽義弘・中村政則・井田 実・橋本俊和・野坂秀之・宮本 裕（NTT） OCS2018-66 OPE2018-95 LQE2018-84 |
本講演はECOC’18ポストデッドライン発表のレビューである。>100GHz アナログマルチプレクサ(AMUX)と、80... [more] | OCS2018-66 OPE2018-95 LQE2018-84 p.29 |
| ED, MW (共催) |
2018-01-25 16:35 |
東京 | 機械振興会館地下3階研修2号室 | SiC放熱基板によるInP系ダブルヘテロ接合バイポーラトランジスタの高周波特性の改善 ○白鳥悠太・星 拓也・井田 実・松崎秀昭（NTT） ED2017-96 MW2017-165 |
基板接合技術を用いてSiC放熱基板上にAuサブコレクタ層を介してInP系ダブルヘテロ接合バイポーラトランジスタ（DHBT... [more] | ED2017-96 MW2017-165 pp.15-18 |
| ED, MW (共催) |
2014-01-17 13:55 |
東京 | 機械振興会館 | InP MZM向け低消費電力線形ドライバモジュール ○脇田 斉・長谷宗彦・武藤美和・綱島 聡・福山裕之・野坂秀之・柏尾典秀・井田 実・栗島賢二（NTT） ED2013-130 MW2013-195 |
小型低消費電力の28Gbaud 16-QAM (quadrature amplitude modulation)光送信モ... [more] | ED2013-130 MW2013-195 pp.115-120 |
| ED, MW (共催) |
2012-01-12 10:35 |
東京 | 機械振興会館 | MOCVD成長狭バンドギャップInGaAsSbベースを有する低ターン・オン電圧動作ヘテロ接合バイポーラトランジスタ ○星 拓也・杉山弘樹・横山春喜・栗島賢二・井田 実（NTT） ED2011-130 MW2011-153 |
通信トラフィックの増大に伴い、通信設備の電力消費量も増大し続けており、TIAのような光通信用トランシーバを構成するICの... [more] | ED2011-130 MW2011-153 pp.63-68 |
| ED, MW (共催) |
2012-01-12 11:00 |
東京 | 機械振興会館 | 0.5-um InP HBTによる光通信用60-GS/s D/A変換器 ○長谷宗彦・野坂秀之・佐野公一・村田浩一・栗島賢二・井田 実（NTT） ED2011-131 MW2011-154 |
100 Gb/s/chを超える高速・大容量光通信システムに向けて，16-QAMや64-QAMといった高度な多値変調技術の... [more] | ED2011-131 MW2011-154 pp.69-74 |
| ED, MW (共催) |
2012-01-12 11:25 |
東京 | 機械振興会館 | Components in 0.5-um-emitter-width InP-HBT Technology for High-Speed and Low-Power Applications ○Yves Bouvier・Munehiko Nagatani・Kimikazu Sano・Koichi Murata・Kenji Kurishima・Minoru Ida（NTT） ED2011-132 MW2011-155 |
Two basic components for high-speed and low-power applicatio... [more] | ED2011-132 MW2011-155 pp.75-79 |
| MW, ED (共催) |
2011-01-14 13:50 |
東京 | 機械振興会館 | InP-IC応用に向けた新スタック型MIMキャパシタ ○堤 卓也・杉谷末広・西村一巳・井田 実（NTT） ED2010-189 MW2010-149 |
InP-IC において大面積を占めるキャパシタ素子の密度を向上させることは、InP-IC の小型化において大変有用である... [more] | ED2010-189 MW2010-149 pp.75-80 |
| R | 2009-11-20 14:45 |
大阪 | 大阪：中央電気倶楽部 | 高速InP HBTにおけるエミッタ電極の長期通電での劣化現象と高耐熱金属導入による高信頼化 ○深井佳乃・栗島賢二・柏尾典秀・井田 実・山幡章司・榎木孝知（NTT） R2009-43 |
[more] | R2009-43 pp.11-16 |
| R, ED, SDM (共催) |
2005-11-25 14:25 |
大阪 | 中央電気倶楽部 | 動作電流密度2mA/um2以上で高信頼性を有するレッジ付きInP HBT ○深井佳乃・栗島賢二・井田 実・山幡章司・榎木孝知（NTT） |
[more] | R2005-43 ED2005-178 SDM2005-197 pp.31-35 |
| OCS, OPE, LQE (共催) |
2005-11-03 17:25 |
福岡 | 九州工業大学 | InP HBT再成長プロセスによる100GHz受信OEIC ○柏尾典秀・栗島賢ニ・佐野公一・井田 実・渡邉則之・福山裕之・菅原裕彦・徳光雅美・榎木孝知（NTT） |
InPヘテロ接合バイポーラトランジスタ(InP HBT)の全面再成長法により、InP HBTと単一走行キャリアフォトダイ... [more] | OCS2005-56 OPE2005-86 LQE2005-94 pp.43-46 |
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