| 電子情報通信学会 研究会発表申込システム 研究会 開催スケジュール |
技報閲覧サービス [ログイン] 技報アーカイブ |
すべての研究会開催スケジュール (検索条件: すべての年度)
| 研究会 | 発表日時 | 開催地 | タイトル・著者 | 抄録 | 資料番号 | |
| SDM | 2024-01-31 12:35 |
東京 | 金沢工業大学大学院 虎ノ門キャンパス （ハイブリッド開催，主：現地開催，副：オンライン開催） |
［招待講演］mK評価が明らかにするMOSFET極低温動作におけるバンド端準位の役割 ○岡 博史・浅井栄大・稲葉 工・下方駿佑・由井 斉・更田裕司・飯塚将太・加藤公彦・中山隆史・森 貴洋（産総研）  SDM2023-74 |
高集積量子コンピュータの実現に向けて，量子ビット制御機器の機能を集積回路化して冷凍機内部で信号の送受信を行うクライオCM... [more] | SDM2023-74 pp.1-4 |
| SCE | 2024-01-23 15:25 |
東京 | 機械振興会館 （ハイブリッド開催，主：現地開催，副：オンライン開催） |
［招待講演］TCAD技術をベースとした半導体量子ビットシミュレータの開発 ○浅井栄大・飯塚将太・最上 徹・服部淳一・福田浩一・池上 努・加藤公彦・岡 博史・森 貴洋（産総研） |
[more] | |
| SDM | 2023-11-09 15:55 |
東京 | 機械振興会館 5階 5S-2 会議室 （ハイブリッド開催，主：現地開催，副：オンライン開催） |
［招待講演］シリコン量子ビットの大規模集積化に向けた量子デバイスシミュレータの開発 ○浅井栄大・飯塚将太・最上 徹・服部淳一・福田浩一・池上 努・加藤公彦・岡 博史・森 貴洋（産総研） SDM2023-67 |
[more] | SDM2023-67 pp.20-25 |
| SDM | 2023-11-10 13:10 |
東京 | 機械振興会館 5階 5S-2 会議室 （ハイブリッド開催，主：現地開催，副：オンライン開催） |
［招待講演］極低温におけるMOSFETのノイズ源 ○稲葉 工・岡 博史・浅井栄大・更田裕司・飯塚将太・加藤公彦・下方駿佑・福田浩一・森 貴洋（産総研） SDM2023-70 |
量子計算機に用いられる無数の量子ビットを制御する目的で極低温動作集積回路の開発が求められている。その回路設計にむけて極低... [more] | SDM2023-70 p.35 |
| SDM, ICD (共催) ITE-IST (連催) [詳細] |
2023-08-01 15:25 |
北海道 | 北海道大学 情報教育館 3F （ハイブリッド開催，主：現地開催，副：オンライン開催） |
［招待講演］短チャネルバルクMOSFETsの極低温動作時に生じる低周波ノイズの起源 ○稲葉 工・岡 博史・浅井栄大・更田裕司・飯塚将太・加藤公彦・下方駿佑・福田浩一・森 貴洋（産総研） SDM2023-40 ICD2023-19 |
極低温動作MOSFETは量子ビット制御回路への利用が期待されている。本研究は極低温動作時の低周波ノイズの起源解明を目指す... [more] | SDM2023-40 ICD2023-19 pp.22-27 |
| SDM | 2023-06-26 10:50 |
広島 | 広島大学 ナノデバイス研究所 | ［記念講演］極低温動作MOSFETのクーロン散乱移動度に対するバンド端準位の影響 ○岡 博史・稲葉 工・飯塚将太・浅井栄大・加藤公彦・森 貴洋（産総研） SDM2023-28 |
高集積量子コンピュータの実現に向けて、量子ビットの制御機能を集積回路化し極低温環境下で動作させるクライオCMOS技術が期... [more] | SDM2023-28 pp.5-6 |
| SDM | 2022-11-11 13:00 |
ONLINE | オンライン開催 | ［招待講演］クライオCMOSにおける電子移動度制限要因の理解 ○岡 博史・稲葉 工・飯塚将太・浅井栄大・加藤公彦・森 貴洋（産総研） SDM2022-74 |
高集積量子コンピュータを実現するため、量子ビットの制御機能を集積回路化し極低温環境下で動作させる技術が期待されている。量... [more] | SDM2022-74 p.49 |
| ICD, SDM (共催) ITE-IST (連催) [詳細] |
2022-08-09 11:05 |
ONLINE | オンライン開催に変更 現地開催(北海道大学百年記念会館)は中止 | ［招待講演］極低温動作MOSFETのクーロン散乱移動度に対するバンド端準位の影響 ○岡 博史・稲葉 工・飯塚将太・浅井栄大・加藤公彦・森 貴洋（産総研） SDM2022-46 ICD2022-14 |
大規模な量子コンピュータの実現に向けて、量子ビットの制御機能を集積回路化するクライオCMOS技術が期待されている。極低温... [more] | SDM2022-46 ICD2022-14 pp.54-59 |
| ICD, SDM (共催) ITE-IST (連催) [詳細] |
2022-08-09 11:50 |
ONLINE | オンライン開催に変更 現地開催(北海道大学百年記念会館)は中止 | 極低温短チャネルMOSFETにおける閾値上昇のTCAD解析 ○浅井栄大・稲葉 工・服部淳一・福田浩一・岡 博史・森 貴洋（産総研） SDM2022-47 ICD2022-15 |
[more] | SDM2022-47 ICD2022-15 pp.60-63 |
| SDM | 2021-11-12 11:30 |
ONLINE | オンライン開催 | ［招待講演］セルオートマトン法によるGaN HEMTの移動度の温度依存のモデリング ○福田浩一・服部淳一・浅井栄大（産総研）・矢板潤也・小谷淳二（富士通） SDM2021-62 |
GaN HEMTの移動度の温度依存モデリングにセルオートマトン法を適用した。分布関数をテーブルで持ち微小時間ステップごと... [more] | SDM2021-62 pp.47-52 |
| SDM, ICD (共催) ITE-IST (連催) [詳細] |
2021-08-17 10:15 |
ONLINE | オンライン開催 | ［招待講演］誤り訂正大規模量子コンピュータに実装可能な高速かつ低ばらつきなシリコンスピン量子ビット動作を実現する埋め込み型微小磁石の集積技術 ○飯塚将太・加藤公彦・八木下淳史・浅井栄大・上田哲也・岡 博史・服部淳一・池上 努・福田浩一・森 貴洋（産総研） SDM2021-30 ICD2021-1 |
シリコンスピン量子ビットの高速操作と高い製造ばらつき耐性を同時に実現可能な埋め込み微小磁石の集積構造を提案し、TCADベ... [more] | SDM2021-30 ICD2021-1 pp.1-6 |
| SDM | 2019-11-08 09:30 |
東京 | 機械振興会館 | ［招待講演］強誘電体電界効果トランジスタの動的挙動のデバイスシミュレーション ○服部淳一・池上 努・福田浩一・太田裕之・右田真司・浅井栄大（産総研） SDM2019-74 |
ゲート・スタックに有する強誘電体膜の特性を利用する強誘電体電界効果トランジスタについて，その非定常状態における振る舞いを... [more] | SDM2019-74 pp.27-32 |
| SDM, ICD (共催) ITE-IST (連催) [詳細] |
2019-08-07 14:15 |
北海道 | 北海道大学 情報科学院 3F A31 | 二次元チャネルFETの電流電圧特性におけるフリンジ電界効果のTCAD解析 ○浅井栄大・張 文馨・岡田直也・福田浩一・入沢寿史（産総研） SDM2019-37 ICD2019-2 |
遷移金属ダイカルコゲナイド (TMDC)に代表される層状材料を用いた二次元チャネルFET は、究極のスケーリン グを実... [more] |
SDM2019-37 ICD2019-2 pp.7-10 |
| SDM | 2019-01-29 09:30 |
東京 | 機械振興会館 | ［招待講演］強誘電体負性容量のマルチドメイン動力学とトランジスタ特性特性への影響 ○太田裕之・池上 努・福田浩一・服部淳一・浅井栄大・遠藤和彦・右田真司（産総研）・鳥海 明（東大） SDM2018-81 |
本研究では，マルチドメイン分極を考慮した強誘電体負性容量トランジスタの動的特性を内製TCADモジュールにより明らかにした... [more] | SDM2018-81 pp.1-4 |
| SDM | 2018-11-09 14:20 |
東京 | 機械振興会館 | ［招待講演］強誘電体の負性容量を用いたトランジスタのデバイスシミュレーション ○服部淳一・池上 努・福田浩一・太田裕之・右田真司・浅井栄大（産総研） SDM2018-74 |
ゲート絶縁膜の一つに強誘電体膜を持ち，その負性容量状態を利用する負性容量トランジスタについて，その振る舞いをシミュレーシ... [more] | SDM2018-74 pp.47-52 |
| SDM | 2018-01-30 11:00 |
東京 | 機械振興会館 | ［招待講演］過渡解析TCADシミュレーションによる強誘電体負性容量FinFETトランジスタの考察 ○太田裕之・右田真司・池上 努・服部淳一・浅井栄大・福田浩一（産総研）・鳥海 明（東大） SDM2017-91 |
[more] | SDM2017-91 pp.1-4 |
| SDM | 2017-11-09 15:40 |
東京 | 機械振興会館 | ［招待講演］深いトラップを含むGaN MOSキャパシタ容量のシミュレーション ○福田浩一・浅井栄大・服部淳一・清水三聡（産総研）・橋詰 保（北大） SDM2017-66 |
深いトラップ準位を含むGaN MOSキャパシタの容量をtransientモードで解析する手法を検証し，周波数分散など各非... [more] | SDM2017-66 pp.27-32 |
| SDM, ICD (共催) ITE-IST (連催) [詳細] |
2017-07-31 12:00 |
北海道 | 北海道大学情報教育館 | ドレインオフセット構造を持った相補型TFET回路のTCADシミュレーション ○浅井栄大・森 貴洋・服部淳一・福田浩一・遠藤和彦・松川 貴（産総研） SDM2017-35 ICD2017-23 |
我々はSi チャネルトンネルトランジスタ(TFET)からなる相補型論理回路のTCAD シミュレーションを行い、ドレインオ... [more] | SDM2017-35 ICD2017-23 pp.21-24 |
| SDM | 2017-01-30 10:00 |
東京 | 機械振興会館 | ［招待講演］等電子トラップ技術によるオン電流増大に伴う相補型トンネルトランジスタ回路の性能向上 ○森 貴洋・浅井栄大・服部淳一・福田浩一・大塚慎太郎・森田行則・大内真一・更田裕司・右田真司・水林 亘・太田裕之・松川 貴（産総研） SDM2016-130 |
我々は等電子トラップ(IET)技術を用いて，シリコントンネルトランジスタ(TFET)による相補的回路の性能を改善した．I... [more] | SDM2016-130 pp.1-4 |
| QIT (第二種研究会) |
2013-05-27 - 2013-05-28 |
北海道 | 北海道大学 | ［ポスター講演］Inter-band fluctuations in macroscopic quantum tunneling with two-band superconductors ○Yukihiro Ota・Franco Nori（RIKEN）・Hidehiro Asai・Shiro Kawabata（AIST） |
[more] | |
[研究会発表申込システムのトップページに戻る]