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研究会 発表日時 開催地 タイトル・著者 抄録 資料番号
SCE 2012-10-25
13:50
東京 機械振興会館地下3階1号室 磁性ナノ粒子薄膜を形成したSQUIDの閾値特性と共振ステップ
伊藤 大奥村崇之谷口壮耶赤池宏之藤巻 朗名大SCE2012-19
本誌では、磁性ナノ粒子膜を形成したSQUIDのインダクタンス変化のナノ粒子膜厚依存性及び共振ステップについて述べる。磁性... [more] SCE2012-19
pp.13-18
SCE 2012-10-25
15:40
東京 機械振興会館地下3階1号室 モートにおける磁束排除効果の形状依存性の数値解析
溝口翔太伊藤 大井上真澄藤巻 朗名大SCE2012-23
本研究では時間依存 Ginzburg-Landau(TDGL)方程式を数値解析することにより,モートを形成した超伝導体薄... [more] SCE2012-23
pp.37-42
SCE 2012-07-19
13:10
東京 機械振興会館地下3階1号室 低電圧駆動SFQ回路におけるPTL配線技術の検討
滝波拓海伊藤将人北山敦史田中雅光藤巻 朗名大SCE2012-13
 [more] SCE2012-13
pp.25-30
SCE 2011-10-12
13:50
東京 機械振興会館 磁性ナノ粒子膜に対するSQUIDインダクタンスの応答
矢野 峻奥村崇之赤池宏之藤巻 朗名大SCE2011-14
本誌では、磁性ナノ粒子膜に対するSQUIDインダクタンスの応答について述べる。我々は単一磁束量子(SFQ)回路の高性能化... [more] SCE2011-14
pp.13-17
SCE 2011-10-12
14:15
東京 機械振興会館 プラズマ窒化AlNx障壁層を持つNbNトンネル接合の電気的特性改善
舩井辰則内藤直生人赤池宏之藤巻 朗名大SCE2011-15
本誌では、プラズマ窒化AlNx障壁層を持つNbNトンネル接合における接合作製プロセス及び電気的特性改善について述べる。こ... [more] SCE2011-15
pp.19-24
SCE 2011-10-12
15:40
東京 機械振興会館 大規模SFQ回路のためのNb多層アドバンストプロセスの開発
永沢秀一日野出憲治佐藤哲朗日高睦夫超電導工学研)・藤巻 朗赤池宏之名大)・吉川信行横浜国大)・高木一義高木直史京大SCE2011-18
大規模SFQ回路の開発を目的として、臨界電流密度10kA/cm2のNb多層アドバンストプロセス(ADP)を開発し、そのプ... [more] SCE2011-18
pp.37-42
SCE 2011-07-13
14:25
東京 機械振興会館 相補型デルタアナログ-デジタル変換器の性能改善に向けた積分器の導入
楠本哲也宮嶋茂之松岡宏弥藤巻 朗名大SCE2011-6
本稿では相補型デルタアナログ-デジタル(A/D)変換器への積分器の導入について述べる。相補型デルタA/D変換器に積分器を... [more] SCE2011-6
pp.29-34
SCE 2011-07-13
14:50
東京 機械振興会館 準1接合SQUID比較器の高周波特性
松岡宏弥宮嶋茂之藤巻 朗名大SCE2011-7
1-bit比較器として動作するQOS比較器の高周波特性について述べる。実験より得られた遷移曲線より、グレーゾーン幅は20... [more] SCE2011-7
pp.35-40
SCE 2011-07-13
16:05
東京 機械振興会館 消費電力数nWの単一磁束量子回路の動作実証
北山敦史伊藤将人纐纈智仁楠本哲也田中雅光藤巻 朗名大SCE2011-10
我々は電源電圧Vbを小さくすることで消費電力を低減したシフトレジスタの動作実証を行った。本研究で試作したシフトレジスタは... [more] SCE2011-10
pp.53-58
SCE 2011-01-24
13:30
東京 機械振興会館 高速光スイッチングデバイス開発に向けたYBCOジョセフソン接合およびナノブリッジの光応答計測
菊田真也金子亮介阪大)・川山 巌阪大/JST)・村上博成阪大)・梶野顕明藤田圭佑安 保宇井上真澄藤巻 朗名大)・斗内政吉阪大SCE2010-42
YBCOジョセフソン接合およびナノブリッジに超短パルスレーザーを照射し、超伝導電流を高速変調する新規な高速スイッチングデ... [more] SCE2010-42
pp.35-40
SCE 2010-10-19
10:15
東京 機械振興会館 非対称ナノブリッジにおけるボルテクスのラチェット的挙動
藤田圭佑梶野顕明早川桂太安 保宇井上真澄藤巻 朗名大SCE2010-24
非対称電流-電圧特性が期待される非対称形状YBa2Cu3O7-x (YBCO)ナノブリッジを作製し,単一磁束回路用整流回... [more] SCE2010-24
pp.1-5
SCE 2010-10-19
11:05
東京 機械振興会館 プラズマ窒化AlNx障壁層を持つNbNトンネル接合の電気的特性
内藤直生人船井辰則丸山千風赤池宏之藤巻 朗名大SCE2010-26
 [more] SCE2010-26
pp.13-18
SCE 2010-10-19
13:15
東京 機械振興会館 NbN及びMgB2を用いたグラウンドプレーンによる磁束トラップへの影響
御田村直樹内藤直生人赤池宏之藤巻 朗名大)・新原佳紘内藤方夫東京農工大SCE2010-28
本研究ではNbN及びMgB2グラウンドプレーンに形成したモートによる磁束トラップへの影響を調査した.その影響はNb、Nb... [more] SCE2010-28
pp.25-30
SCE 2010-10-19
13:40
東京 機械振興会館 TDGL方程式による超伝導体薄膜の磁場排除効果の数値解析
堤 早希御田村直樹赤池宏之井上真澄藤巻 朗名大SCE2010-29
 [more] SCE2010-29
pp.31-36
SCE 2010-10-19
15:35
東京 機械振興会館 10 kA/cm2プロセスを用いた2並列2段単一磁束量子再構成可能なデータパスの動作実証
岡田将和カタエバ イリナ伊藤将人田中雅光赤池宏之藤巻 朗名大/JST)・吉川信行横浜国大/JST)・永沢秀一国際超電導産技研センター/JST)・高木直史京大/JSTSCE2010-33
我々は、ISTEC 10 kA/cm2 Nbアドバンストプロセス(ADP)を用いて単一磁束量子(SFQ)回路による再構成... [more] SCE2010-33
pp.55-60
SCE 2010-07-22
13:15
東京 機械振興会館 バイアス電源の高電圧化による単一磁束量子回路の高速化の検討
田中雅光赤池宏之藤巻 朗高木一義名大/JST)・吉川信行横浜国大/JST)・永沢秀一SRL/JST)・高木直史京大/JSTSCE2010-20
 [more] SCE2010-20
pp.37-40
SCE 2010-07-22
13:40
東京 機械振興会館 ISTEC 10-kA/cm2 Nbアドバンストプロセス2を用いた4x4スイッチの動作実証
伊藤将人カタエバ イリーナ岡田将和纐纈智仁田中雅光赤池宏之藤巻 朗名大SCE2010-21
本稿では、ISTECアドバンストプロセス2(ADP2)を用いて作製した 4x4 スイッチ回路の動作評価結果を示す.
動... [more]
SCE2010-21
pp.41-46
SCE 2010-07-22
14:05
東京 機械振興会館 10 kA/cm2 Nb Processを用いた SFQ浮動小数点乗算器の50 GHzでの動作評価
島村泰浩貝沼世樹宮岡史滋山梨裕希吉川信行横浜国大)・藤巻 朗高木一義名大)・高木直史京大SCE2010-22
SFQ回路はSFQパルスと呼ばれるピコ秒幅のインパルス状の微小電圧パルスを信号として回路中を伝搬させるため、数十GHzの... [more] SCE2010-22
pp.47-52
SCE 2010-07-22
14:30
東京 機械振興会館 40kA/cm^2プロセスによる単一磁束量子回路の動作評価
纐纈智仁赤池宏之藤巻 朗名大)・佐藤哲朗日野出憲治永沢秀一日高睦夫超電導工学研SCE2010-23
 [more] SCE2010-23
pp.53-58
SCE 2009-10-20
13:25
東京 機械振興会館 A clock line for a Large Scale Reconfigurable Data Paths Processor
Irina KataevaHiroyuki AkaikeAkira FujimakiNagoya Univ.vSCE2009-18
 [more] SCE2009-18
pp.7-11
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