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| 研究会 | 発表日時 | 開催地 | タイトル・著者 | 抄録 | 資料番号 | |
| SDM, ICD (共催) ITE-IST (連催) [詳細] |
2017-07-31 12:00 |
北海道 | 北海道大学情報教育館 | ドレインオフセット構造を持った相補型TFET回路のTCADシミュレーション ○浅井栄大・森 貴洋・服部淳一・福田浩一・遠藤和彦・松川 貴（産総研）  SDM2017-35 ICD2017-23 |
我々はSi チャネルトンネルトランジスタ(TFET)からなる相補型論理回路のTCAD シミュレーションを行い、ドレインオ... [more] | SDM2017-35 ICD2017-23 pp.21-24 |
| SIS | 2017-06-02 11:50 |
大分 | 別府豊泉荘 | ロボットプラットフォームを活用したCISTEM教育の試み ～ 人と人、人と機械との同調に向けて ～ ○中田一紀（広島市大）・恒松美輪子・木原琢也（広島大）・服部託夢（広島工大）・常盤達司・福田浩士（広島市大） SIS2017-17 |
広島県において，文部科学省・大学間連携共同教育推進事業として，臨床情報医工学プログラムが実施されている．その一環として，... [more] | SIS2017-17 pp.87-92 |
| LQE, LSJ (共催) |
2017-05-26 10:50 |
石川 | 山代温泉葉渡莉 | III-V/Si MOS キャパシタマッハツェンダ変調器 ○開 達郎・相原卓磨・長谷部浩一・藤井拓郎・武田浩司・硴塚孝明・土澤 泰・福田 浩・松尾慎治（NTT） LQE2017-13 |
[more] | LQE2017-13 pp.53-56 |
| SDM | 2017-02-06 13:35 |
東京 | 東京大学/本郷 | ［招待講演］モノリシック三次元インバータにおける積層トランジスタの電気的結合とその層間絶縁膜厚依存性 ○服部淳一・福田浩一・入沢寿史・太田裕之・前田辰郎（産総研） SDM2016-143 |
モノリシック三次元インバータについて，積み重なったトランジスタの電気的結合が性能に与える影響をTCAD（technolo... [more] | SDM2016-143 pp.23-28 |
| SDM | 2017-01-30 10:00 |
東京 | 機械振興会館 | ［招待講演］等電子トラップ技術によるオン電流増大に伴う相補型トンネルトランジスタ回路の性能向上 ○森 貴洋・浅井栄大・服部淳一・福田浩一・大塚慎太郎・森田行則・大内真一・更田裕司・右田真司・水林 亘・太田裕之・松川 貴（産総研） SDM2016-130 |
我々は等電子トラップ(IET)技術を用いて，シリコントンネルトランジスタ(TFET)による相補的回路の性能を改善した．I... [more] | SDM2016-130 pp.1-4 |
| SDM | 2017-01-30 11:30 |
東京 | 機械振興会館 | ［招待講演］サブ10 nm世代負性容量FinFETのデバイスシミュレーション ○太田裕之・池上 勉・服部淳一・福田浩一・右田真司（産総研）・鳥海 明（東大） SDM2016-133 |
サブ10nm 世代の負性容量FinFET（NC-FinFET）のデバイス特性を新開発のtechnology comput... [more] | SDM2016-133 pp.13-16 |
| SDM | 2016-06-29 10:40 |
東京 | キャンパス・イノベーションセンター東京 | ［依頼講演］強誘電体絶縁膜の負性容量を利用した急峻スイッチング実現のためのSOI-FET設計指針 ○太田裕之・右田真司・服部淳一・福田浩一（産総研）・鳥海 明（東大） SDM2016-34 |
本研究では負性容量を用いて急峻なサブスレショルド係数（SS）を実現するための完全空乏型silicon-on-insula... [more] | SDM2016-34 pp.9-13 |
| SDM | 2016-01-28 11:00 |
東京 | 機械振興会館 | ［招待講演］トンネルトランジスタにおけるBTIの理解 ○水林 亘・森 貴洋・福田浩一・石川由紀・森田行則・右田真司・太田裕之・柳 永勛・大内真一・塚田順一・山内洋美・松川 貴・昌原明植・遠藤和彦（産総研） SDM2015-122 |
Siチャネルp型トンネルFETs(pTFETs)のNBTIを系統的に調べた。pTFETsのNBTI劣化機構はpFETsと... [more] | SDM2015-122 pp.9-12 |
| OPE, LQE, OCS (共催) |
2015-10-30 11:40 |
大分 | 別府国際コンベンションセンター | 電子回路シミュレータを用いた光電子集積回路の設計技術 ○武田浩太郎・本田健太郎・福田 浩・碓氷光男・野坂秀之・山本 剛（NTT）・山田浩治（産総研）・才田隆志（NTT） OCS2015-74 OPE2015-124 LQE2015-93 |
(事前公開アブストラクト) 光電子集積回路技術のひとつであり、プラットフォームにシリコンを用いることを特徴するシリコンフ... [more] | OCS2015-74 OPE2015-124 LQE2015-93 pp.163-168 |
| SDM | 2015-01-27 15:30 |
東京 | 機械振興会館 | ［招待講演］n型トンネルトランジスタにおけるPBTI寿命の正確な予測 ○水林 亘・森 貴洋・福田浩一・柳 永勛・松川 貴・石川由紀・遠藤和彦・大内真一・塚田順一・山内洋美・森田行則・右田真司・太田裕之・昌原明植（産総研） SDM2014-143 |
high-kゲート絶縁膜を有するn型トンネルFinFETs（TFETs）のPBTI特性を系統的に調べた。n型TFETsの... [more] | SDM2014-143 pp.33-36 |
| SDM | 2015-01-27 16:20 |
東京 | 機械振興会館 | ［招待講演］非晶質金属ゲート電極FinFETによるばらつき・低周波ノイズ抑制とアナログ・デジタル回路のスケーリング限界の改善 ○松川 貴・福田浩一・柳 永勛・塚田順一・山内洋美・石川由紀・遠藤和彦・大内真一・右田真司・水林 亘・森田行則・太田裕之・昌原明植（産総研） SDM2014-145 |
[more] | SDM2014-145 pp.41-44 |
| SDM | 2015-01-27 16:45 |
東京 | 機械振興会館 | ［招待講演］Si CMOSプラットフォームにおけるp-n相補型トンネルFinFETの急峻サブスレッショルド・スイングおよび超低オフ電流の実証 ○森田行則・森 貴洋・福田浩一・水林 亘・右田真司・松川 貴・遠藤和彦・大内真一・柳 永勛・昌原明植・太田裕之（産総研） SDM2014-146 |
FinFET型チャネルを持つトンネル電界効果トランジスタ(トンネルFinFET)をSi CMOSプラットフォームにおいて... [more] | SDM2014-146 pp.45-48 |
| EMD, LQE, OPE, CPM, R (共催) |
2014-08-22 14:25 |
北海道 | 小樽経済センター | Auスタッドバンプ接合を用いたSiフォトニクスプラットフォーム用光電ハイブリッド集積チップ実装技術 ○碓氷光男・武田浩太郎・平田泰興・福田 浩・土澤 泰・西 英隆・高 磊・開 達郎・本田健太郎・野河正史・山田浩治・山本 剛（NTT） R2014-45 EMD2014-50 CPM2014-65 OPE2014-75 LQE2014-49 |
Siフォトニクスプラットフォームへの適用を目指し，はんだを使用せず，200℃以下の低温で電子デバイスを搭載可能な新しいフ... [more] | R2014-45 EMD2014-50 CPM2014-65 OPE2014-75 LQE2014-49 pp.109-114 |
| ICD, SDM (共催) |
2014-08-04 13:05 |
北海道 | 北海道大学 情報教育館（札幌市） | ［招待講演］急峻スイッチング素子の研究動向とTFETにおけるオン電流向上策 ○森 貴洋・森田行則・右田真司・水林 亘・福田浩一・宮田典幸・安田哲二・昌原明植・太田裕之（産総研） SDM2014-67 ICD2014-36 |
低電圧動作可能な急峻スイッチング素子が注目を集めている。本論文では急峻スイッチング素子の研究動向を概観する。その中でも最... [more] | SDM2014-67 ICD2014-36 pp.29-34 |
| MWP, EMT, PN, LQE, OPE, EST (共催) IEE-EMT (連催) [詳細] |
2014-01-23 17:40 |
京都 | 同志社大学（烏丸キャンパス） | Si-Ge-石英系モノリシック光集積プラットフォームとWDMレシーバへの適用 ○西 英隆・開 達郎・土澤 泰・高 磊・武田浩太郎（NTT）・石川靖彦・和田一実（東大）・福田 浩・山田浩治・山本 剛（NTT） PN2013-60 OPE2013-174 LQE2013-160 EST2013-109 MWP2013-80 |
[more] | PN2013-60 OPE2013-174 LQE2013-160 EST2013-109 MWP2013-80 pp.141-146 |
| OPE | 2013-12-20 14:00 |
東京 | 機械振興会館 | 高電圧駆動時におけるWG型ゲルマニウムPDの挙動とその解析 ○武田浩太郎・開 達郎・土澤 泰・西 英隆・高 磊・福田 浩・山本 剛（NTT）・石川靖彦・和田一実（東大）・山田浩治（NTT） OPE2013-140 |
本研究ではシリコン基板上に構築したゲルマニウムフォトダイオード（Ge-PD）を高電圧条件下で駆動し、光通信Cバンド、Lバ... [more] | OPE2013-140 pp.13-18 |
| SDM, ICD (共催) |
2013-08-01 09:25 |
石川 | 金沢大学 角間キャンパス | 合成電界効果によるトンネルトランジスタの性能向上 ○森田行則・森 貴洋・右田真司・水林 亘・田邊顕人・福田浩一・遠藤和彦・松川 貴・大内真一・柳 永シュン・昌原明植・太田裕之（産総研） SDM2013-66 ICD2013-48 |
トンネル電界効果トランジスタ (TFET) の特性を改善する新規なチャネル構造および電極構造を備えた合成電界TFETを提... [more] | SDM2013-66 ICD2013-48 pp.7-12 |
| HIP | 2013-03-13 11:40 |
沖縄 | 沖縄産業支援センター | 手指随意運動における運動中断動作に対する単発経頭蓋磁気刺激による干渉 ○常盤達司・石丸尚之・福田浩士・樋脇 治（広島市大） HIP2012-79 |
[more] | HIP2012-79 pp.33-36 |
| MBE, NC (併催) |
2013-03-15 13:20 |
東京 | 玉川大学 | 手指の随意運動における運動開始前での運動意志の中断に関連した脳電位 ○福田浩士・樋脇 治（広島市大） MBE2012-116 |
本研究では，手指の運動を対象とし，運動開始前に呈示した停止信号により運動を随意に中断したときの脳活動について脳電位計測に... [more] | MBE2012-116 pp.145-148 |
| OPE | 2012-12-21 17:10 |
東京 | 機械振興会館 | 低温作製石英系導波路の偏波無依存化 ○西 英隆・土澤 泰（NTT）・篠島弘幸（久留米高専）・渡辺俊文・板橋聖一（NTT-AT）・高 磊・福田 浩・山田浩治（NTT） OPE2012-142 |
[more] | OPE2012-142 pp.45-50 |
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