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研究会 発表日時 開催地 タイトル・著者 抄録 資料番号
OPE, OME
(共催)
2013-11-22
14:00
東京 機械振興会館 フレキシブル色素増感太陽電池用ZnO系光電極の低温プロセス化
神谷真司大場暁海町田航太山内 博國吉繁一酒井正俊飯塚正明千葉大)・渡邊康之諏訪東京理科大)・工藤一浩千葉大OME2013-70 OPE2013-131
 [more] OME2013-70 OPE2013-131
pp.13-17
OME 2013-10-11
10:40
大阪 阪大中之島センター 有機トランジスタを使用したRFID用アクティブアンテナの作製
長谷川 奨磯田俊介橋詰貴裕山内 博國吉繁一酒井正俊工藤一浩飯塚正明千葉大OME2013-53
本研究では、低コストな印刷プロセスに向けたRFIDタグの作製に向け、段差型有機トランジスタとアンテナを一体化したRFID... [more] OME2013-53
pp.11-16
OME, IEE-DEI
(連催)
2013-07-04
16:25
新潟 トキ交流会館 [招待講演]プリンテッド集積回路に向けた積層型論理素子の作製
工藤一浩小寺 勲山内 博国吉繁一酒井正俊千葉大OME2013-47
本研究では、活性層および絶縁層に塗布可能材料を用いた積層型論理回路を作製し、その基礎特性を評価した。積層型論理回路は、ト... [more] OME2013-47
pp.25-30
EMD, CPM, OME
(共催)
2013-06-21
10:05
東京 機械振興会館 有限要素解析による有機トランジスタのフレキシブル特性予測
酒井正俊山崎陽太山口祥平林 潤郎工藤一浩千葉大EMD2013-10 CPM2013-25 OME2013-33
 [more] EMD2013-10 CPM2013-25 OME2013-33
pp.19-20
OME 2013-05-16
15:50
東京 機械振興会館 B3F-2 β-(BEDT-TTF)2PF6結晶における金属-絶縁体温度近傍でのゲート電界の効果
酒井正俊増尾和哉國吉繁一山内 博工藤一浩千葉大OME2013-29
 [more] OME2013-29
pp.33-35
OME, SDM
(共催)
2013-04-25
13:20
鹿児島 屋久島環境文化村センター ナノポーラス陽極酸化膜を利用したバイオトランジスタの作製
工藤一浩黒澤翔太山内 博国吉繁一酒井正俊千葉大SDM2013-10 OME2013-10
陽極酸化ポーラスアルミナは規則的な高次ナノ構造を有し、さまざまな用途が期
待できる。本研究では、ナノポーラスアルミナを... [more]
SDM2013-10 OME2013-10
pp.49-52
OME 2013-03-08
15:40
東京 機械振興会館 B1-2 熱プレス法による有機薄膜トランジスタの作製
酒井正俊岡本樹宜山崎陽太山口祥平林 潤郎山内 博國吉繁一工藤一浩千葉大OME2012-112
 [more] OME2012-112
pp.33-34
OME 2012-11-19
16:15
大阪 大阪大学中之島センター 講義室302 塗布可能材料を用いた積層型NAND回路の作製
小寺 勲山内 博國吉繁一酒井正俊飯塚正明工藤一浩千葉大OME2012-73
本研究では、活性層および絶縁層に塗布可能材料を用いた積層型NAND回路を作製し、その特性を評価した。積層型NAND回路は... [more] OME2012-73
pp.61-64
OME, OPE
(共催)
2012-11-16
13:30
東京 機械振興会館 UV/O3アシスト熱処理法による塗布型酸化物FETの特性向上
酒井 渉山内 博國吉繁一飯塚正明酒井正俊工藤一浩千葉大OME2012-56 OPE2012-128
有機ELディスプレイとして優位性を有するアクティブマトリクス駆動型の新型構造素子を提案した。また駆動用トランジスタの半導... [more] OME2012-56 OPE2012-128
pp.7-11
OME 2012-10-17
15:40
東京 機械振興会館 B1F 3号室 準熱平衡条件下でのペンタセン結晶成長における外部電界の効果
鵜澤裕彰神谷真司酒井正俊國吉繁一山内 博工藤一浩千葉大OME2012-51
本研究では、代表的な有機半導体材料であるペンタセンの電界による選択成長を目指し、準熱平衡条件下の結晶成長における外部電界... [more] OME2012-51
pp.31-34
OME 2012-05-24
16:00
東京 NTT武蔵野研究開発センター (BEDT-TTF)(TCNQ)結晶におけるインピーダンス測定
酒井正俊花田光聡山崎陽太国吉繁一山内 博千葉大)・中村雅一奈良先端大)・工藤一浩千葉大OME2012-28
 [more] OME2012-28
pp.45-47
OME 2011-12-21
16:30
東京 機械振興会館 ホットプレス法によるフレキシブル有機トランジスタの作製
岡本樹宜井上敦夫城寶祐輝酒井正俊山内 博千葉大)・中村雅一奈良先端大)・工藤一浩千葉大OME2011-73
本研究では、ガラス基板およびポリイミド基板上にTTC18-TTF FETをホットプレス法により作製した。ホットプレス法と... [more] OME2011-73
pp.41-44
OPE, OME
(共催)
2011-11-18
15:25
東京 機械振興会館 ナノインプリント法を用いた段差型有機トランジスタの作製
吹山雅浩山内 博飯塚正明酒井正俊工藤一浩千葉大OME2011-63 OPE2011-138
有機トランジスタを低駆動電圧、大電流で動作させるためには短チャネル化が有効である。そこで我々は、段差構造を利用することで... [more] OME2011-63 OPE2011-138
pp.31-36
OME 2011-10-14
15:20
東京 機械振興会館 B3-2 (BEDT-TTF)(TCNQ)結晶FETにおける電界誘起熱刺激電流と誘電特性との相関
花田光聡酒井正俊石黒雅人千葉大)・松原亮介奈良先端大)・山内 博千葉大)・中村雅一奈良先端大)・工藤一浩千葉大OME2011-53
これまで我々は、有機モット絶縁体(BEDT-TTF)(TCNQ)を活性層とした電界効果トランジスタ(FET)を作製し、誘... [more] OME2011-53
pp.27-30
OME 2011-05-27
13:20
東京 NTT武蔵野研究開発センター 鉛フタロシアニン結晶の電界下選択成長
酒井正俊小川泰司飯塚正明山内 博中村雅一工藤一浩千葉大OME2011-15
 [more] OME2011-15
pp.7-9
OME 2010-10-22
15:15
東京 NTT武蔵野研究開発センター ペンタセンTFTにおけるキャリア輸送制限要因に対する基板表面処理および有機層成長速度の影響
野村俊夫坂井祐貴松原亮介酒井正俊工藤一浩中村雅一千葉大OME2010-51
 [more] OME2010-51
pp.27-31
OME 2010-10-22
16:30
東京 NTT武蔵野研究開発センター 有機モット絶縁体(BEDT-TTF)(TCNQ)のキャリア伝導特性と結晶構造の解析
石黒雅人伊藤裕哉高原知樹花田光聡酒井正俊中村雅一工藤一浩千葉大OME2010-54
有機モット絶縁体(BEDT-TTF)(TCNQ)は、ドナー性分子であるbis(ethylenedithio)-tetra... [more] OME2010-54
pp.41-45
OME 2010-05-27
13:20
東京 機械振興会館 シリコーン樹脂絶縁膜を用いた積層型CMOS回路の作製
菊地幸大山内 博飯塚正明酒井正俊中村雅一工藤一浩千葉大OME2010-18
シリコーン樹脂は低コスト、低温プロセスである塗布法によって成膜が可能である。本研究では、光硬化型シリコーン樹脂をゲート絶... [more] OME2010-18
pp.7-10
OME 2010-01-12
16:05
東京 機械振興会館 in-situ電界効果熱刺激電流法によるペンタセン/ゲート絶縁膜界面のトラップ準位密度評価
藤井孝博千葉大)・松井弘之産総研)・長谷川達生産総研/東大)・国吉繁一酒井正俊工藤一浩中村雅一千葉大OME2009-76
有機薄膜トランジスタ(OTFT)において、有機半導体/ゲート絶縁膜界面のトラップ準位はTFTの動作特性・動作安定性に大き... [more] OME2009-76
pp.51-56
OPE, OME
(共催)
2009-11-13
09:20
東京 機械振興会館 有機導体TTF-TCNQの電界配向成長その場観察と成長制御
浦部裕亮多田喜宏酒井正俊中村雅一工藤一浩千葉大OME2009-53 OPE2009-148
テトラチアフルバレン(TTF)とテトラシアノキノジメタン(TCNQ)を電界中で共蒸着し、TTF-TCNQワイヤの成長を大... [more] OME2009-53 OPE2009-148
pp.1-5
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