| 電子情報通信学会 研究会発表申込システム 研究会 開催スケジュール |
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| 研究会 | 発表日時 | 開催地 | タイトル・著者 | 抄録 | 資料番号 | |
| CAS, CS (共催) |
2019-03-08 15:00 |
神奈川 | 湘南工科大学 | ［特別招待講演］車載Ethernetの最新トレンド ○帆加利知史・北島伸克（ルネサス エレクトロニクス）  CAS2018-145 CS2018-113 |
自動運転、コネクテッドカーを実現するためにこれまでにない大容量車両内データを処理する手段として、車載システムへのEthe... [more] | CAS2018-145 CS2018-113 p.39 |
| DC | 2019-02-27 14:05 |
東京 | 機械振興会館 | マルチサイクルテストにおける故障検出強化のためのFFトグル制御ポイントの選択法 ○青野智己・Hanan T.Al-Awadhi・王 森レイ・樋上喜信・高橋 寛（愛媛大）・岩田浩幸・前田洋一・松嶋 潤（ルネサス エレクトロニクス） DC2018-79 |
車載システムの機能安全を保証するためには,システムの起動時にテストを実行するパワーオンセルフテスト(POST)が必要とな... [more] | DC2018-79 pp.49-54 |
| SDM | 2019-01-29 13:20 |
東京 | 機械振興会館 | ［招待講演］サブモノレイヤ法によるAlナノクラスタを埋め込んだ高信頼性強誘電体Hf0.5Zr0.5O2膜の開発 ○山口 直・張 田田・大森和幸・島田康弘・国宗依信・井手 隆・井上真雄・松浦正純（ルネサス エレクトロニクス） SDM2018-86 |
Hf0.5Zr0.5O2(HZO)膜を不揮発性メモリ材料とした強誘電体メモリの開発成果を報告する. 本研究では, 10n... [more] | SDM2018-86 pp.21-26 |
| HWS (第二種研究会) |
2018-12-13 15:05 |
東京 | 東京大学 武田先端知ビル | 工場内に設置された産業機器における課題とルネサスの取り組み ○余保 束（ルネサス エレクトロニクス） |
(事前公開アブストラクト) 産業分野ではIndustory4.0が叫ばれ、工場内に設置された産業機器は工場の外部ネットワ... [more] | |
| SDM | 2018-11-08 09:20 |
東京 | 機械振興会館 | ［招待講演］SISPAD 2018レビュー ○園田賢一郎（ルネサス エレクトロニクス） SDM2018-64 |
2018 International Conference on Simulation of Semiconductor... [more] | SDM2018-64 pp.1-6 |
| SDM | 2018-10-17 14:00 |
宮城 | 東北大学未来情報産業研究館５Ｆ | ［招待講演］次世代車載マイコン対応Fin-FET MONOS ○津田是文・斉藤朋也・長瀬寛和・川嶋祥之・吉冨敦司・岡西 忍・林 倫弘・丸山卓也・井上真雄・村中誠志・加藤茂樹・萩原琢也・齊藤博和・山口 直・門島 勝・丸山隆弘・三原竜善・柳田博史・園田賢一郎・山口泰男・山下朋弘（ルネサス エレクトロニクス） SDM2018-52 |
[more] | SDM2018-52 pp.1-5 |
| SDM, ICD (共催) ITE-IST (連催) [詳細] |
2018-08-08 13:15 |
北海道 | 北海道大学大学院情報科学研究科 M棟M151 | ［依頼講演］パスゲートトランジスタの対称性を向上した28nmHKMG 10TデュアルポートSRAMセル ○石井雄一郎・田中美紀・藪内 誠・澤田陽平・田中信二・新居浩二（ルネサス エレクトロニクス）・Tien Yu Lu・Chun Hsien Huang・Shou Sian Chen・Yu Tse Kuo・Ching Cheng Lung・Osbert Cheng（ユナイテッド・マイクロエレクトロニクス） SDM2018-40 ICD2018-27 |
従来の8TデュアルポートSRAMセルに対して, パスゲートトランジスタの対称性を向上し, リード・ライトディスターブ状態... [more] | SDM2018-40 ICD2018-27 pp.83-88 |
| SDM, ICD (共催) ITE-IST (連催) [詳細] |
2018-08-09 12:45 |
北海道 | 北海道大学大学院情報科学研究科 M棟M151 | 10nm FinFETプロセスにおける回復効果を含むBTIのスタンダードセルのレイアウト形状依存性に関する研究 ○五十嵐満彦・内田優希・高沢義生・塚本康正・澁谷宏治・新居浩二（ルネサス エレクトロニクス） SDM2018-47 ICD2018-34 |
[more] | SDM2018-47 ICD2018-34 pp.109-113 |
| SDM, ICD (共催) ITE-IST (連催) [詳細] |
2018-08-09 13:10 |
北海道 | 北海道大学大学院情報科学研究科 M棟M151 | 12nm FinFETプロセスを用いた3G search/s高速デュアルポートTCAMの開発 ○藪内 誠・森本薫夫・新居浩二・田中信二（ルネサス エレクトロニクス） SDM2018-48 ICD2018-35 |
[more] | SDM2018-48 ICD2018-35 pp.115-120 |
| ICD | 2018-04-20 10:20 |
東京 | 機械振興会館 | ［依頼講演］IoT向け65nmSOTBプロセスを用いた2RWデュアルポートSRAMの設計事例 ○澤田陽平・山本芳樹・長谷川拓実・新川田裕樹・藪内 誠（ルネサス エレクトロニクス）・篠崎義弘・伊東恭二（日本システムウエア）・田中信二・新居浩二・蒲原史郎（ルネサス エレクトロニクス） ICD2018-8 |
[more] | ICD2018-8 pp.29-32 |
| ICD | 2018-04-20 10:45 |
東京 | 機械振興会館 | ［依頼講演］同/異RowでのWLパルスタイミング調整を用いた同期型2RW 8T Dual-port SRAMのダイナミック電力削減 ○横山佳巧・石井雄一郎・奥田治之・新居浩二（REL） ICD2018-9 |
同期2-read/write (2RW) 8T dual-port (DP) SRAMにおいて動作電力を削減する効果的な... [more] | ICD2018-9 pp.33-38 |
| SDM | 2018-01-30 14:00 |
東京 | 機械振興会館 | ［招待講演］16/14nmノード混載フラッシュメモリに向けた狭いVth分布を持つFinFET Split-Gate MONOSアレイの信頼性及びスケーラビリティ ○津田是文・斉藤朋也・長瀬寛和・川嶋祥之・吉冨敦司・岡西 忍・林 倫弘・丸山卓也・井上真雄・村中誠志・加藤茂樹・萩原琢也・齊藤博和・山口 直・門島 勝・丸山隆弘・三原竜善・柳田博史・園田賢一郎・山下朋弘・山口泰男（ルネサス エレクトロニクス） SDM2017-94 |
本論文ではFinFET構造を持つSG-MONOSアレイの信頼性及びスケーラビリティについて述べる．FinFET SG-M... [more] | SDM2017-94 pp.13-16 |
| IPSJ-ARC, IPSJ-SLDM (共催) VLD, CPSY, RECONF (共催) (連催) [詳細] |
2018-01-19 16:40 |
神奈川 | 慶應義塾大学 日吉キャンパス 来往舎 | LLVMバックエンドの最適化性能テストのミュータント生成 ○田中健司・石浦菜岐佐（関西学院大）・西村啓成・福井昭也（ルネサス エレクトロニクス） VLD2017-88 CPSY2017-132 RECONF2017-76 |
本稿では, 既存のテストプログラムから自動生成した機能等価なミュータントにより, コンパイラ基盤 LLVM のバックエン... [more] | VLD2017-88 CPSY2017-132 RECONF2017-76 pp.169-174 |
| SDM | 2017-11-09 13:05 |
東京 | 機械振興会館 | p-LDMOSFETのホットキャリア耐性を向上させる新構造の検討 ○酒井 敦・永久克己（ルネサス エレクトロニクス）・藤井宏基・森 隆弘（ルネサスセミコンダクタマニュファクチャリング）・秋山 豊・山口泰男（ルネサス エレクトロニクス） SDM2017-63 |
BiCDプロセスで用いられるp-LDMOSFETではホットキャリアストレスによってゲート酸化膜の絶縁破壊が起こるため，信... [more] | SDM2017-63 pp.11-14 |
| SDM | 2017-11-10 15:40 |
東京 | 機械振興会館 | ［招待講演］トラップ電荷起因抵抗を考慮した28nm世代混載フラッシュ向けSG-MONOS SPICEモデル ○黄 俐昭・宮森 充・常野克己・牟田哲也・川嶋祥之（ルネサス エレクトロニクス） SDM2017-71 |
28nm世代のフラッシュ混載MCUに搭載するスプリットゲート-MONOS型不揮発性メモリセル(SG-MONOSセル)の読... [more] | SDM2017-71 pp.53-58 |
| VLD, DC, IPSJ-SLDM, IPSJ-EMB (連催) CPSY, IPSJ-ARC (連催) CPM, ICD, IE (共催) RECONF (併催) [詳細] |
2017-11-06 14:55 |
熊本 | くまもと県民交流館パレア | 機械学習を用いたフェールチップ判別における適用識別器と判別確度の決定法 ○柚留木大地・大竹哲史（大分大）・中村芳行（ルネサス エレクトロニクス） VLD2017-36 DC2017-42 |
今日，半導体技術の進歩によるLSIの高集積化によりLSIの低価格化が進んでいる． LSIの品質を保ちつつ，テストコスト... [more] |
VLD2017-36 DC2017-42 pp.55-60 |
| SDM | 2017-10-26 13:00 |
宮城 | 東北大学未来研 | ［依頼講演］28nmスプリットゲートMONOS型フラッシュメモリを用いた高温動作かつ低エラー率を実現するPUF技術 ○下井貴裕・斉藤朋也・長瀬寛和・伊豆名雅之・神田明彦・伊藤 孝・河野隆司（ルネサス エレクトロニクス） SDM2017-58 |
28nmスプリットゲートMONOS（SG-MONOS）型フラッシュメモリを用いた、ハードウェアセキュリティ向けの高信頼の... [more] | SDM2017-58 pp.45-49 |
| SDM | 2017-10-26 13:30 |
宮城 | 東北大学未来研 | スクライブ上モニタパタンのシート抵抗測定によるイメージセンサの空乏化電位管理について ○後藤洋太郎（ルネサスセミコンダクタマニュファクチャリング）・山口 直・松浦正純（ルネサス エレクトロニクス）・飯塚康治（ルネサスセミコンダクタマニュファクチャリング） SDM2017-59 |
[more] | SDM2017-59 pp.51-55 |
| HWS (第二種研究会) |
2017-09-15 15:50 |
東京 | 東京大学生産技術研究所 | 無線通信における認証方式の紹介 ○海江田洋平・国井裕樹（セコム）・魚住俊弥・三輪昌也（ルネサス エレクトロニクス） |
[more] | |
| SDM, ICD (共催) ITE-IST (連催) [詳細] |
2017-07-31 10:40 |
北海道 | 北海道大学情報教育館 | SOTBプロセスによるIoT向け低消費電力混載SRAMの開発 ○藪内 誠・新居浩二・田中信二（ルネサス エレクトロニクス）・篠崎義弘（日本システムウエア）・山本芳樹・長谷川拓実・新川田裕樹・蒲原史朗（ルネサス エレクトロニクス） SDM2017-33 ICD2017-21 |
[more] | SDM2017-33 ICD2017-21 pp.13-16 |
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