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シリコン材料・デバイス研究会(SDM) [schedule] [select]
専門委員長 大野 裕三 (筑波大)
副委員長 国清 辰也 (ルネサス エレクトロニクス)
幹事 黒田 理人 (東北大)
幹事補佐 山口 直 (ルネサス エレクトロニクス)

日時 2015年10月29日(木) 14:00 - 17:20
2015年10月30日(金) 09:30 - 16:00
議題 プロセス科学と新プロセス技術 
会場名 東北大学未来科学技術共同研究センター 未来情報産業研究館5F 
住所 〒980-8579 宮城県仙台市青葉区荒巻字青葉6-6-10
交通案内 http://www.fff.niche.tohoku.ac.jp/contactus.html
会場世話人
連絡先
東北大学大学院工学研究科 黒田 理人
022-795-4833
著作権に
ついて
以下の論文すべての著作権は電子情報通信学会に帰属します.
(許諾番号:10GA0019/12GB0052/13GB0056/17GB0034/18GB0034)

10月29日(木) 午後 
14:00 - 17:20
(1) 14:00-14:50 [招待講演]イオン注入技術の現状と課題 SDM2015-71 中島良樹濱本成顕酒井滋樹おの田 博日新イオン機器
(2) 14:50-15:20 Ar/H2混合ガス熱処理によるSi表面平坦化プロセスの検討 SDM2015-72 工藤聡也大見俊一郎東工大
(3) 15:20-15:50 Xe/H2プラズマを用いたシリコン基板表面の低温平坦化技術 SDM2015-73 諏訪智之寺本章伸後藤哲也平山昌樹須川成利大見忠弘東北大
  15:50-16:00 休憩 ( 10分 )
(4) 16:00-16:30 Electrical Properties of MOSFETs Introducing Atomically Flat Gate Insulator/Silicon Interface SDM2015-74 Tetsuya GotoRihito KurodaTomoyuki SuwaAkinobu TeramotoToshiki ObaraDaiki KimotoShigetoshi SugawaTohoku Univ.)・Yutaka KamataYuki KumagaiKatsuhiko ShibusawaLAPIS Semi. Miyagi
(5) 16:30-17:20 [招待講演]フラッシュメモリとCMOSロジックの近接混載技術による低消費電力・高速FPGA SDM2015-75 財津光一郎辰村光介松本麻里小田聖翔安田心一東芝
10月29日(木) 午後  平成26年度シリコン材料・デバイス研究専門委員会若手優秀発表賞 表彰式
17:20 - 17:20
  17:50-19:30 懇親会 ( 100分 )
10月30日(金) 午前 
09:30 - 11:20
(6) 09:30-10:20 [招待講演]マイクロ波励起プラズマによる立体構造体への等方均一注入技術 SDM2015-76 上田博一TEL TDC)・ピーター ベントゼックTEL AMERICA)・岡 正浩小林勇気杉本靖広川上 聡TEL TDC
(7) 10:20-10:50 トンネル電流・拡散電流併用MOSFETのデバイスシミュレーション検討 SDM2015-77 古川貴一寺本章伸黒田理人諏訪智之橋本圭市小尻尚志須川成利東北大
(8) 10:50-11:20 酸素ラジカル処理を用いた強誘電体BiFeO3薄膜の形成技術 SDM2015-78 今泉文伸後藤哲也寺本章伸須川成利東北大
  11:20-13:00 昼食 ( 100分 )
10月30日(金) 午後 
13:00 - 16:00
(9) 13:00-13:50 [招待講演]大画面シート型ディスプレイ実現に向けたディスプレイ材料・プロセス技術 SDM2015-79 藤崎好英NHK
(10) 13:50-14:20 HfO2をゲート絶縁膜に用いたペンタセンOFETのデバイス特性に関する検討 SDM2015-80 前田康貴劉 野原大見俊一郎東工大
  14:20-14:30 休憩 ( 10分 )
(11) 14:30-15:00 窒素添加LaB6ターゲットによる低仕事関数LaB6スパッタ薄膜の形成 SDM2015-81 石井秀和東北大)・高橋健太郎住友大阪セメント)・後藤哲也須川成利大見忠弘東北大
(12) 15:00-15:30 Investigation of stacked HfN gate insulator formed by ECR plasma sputtering SDM2015-82 Nithi AtthiShun-ichiro OhmiTokyo Tech
(13) 15:30-16:00 高精度ガス制御器を用いたAl2O3のALD成膜におけるプロセス温度の検討 SDM2015-83 杉田久哉幸田安真諏訪智之黒田理人後藤哲也石井秀和東北大)・山下 哲フジキン)・寺本章伸須川成利大見忠弘東北大

講演時間
一般講演発表 25 分 + 質疑応答 5 分
招待講演発表 40 分 + 質疑応答 10 分

問合先と今後の予定
SDM シリコン材料・デバイス研究会(SDM)   [今後の予定はこちら]
問合先 黒田 理人(東北大)
Tel 022-795-4833 Fax 022-795-4835
E-: e3 


Last modified: 2015-08-27 17:09:23


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