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レーザ・量子エレクトロニクス研究会(LQE) [schedule] [select]
専門委員長 河口 仁司 (奈良先端大)
副委員長 勝山 造 (住友電工)
幹事 佐藤 健二 (NEC), 宮本 智之 (東工大)

日時 2010年12月17日(金) 09:15 - 17:45
議題 半導体レーザ関連技術,及び一般 
会場名 機械振興会館 地下2階3号室 
交通案内 http://www.jspmi.or.jp/
著作権に
ついて
以下の論文すべての著作権は電子情報通信学会に帰属します.
(許諾番号:10GA0019/12GB0052/13GB0056/17GB0034/18GB0034)

12月17日(金) 午前 
09:15 - 13:00
  09:15-09:20 委員長挨拶(開会) ( 5分 )
(1) 09:20-09:45 マイクロマシン構造を用いた面発光レーザの波長制御 LQE2010-114 佐野勇人中田紀彦中濱正統松谷晃宏小山二三夫東工大
(2) 09:45-10:10 光インターコネクション向け高信頼性1060 nm帯面発光レーザにおける低電力損失特性 LQE2010-115 今井 英高木啓史神谷慎一清水 均吉田順自川北泰雅高木智洋平岩浩二清水 裕鈴木理仁岩井則広石川卓哉築地直樹粕川秋彦古河電工
(3) 10:10-10:35 All-Optical Memory Based on Buried Heterostructure Photonic Crystal Lasers LQE2010-116 Chin-Hui ChenShinji MatsuoKengo NozakiAkihiko ShinyaTomonari SatoYoshihiro KawaguchiHisashi SumikuraMasaya NotomiNTT
  10:35-10:45 休憩 ( 10分 )
(4) 10:45-11:10 歪補償法による多重積層量子ドットレーザの発振波長制御 LQE2010-117 赤羽浩一山本直克川西哲也NICT
(5) 11:10-11:35 a-Si表面回折格子を有する1550nm波長帯横方向電流注入型DFBレーザ LQE2010-118 進藤隆彦奥村忠嗣伊藤 瞳小口貴之高橋大佑渥美裕樹姜 ジュンヒョン長部 亮雨宮智宏西山伸彦荒井滋久東工大
(6) 11:35-12:00 低消費電流1.3μm帯AlGaInAs系25.8Gbps直接変調埋込型DFBレーザ LQE2010-119 境野 剛瀧口 透外間洋平佐久間 仁綿谷 力柳楽 崇鈴木大輔青柳利隆石川高英石村栄太郎島 顕洋三菱電機
  12:00-13:00 昼食 ( 60分 )
12月17日(金) 午後 
13:00 - 17:45
  13:00-13:10 LQE奨励賞表彰式 ( 10分 )
(7) 13:10-13:35 [奨励講演]低駆動電流40Gbps直接変調動作に向けたAlGaInAs系高抵抗埋め込み型DRレーザ LQE2010-120 植竹理人大坪孝二松田 学光電子融合基盤技研/富士通/富士通研)・奥村滋一富士通研)・江川 満山本剛之光電子融合基盤技研/富士通/富士通研
(8) 13:35-14:00 [奨励講演]世界最速・超広帯域波長可変・超短パルスレーザー光源(擬似SC光源)の開発とOCTへの応用 LQE2010-121 住村和彦光響/阪大)・玄田裕美太田健史伊東一良阪大)・西澤典彦名大
  14:00-14:10 休憩 ( 10分 )
(9) 14:10-14:35 超伝導発光ダイオードにおける電子クーパー対の寄与 LQE2010-122 笹倉弘理北大)・田中和典浜松ホトニクス)・許 載勲北大)・赤崎達志NTT)・熊野英和末宗幾夫北大
(10) 14:35-15:00 第一原理計算によるゲルマニウム量子井戸発光素子の研究 諏訪雄二斎藤慎一日立
(11) 15:00-15:25 1.3ミクロン帯半導体レーザ基板用大型InGaAs単結晶の製造 LQE2010-123 木下恭一依田眞一JAXA)・青木拓克山本 智細川忠利松島正明フルウチ化学)・荒井昌和NTT東日本)・川口悦弘NEL)・狩野文良NTT)・近藤康洋NEL
(12) 15:25-15:50 光励起によるGaAs1-xBix/GaAs薄膜のファブリ・ペローレーザ発振 ~ その発振波長の低温度依存性 ~ LQE2010-124 富永依里子尾江邦重吉本昌広京都工繊大
  15:50-16:00 休憩 ( 10分 )
(13) 16:00-16:25 高出力625nmAlGaInP半導体レーザ LQE2010-125 八木哲哉島田尚往大野彰人阿部真司宮下宗治三菱電機
(14) 16:25-16:50 BeZnCdSeを用いた緑色レーザの室温連続発振 LQE2010-126 藤崎寿美子日立)・中島 博ソニー)・葛西淳一秋本良一産総研)・田才邦彦滝口由朗ソニー)・紀川 健日立)・朝妻庸紀玉村好司ソニー)・田中滋久辻 伸二日立)・鍬塚治彦挾間壽文石川 浩産総研
(15) 16:50-17:15 端面非吸収窓構造を用いた超高出力青紫レーザ LQE2010-127 川口真生春日井秀紀左文字克哉萩野裕幸折田賢児山中一彦油利正昭瀧川信一パナソニック
(16) 17:15-17:40 紫外短波長領域に向けたAlGaN半導体レーザ LQE2010-128 吉田治正桑原正和山下陽滋内山和也菅 博文浜松ホトニクス
  17:40-17:45 閉会挨拶 ( 5分 )

講演時間
一般講演発表 20 分 + 質疑応答 5 分

問合先と今後の予定
LQE レーザ・量子エレクトロニクス研究会(LQE)   [今後の予定はこちら]
問合先 佐藤 健二(日本電気株式会社)
TEL 044-431-7616, FAX 044-431-7619
E-: snc

宮本 智之(東京工業大学)
TEL 045-924-5059, FAX 045-924-5977
E-: ttpi 
お知らせ ◎LQE研究会ホームページ http://www.ieice.org/~lqe/jpn/
◎LQE研究会では 平成18年度より「LQE奨励賞」を設けました。対象は発表年度の4月1日時点で32歳以下の若手研究者(学生を含む)です。積極的にご投稿下さい。


Last modified: 2010-12-02 10:01:00


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