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レーザ・量子エレクトロニクス研究会（LQE）

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専門委員長		河口仁司 (奈良先端大)
副委員長		勝山造 (住友電工)
幹事		佐藤健二 (NEC)，宮本智之 (東工大)

日時	2010年12月17日(金)　09:15 - 17:45
議題	半導体レーザ関連技術，及び一般
会場名	機械振興会館地下2階3号室
交通案内	http://www.jspmi.or.jp/
著作権について	以下の論文すべての著作権は電子情報通信学会に帰属します．(許諾番号：10GA0019/12GB0052/13GB0056/17GB0034/18GB0034)

12月17日(金) 午前 09:15 - 13:00
	09:15-09:20	委員長挨拶（開会）　（ 5分）
(1)	09:20-09:45	マイクロマシン構造を用いた面発光レーザの波長制御 LQE2010-114	○佐野勇人・中田紀彦・中濱正統・松谷晃宏・小山二三夫（東工大）
(2)	09:45-10:10	光インターコネクション向け高信頼性1060 nm帯面発光レーザにおける低電力損失特性 LQE2010-115	○今井　英・高木啓史・神谷慎一・清水　均・吉田順自・川北泰雅・高木智洋・平岩浩二・清水　裕・鈴木理仁・岩井則広・石川卓哉・築地直樹・粕川秋彦（古河電工）
(3)	10:10-10:35	All-Optical Memory Based on Buried Heterostructure Photonic Crystal Lasers LQE2010-116	○Chin-Hui Chen・Shinji Matsuo・Kengo Nozaki・Akihiko Shinya・Tomonari Sato・Yoshihiro Kawaguchi・Hisashi Sumikura・Masaya Notomi（NTT）
	10:35-10:45	休憩　（ 10分）
(4)	10:45-11:10	歪補償法による多重積層量子ドットレーザの発振波長制御 LQE2010-117	○赤羽浩一・山本直克・川西哲也（NICT）
(5)	11:10-11:35	a-Si表面回折格子を有する1550nm波長帯横方向電流注入型DFBレーザ LQE2010-118	○進藤隆彦・奥村忠嗣・伊藤　瞳・小口貴之・高橋大佑・渥美裕樹・姜　ジュンヒョン・長部　亮・雨宮智宏・西山伸彦・荒井滋久（東工大）
(6)	11:35-12:00	低消費電流1.3μm帯AlGaInAs系25.8Gbps直接変調埋込型DFBレーザ LQE2010-119	○境野　剛・瀧口　透・外間洋平・佐久間　仁・綿谷　力・柳楽　崇・鈴木大輔・青柳利隆・石川高英・石村栄太郎・島　顕洋（三菱電機）
	12:00-13:00	昼食　（ 60分）
12月17日(金) 午後 13:00 - 17:45
	13:00-13:10	LQE奨励賞表彰式　（ 10分）
(7)	13:10-13:35	［奨励講演］低駆動電流40Gbps直接変調動作に向けたAlGaInAs系高抵抗埋め込み型DRレーザ LQE2010-120	○植竹理人・大坪孝二・松田　学（光電子融合基盤技研/富士通/富士通研）・奥村滋一（富士通研）・江川　満・山本剛之（光電子融合基盤技研/富士通/富士通研）
(8)	13:35-14:00	［奨励講演］世界最速・超広帯域波長可変・超短パルスレーザー光源（擬似SC光源）の開発とOCTへの応用 LQE2010-121	○住村和彦（光響/阪大）・玄田裕美・太田健史・伊東一良（阪大）・西澤典彦（名大）
	14:00-14:10	休憩　（ 10分）
(9)	14:10-14:35	超伝導発光ダイオードにおける電子クーパー対の寄与 LQE2010-122	○笹倉弘理（北大）・田中和典（浜松ホトニクス）・許　載勲（北大）・赤崎達志（NTT）・熊野英和・末宗幾夫（北大）
(10)	14:35-15:00	第一原理計算によるゲルマニウム量子井戸発光素子の研究	○諏訪雄二・斎藤慎一（日立）
(11)	15:00-15:25	1.3ミクロン帯半導体レーザ基板用大型InGaAs単結晶の製造 LQE2010-123	○木下恭一・依田眞一（JAXA）・青木拓克・山本　智・細川忠利・松島正明（フルウチ化学）・荒井昌和（NTT東日本）・川口悦弘（NEL）・狩野文良（NTT）・近藤康洋（NEL）
(12)	15:25-15:50	光励起によるGaAs1-xBix/GaAs薄膜のファブリ・ペローレーザ発振～その発振波長の低温度依存性～ LQE2010-124	○富永依里子・尾江邦重・吉本昌広（京都工繊大）
	15:50-16:00	休憩　（ 10分）
(13)	16:00-16:25	高出力625nmAlGaInP半導体レーザ LQE2010-125	○八木哲哉・島田尚往・大野彰人・阿部真司・宮下宗治（三菱電機）
(14)	16:25-16:50	BeZnCdSeを用いた緑色レーザの室温連続発振 LQE2010-126	○藤崎寿美子（日立）・中島　博（ソニー）・葛西淳一・秋本良一（産総研）・田才邦彦・滝口由朗（ソニー）・紀川　健（日立）・朝妻庸紀・玉村好司（ソニー）・田中滋久・辻　伸二（日立）・鍬塚治彦・挾間壽文・石川　浩（産総研）
(15)	16:50-17:15	端面非吸収窓構造を用いた超高出力青紫レーザ LQE2010-127	○川口真生・春日井秀紀・左文字克哉・萩野裕幸・折田賢児・山中一彦・油利正昭・瀧川信一（パナソニック）
(16)	17:15-17:40	紫外短波長領域に向けたAlGaN半導体レーザ LQE2010-128	○吉田治正・桑原正和・山下陽滋・内山和也・菅　博文（浜松ホトニクス）
	17:40-17:45	閉会挨拶　（ 5分）

講演時間
一般講演	発表 20 分＋質疑応答 5 分

問合先と今後の予定
LQE	レーザ・量子エレクトロニクス研究会（LQE） [今後の予定はこちら]
	問合先	佐藤健二（日本電気株式会社） TEL 044-431-7616, FAX 044-431-7619 E-: snc 宮本智之（東京工業大学） TEL 045-924-5059, FAX 045-924-5977 E-: ttpi
	お知らせ	◎LQE研究会ホームページ http://www.ieice.org/~lqe/jpn/
		◎LQE研究会では平成18年度より「LQE奨励賞」を設けました。対象は発表年度の4月1日時点で32歳以下の若手研究者(学生を含む)です。積極的にご投稿下さい。