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シリコン材料・デバイス研究会(SDM) [schedule] [select]
専門委員長 大野 裕三 (筑波大)
副委員長 国清 辰也 (ルネサス エレクトロニクス)
幹事 黒田 理人 (東北大)
幹事補佐 山口 直 (ルネサス エレクトロニクス)

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日時 2016年 1月22日(金) 10:00 - 17:15
議題 配線・実装技術と関連材料技術 
会場名 東京大学 山上会館 
他の共催 ◆応用物理学会共催
著作権に
ついて
以下の論文すべての著作権は電子情報通信学会に帰属します.(許諾番号:10GA0019/12GB0052/13GB0056/17GB0034/18GB0034)

1月22日(金) 午前 
10:00 - 17:15
  10:00-10:05 開会の挨拶 ( 5分 )
(1) 10:05-10:40 [招待講演]400万個のマイクロバンプ接続を有する1600画素3次元積層型イメージセンサの信頼性試験結果 SDM2015-108 竹本良章高澤直裕月村光弘齊藤晴久近藤 亨加藤秀樹青木 潤小林賢司鈴木俊介五味祐一松田成介只木芳隆オリンパス
(2) 10:40-11:15 [招待講演]常温12年応力変動の結果から銅配線のストレスマイグレーションメカニズムの再考 SDM2015-109 松山英也ソシオネクスト)・鈴木貴志中村友二富士通研)・塩津基樹江原英郎三重富士通セミコンダクター
(3) 11:15-11:35 Copper Thin Film Growth using Cu(I) Amidinate Precursor in Supercritical Carbon Dioxide SDM2015-110 Md RasadujjamanMitsuhiro WatanabeUniv. Yamanashi)・Hiroshi SudohHideaki MachidaGas phase growth)・Eiichi KondohUniv. Yamanashi
(4) 11:35-11:55 BTA-H2O2溶液中におけるCu表面のその場エリプソメトリ SDM2015-111 川上達也近藤英一渡邉満洋山梨大)・濱田聡美嶋 昇平檜山浩國荏原製作所
  11:55-13:00 昼食,休憩 ( 65分 )
(5) 13:00-13:35 [招待講演]低温作製された窒化物薄膜の特性 SDM2015-112 武山真弓佐藤 勝北見工大)・小林靖志中田義弘中村友二富士通研)・野矢 厚北見工大
(6) 13:35-13:55 ラジカル処理を用いた低温TiNx膜の特性評価 SDM2015-113 佐藤 勝武山真弓野矢 厚北見工大
(7) 13:55-14:15 Fabrication of highly reliable Co(W) thin film by physical vapor deposition for next generation ULSI Cu interconnects SDM2015-114 Taewoong KimKouta TomitaTakeshi MomoseUniv. of Tokyo)・Takaaki TsunodaTakayuki MoriwakiCANON ANELVA)・Yukihiro ShimogakiUniv. of Tokyo
(8) 14:15-14:35 Fabrication of Multilayer Graphene by Solid-Phase Precipitation with Current Stress SDM2015-115 MD Sahab UddinHiroyasu IchikawaShota SanoSIT)・Kazuyoshi UenoSIT/RCGI
(9) 14:35-15:10 [招待講演]バンプレスインターコネクトを用いた三次元積層デバイス向けのウエハ薄化評価結果 SDM2015-116 金 永ソク児玉祥一水島賢子中村友二前田展秀藤本興治東工大)・川合章仁ディスコ)・大場隆之東工大
  15:10-15:25 休憩 ( 15分 )
(10) 15:25-16:00 [招待講演]Novel reconfigured wafer-to-wafer(W2W) hybrid bonding technology using ultra-high density nano-Cu filaments for exascale 2.5D/3D integration SDM2015-117 Kangwook LeeTaksfumi FukushimaTetsu TanakaMitsumasa KoyanagiTohoku Univ.
(11) 16:00-16:35 [招待講演]2.5D/3D TSV用実装材料技術 SDM2015-118 満倉一行牧野竜也畠山恵一日立化成)・Kenneth June RebibisAndy MillerEric BeyneIMEC
(12) 16:35-17:10 [招待講演]印刷によるTSV形成技術の開発 ~ ナノ・ファンクション材料技術の展開 ~ SDM2015-119 池田博明関根重信木村竜司下川耕一岡田圭二進藤広明大井達也玉木玲衣ナプラ)・永田 真神戸大
  17:10-17:15 閉会の挨拶 ( 5分 )

講演時間
一般講演発表 15 分 + 質疑応答 5 分
招待講演発表 25 分 + 質疑応答 10 分

問合先と今後の予定
SDM シリコン材料・デバイス研究会(SDM)   [今後の予定はこちら]
問合先 黒田 理人(東北大)
Tel 022-795-4833 Fax 022-795-4834
E-: e3 


Last modified: 2015-12-25 17:09:44


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