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シリコン材料・デバイス研究会(SDM) [schedule] [select]
専門委員長 遠藤 哲郎 (東北大)
副委員長 奈良 安雄 (富士通マイクロエレクトロニクス)
幹事 小野 行徳 (NTT), 大西 克典 (九工大)
幹事補佐 野村 晋太郎 (筑波大)

日時 2010年12月17日(金) 10:00 - 17:45
議題 シリコン関連材料の作製と評価 
会場名 京都大学桂キャンパスA1棟 地下講義室1 
住所 〒615-8510 京都市西京区京都大学桂A1
交通案内 阪急桂駅(西口)からバス15分「京大桂キャンパス前」下車
http://www.kyoto-u.ac.jp/ja/access/campus/map6r_k.htm
会場世話人
連絡先
京都大学工学研究科 木本恒暢
075-383-2300
お知らせ ◎研究会終了後,懇親会を予定していますので御参加ください.
著作権に
ついて
以下の論文すべての著作権は電子情報通信学会に帰属します.(許諾番号:10GA0019/12GB0052/13GB0056/17GB0034/18GB0034)

12月17日(金) 午前 
10:00 - 12:20
(1) 10:00-10:20 MOSFETのしきい値電圧および理論計算から求めた<100>Siナノワイヤのバンドギャップ SDM2010-185 吉岡裕典森岡直也須田 淳木本恒暢京大
(2) 10:20-10:40 X線検出素子(Silicon Drift Detector)用Si基板の高抵抗率化 ~ シミュレーションによる評価 ~ SDM2010-186 北野谷征吾西川誠二松浦秀治阪電通大
(3) 10:40-11:00 イオンチャネリングによるホイスラー合金Fe3-xMnxSi(111)/Ge(111)ヘテロエピタキシャル界面の軸配向性の評価 SDM2010-187 中島孝仁松倉武偉京大)・鳴海一雅原子力機構)・前田佳均京大
(4) 11:00-11:20 蛍光体粉末の微粒化処理によるZnS無機ELの発光特性の改善 SDM2010-188 堀口昌吾紺谷拓哉堀田昌宏奈良先端大)・田口信義イメージテック)・浦岡行治奈良先端大/JST
(5) 11:20-11:40 多結晶シリコン太陽電池の作製における室温レーザードーピング SDM2010-189 長谷川光洋平田憲司高山 環舟谷友宏冬木 隆奈良先端大
(6) 11:40-12:00 結晶系シリコン太陽電池におけるドーパントプレカーサー制御によるレーザードーピングプロセスの最適化 SDM2010-190 舟谷友宏平田憲司高山 環長谷川光洋冬木 隆奈良先端大
(7) 12:00-12:20 ナノ構造シリコンへのH2-N2プラズマ処理効果 SDM2010-191 渡辺晃次須田健一仲田英起本橋光也東京電機大
  12:20-13:20 昼食 ( 60分 )
12月17日(金) 午後 
13:20 - 15:30
(8) 13:20-13:50 [招待講演]ReRAMの物性評価と基本メモリ特性の制御 SDM2010-192 木下健太郎依田貴稔田中隼人花田明紘岸田 悟鳥取大
(9) 13:50-14:10 真空中での熱処理によるPt/NiO/Pt抵抗変化素子の電気的特性変化 SDM2010-193 岩田達哉西 佑介木本恒暢京大
(10) 14:10-14:30 放電電流過渡分光法を用いた高純度半絶縁性4H-SiCの欠陥評価における犠牲酸化処理の効果 SDM2010-194 西川誠二北野谷征吾松浦秀治阪電通大
(11) 14:30-14:50 200keV電子線照射による4H-SiCエピ膜中の多数キャリア密度の変化 SDM2010-195 野尻琢慎西野公三柳澤英樹松浦秀治阪電通大)・小野田 忍大島 武原子力機構
(12) 14:50-15:10 超臨界水で酸化したSiC基板表面とその膜質評価 SDM2010-196 佐藤智久阪大)・二ツ木高志大江太郎オルガノ)・小松直佳木村千春青木秀充阪大
(13) 15:10-15:30 多原子分子イオンビームによるシリコン表面照射効果 SDM2010-197 竹内光明龍頭啓充高岡義寛京大
  15:30-15:45 休憩 ( 15分 )
12月17日(金) 午後 
15:45 - 17:45
(14) 15:45-16:05 ホトルミネセンス法およびDLTS法によるシリコン極浅接合の再結晶化過程の評価 SDM2010-198 奥谷真士高島周平吉本昌広京都工繊大)・Woo Sik YooWaferMasters
(15) 16:05-16:25 ガラス上に形成された大粒径を有する低温poly-Si1-xGex薄膜トランジスタの開発 SDM2010-199 岡部泰典近藤健二東北学院大)・広瀬研太鈴木順季北原邦紀島根大)・原 明人東北学院大
(16) 16:25-16:45 裏面からのレーザー照射による2層同時結晶化LTPS-TFTメモリの特性評価 SDM2010-200 松江将博市川和典赤松 浩神戸高専)・山崎浩司堀田昌宏浦岡行治奈良先端大
(17) 16:45-17:05 Siゲートを持つDNA電界効果トランジスタに関する研究 SDM2010-201 高城祥吾松尾直人山名一成部家 彰高田忠雄兵庫県立大)・坂本憲児横山 新広島大
(18) 17:05-17:25 Poly-Si TFTによるデバイスレベルのニューラルネットワーク ~ 複数回の学習とAND・OR・EXORの学習 ~ SDM2010-202 宮谷友彰藤田悠佑龍谷大)・三島大樹奈良先端大)・谷口 仁笠川知洋木村 睦龍谷大
(19) 17:25-17:45 高圧水蒸気熱処理によるa-In2Ga2Zn1O7 TFTの特性改善効果 SDM2010-203 丸山智己藤井茉美奈良先端大)・笠見雅司矢野公規出光興産)・堀田昌宏石河泰明奈良先端大)・浦岡行治奈良先端大/JST

講演時間
一般講演発表 15 分 + 質疑応答 5 分
招待講演発表 25 分 + 質疑応答 5 分

問合先と今後の予定
SDM シリコン材料・デバイス研究会(SDM)   [今後の予定はこちら]
問合先 木本 恒暢(京都大学)
Tel: 075-383-2300 Fax: 075-383-2303
E--mail: eek-u 


Last modified: 2010-10-21 09:07:39


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