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シリコン材料・デバイス研究会(SDM) [schedule] [select]
専門委員長 奈良 安雄 (富士通セミコンダクター)
副委員長 大野 裕三 (東北大)
幹事 野村 晋太郎 (筑波大), 笹子 佳孝 (日立)

日時 2012年 6月21日(木) 09:00 - 18:00
議題 ゲート絶縁薄膜、容量膜、機能膜およびメモリ技術(応用物理学会、シリコンテクノロジー分科会との合同開催) 
会場名 名古屋大学 ベンチャー・ビジネス・ラボラトリー 3階 ベンチャーホール 
住所 〒464-8603 愛知県名古屋市千種区不老町
交通案内 地下鉄 名城線 名古屋大学駅から徒歩5分
http://www.vbl.nagoya-u.ac.jp/access/index.html
会場世話人
連絡先
名古屋大学大学院工学研究科 電子情報システム専攻 宮崎誠一
052-789-3588
他の共催 ◆応用物理学会 シリコンテクノロジー分科会 共催
お知らせ ◎研究会終了後,懇親会を予定していますので御参加ください.
著作権に
ついて
以下の論文すべての著作権は電子情報通信学会に帰属します.
(許諾番号:10GA0019/12GB0052/13GB0056/17GB0034/18GB0034)

6月21日(木) 午前 
09:00 - 18:00
(1) 09:00-09:20 Pt/SiOx/TiNダイオード構造の化学構造分析と電気抵抗スイッチング特性評価 SDM2012-43 福嶋太紀名大)・大田晃生広島大)・牧原克典宮崎誠一名大
(2) 09:20-09:40 貼り合せ直接接合SrTiO3(001)基板を用いた抵抗スイッチング特性評価 SDM2012-44 淺田遼太Pham Phu Thanh SonKokate Nishad Vasant吉川 純竹内正太郎中村芳明酒井 朗阪大
(3) 09:40-10:00 Si量子ドット/NiSiナノドットハイブリッド積層フローティングゲートMOS構造における光励起キャリア移動 SDM2012-45 池田弥央広島大)・牧原克典宮崎誠一名大
(4) 10:00-10:20 リステリアDpsを利用したナノドット型フローティングゲートメモリの作製 SDM2012-46 上武央季奈良先端大/JST)・小原孝介奈良先端大)・上沼睦典鄭 彬石河泰明奈良先端大/JST)・山下一郎奈良先端大/JST/パナソニック)・浦岡行治奈良先端大/JST
(5) 10:20-10:40 極薄GeON膜を用いた高移動度Ge MOSFETの作製と電気特性評価 SDM2012-47 箕浦佑也糟谷篤志細井卓治志村考功渡部平司阪大
  10:40-10:55 休憩 ( 15分 )
(6) 10:55-11:15 Al2O3/Ge構造への酸素熱処理および酸素ラジカル処理による界面反応機構の解明 SDM2012-48 柴山茂久名大)・加藤公彦名大/学振)・坂下満男竹内和歌奈田岡紀之中塚 理財満鎭明名大
(7) 11:15-11:35 TaOx層挿入によるHfO2/Ge界面反応制御 SDM2012-49 村上秀樹三嶋健斗大田晃生橋本邦明東 清一郎広島大)・宮崎誠一名大
(8) 11:35-11:55 ゲート電極の還元性がGe基板上Pr酸化膜のPr価数に与える影響 SDM2012-50 加藤公彦名大/学振)・坂下満男竹内和歌奈田岡紀之中塚 理財満鎭明名大
(9) 11:55-12:15 TiN電極中の酸素に起因したHf系High-kゲート絶縁膜の特性劣化 SDM2012-51 細井卓治大嶽祐輝有村拓晃力石薫介北野尚武志村考功渡部平司阪大
(10) 12:15-12:35 (TaC)1-xAlx/HfO2/SiO2ゲートスタックで熱処理温度に対するAl原子の評価 木村将之芝浦工大)・生田目俊秀物質・材料研究機構)・山田博之芝浦工大)・大井暁彦成島利弘知京豊裕物質・材料研究機構)・大石知司芝浦工大
  12:35-13:35 昼食 ( 60分 )
(11) 13:35-13:55 第一原理計算によるGe表面でのドーパント不純物偏析挙動の解析 SDM2012-52 飯島郁弥澤野憲太郎東京都市大)・牛尾二郎日立)・丸泉琢也白木靖寛東京都市大
(12) 13:55-14:15 極薄層挿入によるAl/Ge接合の伝導特性制御 SDM2012-53 大田晃生松井真史村上秀樹東 清一郎広島大)・宮崎誠一名大
(13) 14:15-14:35 金属/(Si/Ge)界面の構造乱れとSBH変調の関係:第一原理計算による理論的検討 SDM2012-54 小日向恭祐中山隆史千葉大
  14:35-14:45 小休憩 ( 10分 )
(14) 14:45-15:05 As+イオン注入したゲルマニウム層の化学分析 SDM2012-55 小野貴寛大田晃生村上秀樹東 清一郎広島大)・宮崎誠一名大
(15) 15:05-15:30 極浅接合における異なる化学結合状態を持つ不純物の検出とその深さ方向プロファイル評価 SDM2012-56 筒井一生金原 潤宮田陽平東工大)・野平博司東京都市大)・泉 雄大室 隆桂之木下豊彦高輝度光科学研究センター)・パールハット アヘメト角嶋邦之服部健雄岩井 洋東工大
(16) 15:30-15:55 エピタキシャルNiSi2ソース/ドレインにおける原子層オーダーの接合位置制御及びドーパント偏析によるショットキーバリアハイトの低減 SDM2012-57 水林 亘右田真司森田行則太田裕之産総研
(17) 15:55-16:20 シリコンナノワイヤへの不純物ドーピングと不純物の挙動 ~ 熱酸化過程での偏析挙動 ~ SDM2012-58 深田直樹物質・材料研究機構)・滝口 亮石田慎哉横野茂樹筑波大)・関口隆史物質・材料研究機構)・村上浩一筑波大
  16:20-16:35 休憩 ( 15分 )
(18) 16:35-16:55 微細3次元デバイスに向けたシリサイドショットキーS/Dの界面制御方法の提案 SDM2012-59 田村雄太吉原 亮角嶋邦之パールハット アヘメト片岡好則西山 彰杉井信之筒井一生名取研二服部健雄岩井 洋東工大
(19) 16:55-17:15 微細InGaAs MOSFETに適用可能な極薄Ni-InGaAs合金コンタクトの形成とその熱的安定性 SDM2012-60 入沢寿史小田 穣手塚 勉産総研
(20) 17:15-17:40 TiN/Geコンタクトに於けるフェルミレベルピンニング変調とMOSデバイスへの応用 SDM2012-61 山本圭介井餘田昌俊王 冬中島 寛九大
(21) 17:40-18:00 ダイヤモンド半導体/金属界面の電気特性制御 ~ p型・n型ダイヤモンドの現状と課題 ~ SDM2012-62 松本 翼筑波大)・加藤宙光小倉政彦竹内大輔牧野俊晴大串秀世山崎 聡産総研

講演時間
一般講演発表 15 分 + 質疑応答 5 分
奨励講演発表 15 分 + 質疑応答 5 分
招待講演発表 20 分 + 質疑応答 5 分

問合先と今後の予定
SDM シリコン材料・デバイス研究会(SDM)   [今後の予定はこちら]
問合先 小野 行徳(NTT)
Tel 046-240-2641 Fax 046-240-4317
E-: o 


Last modified: 2012-04-13 15:04:18


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