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電子ディスプレイ研究会(EID) [schedule] [select]
専門委員長 山口 留美子 (秋田大)
副委員長 山口 雅浩 (東工大), 新田 博幸 (ジャパンディスプレイ)
幹事 伊達 宗和 (NTT), 中田 充 (NHK)
幹事補佐 木村 睦 (龍谷大), 志賀 智一 (電通大), 奥野 武志 (ファーウェイ), 小南 裕子 (静岡大), 水﨑 真伸 (シャープ), 神原 誠之 (奈良先端大)

シリコン材料・デバイス研究会(SDM) [schedule] [select]
専門委員長 品田 高宏 (東北大)
副委員長 平野 博茂 (パナソニック・タワージャズ)
幹事 池田 浩也 (静岡大), 諸岡 哲 (キオクシア)
幹事補佐 森 貴洋 (産総研), 小林 伸彰 (日大)

情報ディスプレイ研究会(ITE-IDY) [schedule] [select]

日時 2019年12月24日(火) 13:00 - 17:00
議題 半導体材料プロセス・デバイス研究会 
会場名 奈良先端科学技術大学院大学 物質創成科学研究領域 
住所 奈良県生駒市高山町8916-5
会場世話人
連絡先
浦岡行治
0743-72-6060
他の共催 ◆応用物理学会共催
参加費に
ついて
この開催は「技報完全電子化」研究会です.参加費(SDM研究会, EID研究会)についてはこちらをご覧ください.

12月24日(火) 午後  奈良先端科学技術大学院大学 物質創成科学領域 大講義室
13:00 - 17:00
(1) 13:00-13:25 特別招待講演 奈良先端科学技術大学院大学 藤井茉美
ダイヤモンドの水素終端2DHG表面の欠陥評価
(2)
SDM
13:25-13:45 SiO2/GaN MOS構造における電極形成後アニール前後の界面および膜中電荷の評価 古川暢昭上沼睦典石河泰明浦岡行治奈良先端大
(3)
ITE-IDY
13:45-14:05 ミストCVD法によるGa-Sn-O薄膜を用いたメモリスタ開発 小林雅樹杉崎澄生木村 睦龍谷大
(4)
ITE-IDY
14:05-14:25 Al2O3絶縁膜上に作製したGa-Sn-O TFT 服部一輝谷野健太松田時宜木村 睦龍谷大)・川原村敏幸高知工科大
(5)
SDM
14:25-14:45 量子デバイスに向けた球殻状タンパク質をテンプレートとしたCuInS2ナノ粒子作製 唐木裕馬宮永良子岡本尚文石河泰明奈良先端大)・山下一郎阪大)・浦岡行治奈良先端大
(6)
ITE-IDY
14:45-15:05 薄膜デバイスを用いた人工網膜の生体外実験 豊田航平冨岡圭佑三澤慶悟内藤直矢木村 睦龍谷大
(7)
ITE-IDY
15:05-15:25 :ニューラルネットワークのための多層クロスポイント型シナプス素子 津野拓海近藤厚志新村純平田中 遼山川大樹柴山友輝岩城江津子木村 睦龍谷大
  15:25-15:35 休憩 ( 10分 )
(8) 15:35-16:00 特別招待講演 奈良先端科学技術大学院大学 上沼睦典
薄膜材料を用いた熱電変換素子
(9)
SDM
16:00-16:20 Stable Growth of (100)-Oriented Low Angle Grain Boundary Silicon Thin Films Extending to the length of 3000 μm by a Continuous-Wave Laser Lateral Crystallization Muhammad Arif RazaliNobuo SasakiYasuaki IshikawaYukiharu UraokaNAIST
(10)
ITE-IDY
16:20-16:40 2段階堆積プロセスを用いた(Bi,La)4Ti3O12薄膜の結晶成長 吉田 誉石崎勇真宮部雄太木村 睦龍谷大
(11)
ITE-IDY
16:40-17:00 Ga-Sn-O薄膜を用いた抵抗変化型メモリの電極依存性 橋本快人倉崎彩太田中 遼杉崎澄生角田 涼木村 睦龍谷大

講演時間
一般講演発表 15 分 + 質疑応答 5 分

問合先と今後の予定
EID 電子ディスプレイ研究会(EID)   [今後の予定はこちら]
問合先  
SDM シリコン材料・デバイス研究会(SDM)   [今後の予定はこちら]
問合先 諸岡 哲(キオクシア)
Tel 059-390-7451 Fax 059-361-2739
E-: oxia 
ITE-IDY 情報ディスプレイ研究会(ITE-IDY)   [今後の予定はこちら]
問合先  


Last modified: 2019-11-13 10:20:35


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