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シリコン材料・デバイス研究会(SDM) [schedule] [select]
専門委員長 遠藤 哲郎 (東北大)
副委員長 奈良 安雄 (富士通マイクロエレクトロニクス)
幹事 小野 行徳 (NTT), 大西 克典 (九工大)
幹事補佐 野村 晋太郎 (筑波大)

日時 2010年10月21日(木) 14:00 - 18:10
2010年10月22日(金) 09:30 - 16:50
議題 プロセス科学と新プロセス技術 
会場名 東北大学 未来情報産業研究館5F 
交通案内 http://www.fff.niche.tohoku.ac.jp/
会場世話人
連絡先
未来科学技術共同研究センター 後藤哲也
022-795-3977

10月21日(木) 午後 
14:00 - 18:10
(1) 14:00-15:00 [招待講演]先端LSIにおけるチャネル歪評価 小椋厚志明大)・小瀬村大亮明大/学振)・武井宗久富田基裕明大
(2) 15:00-15:30 液浸ラマン分光法による異方性2軸応力評価 小瀬村大亮明大/学振)・小椋厚志明大
(3) 15:30-16:00 Yb混晶化PtSiの仕事関数変調機構 石川純平高 峻大見俊一郎東工大
  16:00-16:10 休憩 ( 10分 )
(4) 16:10-16:40 Hf混晶化によるPtSiの高精度仕事関数制御に関する検討 高 峻石川純平大見俊一郎東工大
(5) 16:40-17:10 Effect of ultra-thin Yb layer on n-type characteristics of pentacene based MOS diodes Young-uk SongHiroshi IshiwaraShun-ichiro OhmiTokyo Inst. of Tech.
(6) 17:10-17:40 ULSI用低抵抗コンタクトのための低バリアハイトメタルシリサイドの形成 田中宏明黒田理人中尾幸久寺本章伸須川成利大見忠弘東北大
(7) 17:40-18:10 薄膜アモルファスシリコンの低温結晶化 岩鍜治陽子広田 潤矢吹 宗石田浩一金子和香奈水島一郎赤堀浩史東芝
  18:10-18:30 休憩 ( 20分 )
  18:30-20:30 懇親会 ( 120分 )
10月22日(金) 午前 
09:30 - 12:10
(8) 09:30-10:00 ルミネッセンス計算化学による高分子発光材料/陰極界面の電子移動解析 山下 格大沼宏彰南雲 亮三浦隆治鈴木 愛坪井秀行畠山 望遠藤 明高羽洋充久保百司宮本 明東北大
(9) 10:00-10:30 材料情報学による母体結晶からのEu2+付活蛍光体の発光特性予測 大沼宏彰吉原大貴山下 格南雲 亮三浦隆治鈴木 愛坪井秀行畠山 望遠藤 明高羽洋充久保百司宮本 明東北大
(10) 10:30-11:00 計算化学によるSi/SiC量子ドット太陽電池におけるキャリアトラップの解析 広瀬 祥山下 格南雲 亮三浦隆治鈴木 愛坪井秀行畠山 望遠藤 明高羽洋充久保百司宮本 明東北大
  11:00-11:10 休憩 ( 10分 )
(11) 11:10-11:40 連続発振レーザー結晶化poly-Si TFTにおける内部歪と電子移動度の評価 藤井俊太朗黒木伸一郎小谷光司東北大
(12) 11:40-12:10 高性能LTPS-TFTのためのDouble-Line-Beam CLCによる高結晶配向Poly-Si薄膜形成 黒木伸一郎川崎雄也藤井俊太朗小谷光司東北大)・伊藤隆司東工大/広島大
  12:10-13:10 昼食 ( 60分 )
10月22日(金) 午後 
13:10 - 16:50
(13) 13:10-13:40 Effect of gate insulator on the electrical properties of pentacene based organic field-effect transistors Min LiaoHiroshi IshiwaraShun-ichiro OhmiTokyo Inst. of Tech.
(14) 13:40-14:10 Integration of Novel Non-porous Low-k Dielectric Fluorocarbon into Advanced Cu Interconnects Xun GuTakenao NemotoYugo TomitaAkinobu TeramotoShin-Ichiro KurokiShigetoshi SugawaTadahiro OhmiTohoku Univ.
(15) 14:10-14:40 ECRスパッタ法によるHfN/HfSiON積層構造のin-situ形成 佐野貴洋大見俊一郎東工大
  14:40-14:50 休憩 ( 10分 )
(16) 14:50-15:20 酸素ラジカルを用いて形成したSiO2/Si界面における組成遷移と価電子帯オフセットの基板面方位依存性 諏訪智之熊谷勇喜寺本章伸大見忠弘服部健雄東北大)・木下豊彦室 隆桂之高輝度光科学研究センター
(17) 15:20-15:50 自動化超高速化量子分子動力学法の開発とシリコン酸化膜形成の反応解析への応用 坪井秀行稲葉賢二伊勢真理子林 由紀江鈴木裕佳佐藤裕美小原幸子南雲 亮三浦隆治鈴木 愛畠山 望遠藤 明高羽洋充久保百司宮本 明東北大
(18) 15:50-16:20 自動化超高速化量子分子動力学法によるシリコン表面のドライ・ウェットおよびラジカル酸化反応シミュレーション 坪井秀行伊勢真理子林 由紀江鈴木裕佳佐藤裕美小原幸子稲葉賢二南雲 亮三浦隆治鈴木 愛畠山 望遠藤 明高羽洋充久保百司宮本 明東北大
(19) 16:20-16:50 原子スケールで平坦なSiO2/Si酸化膜界面歪の評価 服部真季明大)・小瀬村大亮明大/学振)・武井宗久永田晃基赤松弘彬富田基裕水上雄輝橋口裕樹山口拓也小椋厚志明大)・諏訪智之寺本章伸服部健雄大見忠弘東北大)・小金澤智之高輝度光科学研究センター

講演時間
一般講演発表 25 分 + 質疑応答 5 分
招待講演発表 50 分 + 質疑応答 10 分

問合先と今後の予定
SDM シリコン材料・デバイス研究会(SDM)   [今後の予定はこちら]
問合先 安斎 久浩(ソニー)
Tel 046-201-3297 Fax046-202-6572
E-: Hisahiro.Ansai@jp.sony.com 


Last modified: 2010-08-19 12:40:06


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