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シリコン材料・デバイス研究会(SDM) [schedule] [select]
専門委員長 渡辺 重佳 (湘南工科大)
副委員長 杉井 寿博 (富士通マイクロエレクトロニクス)
幹事 川中 繁 (東芝), 安斎 久浩 (ソニー)
幹事補佐 大見 俊一郎 (東工大)

集積回路研究会(ICD) [schedule] [select]
専門委員長 松澤 昭 (東工大)
副委員長 内山 邦男 (日立)
幹事 永田 真 (神戸大), 藤島 実 (東大)
幹事補佐 広瀬 佳生 (富士通研), 鈴木 弘明 (ルネサステクノロジ)

日時 2008年 7月17日(木) 09:00 - 17:35
2008年 7月18日(金) 09:00 - 17:10
議題 低電圧/低消費電力技術、新デバイス・回路とその応用 
会場名 機械振興会館 
住所 東京都港区芝公園3丁目5番8号
交通案内 東京メトロ日比谷線神谷町駅下車 徒歩8分、都営地下鉄三田線御成門駅下車 徒歩8分
http://www.jspmi.or.jp/
お知らせ ◎7月17日(木)研究会終了後,懇親会を予定していますので御参加ください.

7月17日(木) 午前 
座長: 川中 繁(東芝)
09:00 - 10:15
(1) 09:00-09:25 (100), (110)基板上High-k/MetalゲートpMOSFETsのNBTIと1/fノイズ特性の相違に関する考察 佐藤基之杉田義博青山敬幸奈良安雄大路 譲半導体先端テクノロジーズ
(2) 09:25-09:50 High-kゲート絶縁膜を有するp-MOSFETにおけるドレイン電流の変動 ~ ゲート絶縁膜中トラップによる単一正孔の捕獲・放出の影響 ~ 小林茂樹齋藤真澄内田 建東芝
(3) 09:50-10:15 45nm世代SRAM向けHfSiOxを用いたしきい値電圧ばらつきの低減 筒井 元角田一晃刈谷奈由太秋山 豊阿部倫久丸山信也深瀬 匡鈴木三惠子山縣保司今井清隆NECエレクトロニクス
  10:15-10:30 休憩 ( 15分 )
7月17日(木) 午前 
座長: 上田 佳孝(三洋電機)
10:30 - 12:10
(4) 10:30-10:55 プロセスばらつきや温度耐性を向上した45nm SoC向け混載SRAM 薮内 誠新居浩二塚本康正大林茂樹今岡 進ルネサステクノロジ)・山上由展石倉 聡寺野登志夫里見勝治赤松寛範松下電器)・篠原尋文ルネサステクノロジ
(5) 10:55-11:20 高信頼なLSIを実現するための微小遅延欠陥検出技術 野口宏一朗野瀬浩一NEC)・尾野年信NECエレクトロニクス)・水野正之NEC
(6) 11:20-12:10 [招待講演]コンパクトモデルの進化 ~ 表面ポテンシャルを用いたHiSIMモデルの特徴 ~ 大黒達也東芝/広島大)・三浦道子広島大
  12:10-13:10 昼食 ( 60分 )
7月17日(木) 午後 
座長: 渡辺 重佳(湘南工大)
13:10 - 14:50
(7) 13:10-14:00 [招待講演]究極の集積化を目指すスーパーチップ技術 小柳光正田中 徹東北大
(8) 14:00-14:50 [特別講演]微細トランジスタにおける特性ばらつきの現状と将来動向 平本俊郎東大/MIRAI-Selete)・竹内 潔角村貴昭MIRAI-Selete)・Arifin T.P.東大)・西田彰男蒲原史朗MIRAI-Selete
  14:50-15:05 休憩 ( 15分 )
7月17日(木) 午後 
座長: 平本 俊郎(東大)
15:05 - 16:20
(9) 15:05-15:30 ロジックプロセス互換型SESOメモリセルによる低ソフトエラー(0.1FIT/Mb)、高速動作(100MHz)、長リテンション(100ms)の実現 亀代典史渡部隆夫石井智之峰 利之日立)・佐野聡明ルネサス北日本セミコンダクタ)・伊部英史秋山 悟日立)・柳沢一正一法師隆志岩松俊明高橋保彦ルネサステクノロジ
(10) 15:30-15:55 独立したゲートを持つスタック型3次元トランジスタによるシステムLSIの設計法 廣島 佑渡辺重佳湘南工科大
(11) 15:55-16:20 カーボンナノチューブ素子におけるデバイスと回路のCo-Design ~ カーボンナノチューブがシリコンCMOSを凌駕するためには? ~ 藤田 忍東芝
  16:20-16:35 休憩 ( 15分 )
7月17日(木) 午後 
座長: 川中 繁(東芝)
16:35 - 17:35
(12) 16:35-17:35 [パネル討論]新デバイス・回路技術の将来展望(1)
大黒達也(広大,東芝)・小柳光正(東北大)・平本俊郎(東大)
7月18日(金) 午前 
座長: 浦野 正美(NTT)
09:00 - 10:15
(13) 09:00-09:25 サブスレッショルド領域で動作する低消費電力LSIの高速化の検討 鶴窪 淳渡辺重佳湘南工科大
(14) 09:25-09:50 リアルタイムスケジューリングを用いたシステムLSI電源電圧の低電力化の検討 佐藤賢和渡辺重佳湘南工科大
(15) 09:50-10:15 突入電流バイパス電源配線を用いて1μs以内で電源復帰できるパワーゲーティング技術 中山耕一川崎健一塩田哲義井上淳樹富士通研
  10:15-10:30 休憩 ( 15分 )
7月18日(金) 午前 
座長: 岡野 廣(富士通)
10:30 - 12:10
(16) 10:30-11:20 [招待講演]CMOS技術によるバイオメディカルフォトニックデバイス 徳田 崇太田 淳奈良先端大
(17) 11:20-12:10 [招待講演]無線/光配線による三次元集積の課題と展望 岩田 穆横山 新広島大
  12:10-13:10 昼食 ( 60分 )
7月18日(金) 午後 
座長: 堺谷 智(ローム)
13:10 - 14:00
(18) 13:10-14:00 [招待講演]集積化MEMSのRF CMOSへの期待 益 一哉東工大
  14:00-14:15 休憩 ( 15分 )
7月18日(金) 午後 
座長: 川中 繁(東芝)
14:15 - 15:55
(19) 14:15-14:40 先端不揮発性メモリのBiCS型積層化に関する検討 ~ BiCS型FeRAM、MRAMの基礎検討 ~ 渡辺重佳菅野孝一玉井翔人湘南工科大
(20) 14:40-15:05 FSP-FLA(Flexibly-Shaped-Pulse FLA)による極浅接合形成とメタル/高誘電率絶縁膜デバイス特性の改善 鬼沢 岳加藤慎一青山敬幸奈良安雄大路 譲半導体先端テクノロジーズ
(21) 15:05-15:30 極微細TaCx/HfSiONデバイスの性能および歪み効果に対するTaCx組成の影響 後藤正和辰村光介川中 繁中嶋一明市原玲華吉水康人小野田裕之長友浩二佐々木俊行福島 崇野町映子犬宮誠治青山知憲小山正人豊島義明東芝
(22) 15:30-15:55 ハイブリッド・ゲート構造(NMOS:不純物閉じ込め層/PMOS:FLAによるNi-FUSI)を有する高性能サブ35nmバルクCMOSFET ~ ハイブリッド・ゲート構造 ~ 大田裕之富士通研)・川村和郎富士通マイクロエレクトロニクス)・福留秀暢富士通研)・田島 貢岡部堅一富士通マイクロエレクトロニクス)・○池田圭司保坂公彦籾山陽一佐藤成生杉井寿博富士通研
  15:55-16:10 休憩 ( 15分 )
7月18日(金) 午後 
座長: 井上 弘士(九大)
16:10 - 17:10
(23) 16:10-17:10 [パネル討論]新デバイス・回路技術の将来展望(2)
徳田 崇(奈良先端大)・岩田 穆(広大)・益 一哉(東工大)

講演時間
一般講演発表 20 分 + 質疑応答 5 分
招待講演発表 40 分 + 質疑応答 10 分

問合先と今後の予定
SDM シリコン材料・デバイス研究会(SDM)   [今後の予定はこちら]
問合先 川中繁 (東芝)
TEL 045-776-5670, FAX 045-776-4104
E- geba 
ICD 集積回路研究会(ICD)   [今後の予定はこちら]
問合先 相本代志治 (NECエレクトロニクス)
TEL 044-435-1258,FAX 044-435-1878
E-:aicel 


Last modified: 2008-05-23 14:43:01


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