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電子デバイス研究会(ED) [schedule] [select]
専門委員長 前澤 宏一 (富山大)
副委員長 津田 邦男 (東芝)
幹事 鈴木 寿一 (北陸先端大), 新井 学 (新日本無線)
幹事補佐 東脇 正高 (NICT), 大石 敏之 (佐賀大)

マイクロ波研究会(MW) [schedule] [select]
専門委員長 石川 容平 (京大)
副委員長 九鬼 孝夫 (国士舘大), 西川 健二郎 (鹿児島大), 田島 賢一 (三菱電機)
幹事 佐藤 潤二 (パナソニック), 平野 拓一 (東工大)
幹事補佐 關谷 尚人 (山梨大), 小野 哲 (電通大)

日時 2017年 1月26日(木) 14:00 - 16:40
2017年 1月27日(金) 09:30 - 15:15
議題 化合物半導体ICおよび超高速・超高周波デバイス/マイクロ波一般 
会場名 機械振興会館地下2階1号室 
住所 〒105-0011 東京都港区芝公園3-5-8
他の共催 ◆IEEE MTT-S Japan Chapter;IEEE MTT-S Kansai Chapter;IEEE MTT-S Nagoya Chapter協賛

1月26日(木) 午後  ED研シンポジウム(1)
座長: 原直紀(富士通)
14:00 - 15:15
(1) 14:00-14:25 [依頼講演]Si基板上GaNパワーデバイス ~ スイッチング及び高周波応用 ~ 上田哲三上本康裕酒井啓之田中 毅パナソニック)・上田大助京都工繊大
(2) 14:25-14:50 [依頼講演]高周波GaN-HEMTの製品化の経緯 舘野泰範住友電工
(3) 14:50-15:15 [依頼講演]ミリ波GaN HEMTの現状 牧山剛三新井田佳孝尾崎史朗多木俊裕岡本直哉美濃浦優一佐藤 優鎌田陽一常信和清渡部慶二富士通)・宮本泰幸東工大
  15:15-15:25 休憩 ( 10分 )
1月26日(木) 午後  ED研シンポジウム(2)
座長: 中田健(住友電工)
15:25 - 16:40
(4) 15:25-15:50 [依頼講演]GaN縦型パワーデバイス実用化に向けた課題 須田 淳京大
(5) 15:50-16:15 [依頼講演]GaN電子デバイス用エピウエハの現状と課題 乙木洋平SCIOCS
(6) 16:15-16:40 [依頼講演]金属/GaNショットキー接触の評価 ~ 黎明期からの振り返り ~ 塩島謙次福井大
1月27日(金) 午前  ED研
座長: 大石敏之(佐賀大)
09:30 - 10:20
(7) 09:30-09:55 ゼロバイアスGaAsSbバックワードダイオード検波器の雑音特性改善 高橋 剛佐藤 優芝 祥一中舍安宏原 直紀岩井大介岡本直哉渡部慶二富士通研
(8) 09:55-10:20 HfO2/Al2O3/InGaAsゲート構造における移動度への成膜温度およびH2アニールの影響 大澤一斗野口真司祢津誠晃木瀬信和宮本恭幸東工大
  10:20-10:30 休憩 ( 10分 )
1月27日(金) 午前  マイクロ波研一般
座長: 枚田明彦(千葉工大)
10:30 - 11:45
(9) 10:30-10:55 アンテナ-共振器間の飛越結合を用いた有極形フィルタリングアンテナの設計 宮崎寿基大平昌敬馬 哲旺王 小龍埼玉大
(10) 10:55-11:20 マイクロストリップコンポジット共振器を用いたデュアルバンド帯域通過フィルタの設計手法の改善 張 茹馬 哲旺大平昌敬王 小龍埼玉大)・陳 春平穴田哲夫神奈川大
(11) 11:20-11:45 GaN on Siを用いたX帯低損失・高耐電力スイッチ 幸丸竜太半谷政毅中原和彦岡崎拓行山中宏治三菱電機
  11:45-13:00 昼食 ( 75分 )
1月27日(金) 午後  ED研
座長: 原直紀(富士通)
13:00 - 13:50
(12) 13:00-13:25 Si基板上GaNHEMTの基板中RFリーク電流の温度特性を考慮した物理モデル 山口裕太郎新庄真太郎山中宏治三菱電機)・大石敏之佐賀大
(13) 13:25-13:50 AlGaN/GaN HEMTの電気的特性に対する保護膜残留応力依存性 ~ TCADシミュレーションによる検討 ~ 大石敏之佐賀大)・山口裕太郎山中宏治三菱電機
  13:50-14:00 休憩 ( 10分 )
1月27日(金) 午後  マイクロ波一般
座長: 加保貴奈(NTT)
14:00 - 15:15
(14) 14:00-14:25 低コスト送信器向け小型8.5-10.5GHz GaN-on-Si MMIC増幅器 神岡 純半谷政毅中原和彦岡崎拓行山中宏治三菱電機
(15) 14:25-14:50 直並列インダクタンス型広帯域プリマッチ回路を適用したC-Ku帯10W級GaN高出力高効率広帯域MMIC増幅器 桑田英悟杉本篤夫小山英寿加茂宣卓幸丸竜太山中宏治三菱電機
(16) 14:50-15:15 ゲート長0.15um GaN HEMTを用いた動作帯域8%、30W出力/60% PAEのX帯GaN電力増幅器 河村由文半谷政毅水谷知大富山賢一山中宏治三菱電機

講演時間
一般講演発表 20 分 + 質疑応答 5 分
依頼講演発表 20 分 + 質疑応答 5 分

問合先と今後の予定
ED 電子デバイス研究会(ED)   [今後の予定はこちら]
問合先 松永 高治(日本電気)
TEL:044-435-8348 Fax :044-455-8253
E-: k-fpc
鈴木 寿一(北陸先端科学技術大学院大学)
TEL : 0761-51-1441 Fax : 0761-51-1455
E- : sijaist 
MW マイクロ波研究会(MW)   [今後の予定はこちら]
問合先 關谷 尚人(山梨大)
TEL: 055-220-8393
E-: n
もしくは
佐藤 潤二(パナソニック)
TEL: 050-3686-6073, FAX: 045-934-8765
E-: ujunpac 


Last modified: 2017-01-26 10:35:23


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