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シリコン材料・デバイス研究会(SDM) [schedule] [select]
専門委員長 大野 裕三 (筑波大)
副委員長 国清 辰也 (ルネサス エレクトロニクス)
幹事 黒田 理人 (東北大)
幹事補佐 山口 直 (ルネサス エレクトロニクス)

日時 2016年 1月28日(木) 10:00 - 16:20
議題 先端CMOSデバイス・ プロセス技術(IEDM特集) 
会場名 機械振興会館6F 6-66会議室 
住所 〒105-0011 東京都港区芝公園3-5-8
交通案内 東京メトロ日比谷線 神谷町駅下車 徒歩8分
http://www.jspmi.or.jp/kaigishitsu/access.html
他の共催 ◆応用物理学会共催

1月28日(木) 午前 
10:00 - 12:00
(1) 10:00-10:30 [招待講演]Experimental Study on Carrier Transport Properties in Extremely-Thin Body Ge-on-Insulator (GOI) p-MOSFETs with GOI Thickness Down to 2 nm Xiao YuJian KangMitsuru TakenakaShinichi TakagiUniv. of Tokyo
(2) 10:30-11:00 [招待講演]Advanced SPCプロセスにより形成された高移動度poly-Siナノワイヤトランジスタにおける電気輸送特性 小田 穣佐久間 究上牟田雄一齋藤真澄東芝
(3) 11:00-11:30 [招待講演]トンネルトランジスタにおけるBTIの理解 水林 亘森 貴洋福田浩一石川由紀森田行則右田真司太田裕之柳 永勛大内真一塚田順一山内洋美松川 貴昌原明植遠藤和彦産総研
(4) 11:30-12:00 IEDM2015を振り返って 高柳真理子(東芝)
  12:00-13:30 昼食 ( 90分 )
1月28日(木) 午後 
13:30 - 16:20
(5) 13:30-14:00 [招待講演]ファンデルワールス接合の作製と量子輸送現象 町田友樹守谷 頼佐田洋太山口健洋荒井美穂矢吹直人森川 生増渕 覚東大)・上野啓司埼玉大
(6) 14:00-14:30 [招待講演]Si上異種半導体集積によるCMOSフォトニクス 竹中 充金 栄現韓 在勲亢 健一宮佑希程 勇鵬朴 珍權金 相賢高木信一東大
(7) 14:30-15:00 [招待講演]最先端テクノロジノードにおける2RWデュアルポートSRAM設計事例 新居浩二薮内 誠ルネサス エレクトロニクス)・横山佳巧ルネサス システムデザイン)・石井雄一郎岡垣 健森本薫夫塚本康正ルネサス エレクトロニクス)・田中浩司田中美紀ルネサス システムデザイン)・田中信二ルネサス エレクトロニクス
  15:00-15:20 休憩 ( 20分 )
(8) 15:20-15:50 [招待講演]次世代垂直磁化MTJを用いた高速・低消費電力のキャッシュメモリ階層技術を持つノーマリーオフプロセッサ 池上一隆野口紘希高谷 聡鎌田親義天野 実安部恵子櫛田桂一北川英二落合隆夫下村尚治才田大輔川澄 篤原 浩幸伊藤順一藤田 忍東芝
(9) 15:50-16:20 [招待講演]極低ドレイン電圧で急峻なS値を持つPN Body Tied SOI FET 井田次郎金沢工大

講演時間
招待講演発表 25 分 + 質疑応答 5 分

問合先と今後の予定
SDM シリコン材料・デバイス研究会(SDM)   [今後の予定はこちら]
問合先 黒田 理人(東北大)
Tel 022-795-4833 Fax 022-795-4834
E-: e3 


Last modified: 2016-01-06 11:05:28


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