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電子部品・材料研究会(CPM) [schedule] [select]
専門委員長 竹村 泰司 (横浜国大)
副委員長 高野 泰 (静岡大)
幹事 島村 俊重 (NTT), 阿部 克也 (信州大)
幹事補佐 圓佛 晃次 (NTT), 佐藤 知正 (神奈川大)

日時 2011年10月26日(水) 13:00 - 17:15
2011年10月27日(木) 09:30 - 11:10
議題 薄膜プロセス・材料,一般 
会場名 福井大学 工学部 産学官連携本部研修室 
住所 福井県福井市文京3丁目9番1号
交通案内 http://www.u-fukui.ac.jp/cont_about/outline/access.html
会場世話人
連絡先
福井大学 工学部 電気電子工学科 山本 ?勇
著作権に
ついて
以下の論文すべての著作権は電子情報通信学会に帰属します.(許諾番号:10GA0019/12GB0052/13GB0056/17GB0034/18GB0034)

10月26日(水) 午後 
13:00 - 17:15
(1) 13:00-13:25 複合ターゲットを用いた反応性スパッタリング法によるCuAlO2薄膜の作製と構造評価 CPM2011-109 横本拓也前田洋輔宮澤 匠山上朋彦阿部克也信州大
(2) 13:25-13:50 低電圧駆動フレキシブル有機EL素子のためのITO薄膜の検討 CPM2011-110 劉 暢松井博章木伏貴映清水英彦岩野春男福嶋康夫永田向太郎坪井 望野本隆宏新潟大
(3) 13:50-14:15 RF-DC結合形スパッタ法による室温成膜AZO薄膜の特性 CPM2011-111 樫出 淳名越克仁富口祐輔清水英彦岩野春男川上貴浩永田向太郎福嶋康夫坪井 望野本隆宏新潟大
  14:15-14:30 休憩 ( 15分 )
(4) 14:30-14:55 Bi2Sr2CaCu2Oxスタックからのテラヘルツ波検出法に関する研究 CPM2011-112 加藤孝弘浅野武史須永 悟長岡技科大)・川上 彰NICT)・安井寛治濱崎勝義長岡技科大
(5) 14:55-15:20 MOVPE法による中間組成域n-InAlN/p-InGaNヘテロ接合の作製 CPM2011-113 堀田 徹杉田憲一A. G. Bhuiyan橋本明弘山本あき勇福井大
(6) 15:20-15:45 MOCVD法によるInGaN膜を被覆した高耐食性固体高分子形燃料電池用ステンレス鋼板製セパレータ CPM2011-114 嶋橋政徳アイテック)・松井和也福井大)・岡田晃治アイテック)・杉田憲一福井大)・佐々木 肇アイテック)・山本アキ勇福井大
  15:45-16:00 休憩 ( 15分 )
(7) 16:00-16:25 光化学堆積法による新たな混晶半導体CuxZnyS薄膜の作製 CPM2011-115 満 都拉市村正也名工大
(8) 16:25-16:50 遷移金属を含有した低純度Si基板を用いた太陽電池の試作 CPM2011-116 武田大樹都築 暁籾山克章鹿又健作鈴木貴彦廣瀬文彦山形大
(9) 16:50-17:15 NiSi相の形成とCuコンタクトへの適用 CPM2011-117 武山真弓佐藤 勝野矢 厚北見工大
10月27日(木) 午前 
09:30 - 11:10
(10) 09:30-09:55 SiCコーティングしたグラファイト触媒を用いたSiC薄膜の作製 CPM2011-118 坂口優也牛草遼平周 澤宇山上朋彦阿部克也信州大
(11) 09:55-10:20 TEOSを原料とするCVD法によるSiO2/SiC MOS構造の作製 CPM2011-119 逸見充則井口裕哉酒井崇史杉田暁彦山上朋彦林部林平上村喜一信州大
(12) 10:20-10:45 MOVPE法によるSi(111)基板上への中間組成InGaN膜の成長 CPM2011-120 三原章宏杉田憲一Ashraful G. Bhuiyan橋本明弘山本あき勇福井大)・渡邉則之重川直輝NTT
(13) 10:45-11:10 NH3分解触媒を用いたInNのMOVPE成長 CPM2011-121 廣長大造杉田憲一A.g. Bhuiyan橋本明弘山本あき勇福井大

講演時間
一般講演発表 20 分 + 質疑応答 5 分

問合先と今後の予定
CPM 電子部品・材料研究会(CPM)   [今後の予定はこちら]
問合先  


Last modified: 2011-08-23 13:43:39


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