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シリコン材料・デバイス研究会 (SDM) (検索条件: 2008年度)
「from:2008-07-09 to:2008-07-09」による検索結果
| 研究会 | 発表日時 | 開催地 | タイトル・著者 | 抄録 | 資料番号 | |
| SDM, ED (共催) |
2008-07-09 10:00 |
北海道 | かでる２・７（札幌） | ［基調講演］III-V Semiconductor Epitaxial Nanowires and Their Applications ○Takashi Fukui・Shinjiro Hara・Kenji Hiruma・Junichi Motohisa（Hokkaido Univ.）  ED2008-39 SDM2008-58 |
[more] | ED2008-39 SDM2008-58 p.1 |
| SDM, ED (共催) |
2008-07-09 10:50 |
北海道 | かでる２・７（札幌） | ［招待講演］Growth of InAs quantum dot and device application ○Il-Ki Han（KIST） |
[more] | |
| SDM, ED (共催) |
2008-07-09 11:15 |
北海道 | かでる２・７（札幌） | ［招待講演］Narrow-gap III-V Semiconductor Technology: Lattice-Mismatched Growth and Epitaxial Lift-off for Heterogeneous Integration ○Toshi-kazu Suzuki（JAIST） ED2008-40 SDM2008-59 |
Narrow-gap III-V semiconductors, such as InAs, InGaAs/InAlAs... [more] | ED2008-40 SDM2008-59 pp.3-8 |
| SDM, ED (共催) |
2008-07-09 11:40 |
北海道 | かでる２・７（札幌） | ［招待講演］AlGaN/GaN-based Electron Devices with Low-temperature GaN Cap Layer ○Tadayoshi Deguchi（New Japan Radio）・Takashi Egawa（Nagoya Inst. of Tech.） ED2008-41 SDM2008-60 |
[more] | ED2008-41 SDM2008-60 pp.9-14 |
| SDM, ED (共催) |
2008-07-09 12:05 |
北海道 | かでる２・７（札幌） | Properties of GaN MIS Capacitors Using Al2O3 as Gate Dielectric Deposited by Remote Plasma Atomic Layer Deposition ○Hyeong-Seon Yun・Ka-Lam Kim・No-Won Kwak・Woo-Seok Lee・Sang-Hyun Jeong（Cheongju Univ.）・Ju-Ok Seo（Itswell）・Kwang-Ho Kim（Cheongju Univ.） ED2008-42 SDM2008-61 |
Al2O3 thin films were deposited on GaN 0001) by Remote Plasm... [more] | ED2008-42 SDM2008-61 pp.15-19 |
| SDM, ED (共催) |
2008-07-09 13:20 |
北海道 | かでる２・７（札幌） | ［招待講演］Guidelines for the Threshold Voltage Control of Metal/HfSiON system ○Akira Nishiyama・Yoshinori Tsuchiya・Masahiko Yoshiki・Atsuhiro Kinoshita・Junji Koga・Masato Koyama（Toshiba） ED2008-43 SDM2008-62 |
[more] | ED2008-43 SDM2008-62 pp.21-24 |
| SDM, ED (共催) |
2008-07-09 13:45 |
北海道 | かでる２・７（札幌） | ［招待講演］Precise Ion Implantation for Advanced MOS LSIs ○Toshiharu Suzuki（SEN） ED2008-44 SDM2008-63 |
Issues in the ion implantation technology employed in advanc... [more] | ED2008-44 SDM2008-63 pp.25-30 |
| SDM, ED (共催) |
2008-07-09 14:10 |
北海道 | かでる２・７（札幌） | ［招待講演］Quantum Modeling of Carrier Transport through Silicon Nano-devices ○Nobuya Mori・Hideki Minari（Osaka Univ.） ED2008-45 SDM2008-64 |
[more] | ED2008-45 SDM2008-64 pp.31-36 |
| SDM, ED (共催) |
2008-07-09 14:35 |
北海道 | かでる２・７（札幌） | ［招待講演］High-K Dielectric for Charge Trap-type Flash Memory Application ○Byung-Jin Cho（KAIST）・Wei He・Jing Pu（National Univ. of Singapore） ED2008-46 SDM2008-65 |
In this paper, lanthanide group oxides, AlLaOx, HfLaOx, Gd2O... [more] | ED2008-46 SDM2008-65 pp.37-41 |
| SDM, ED (共催) |
2008-07-09 15:00 |
北海道 | かでる２・７（札幌） | Characteristics of Locally-Separated Channel FinFETs with Non-Overlapped Source/Drain to Gate for Sub-50 nm DRAM Cell Transistors ○Han-A Jung・Ki-Heung Park（Kyungpook National Univ.）・Hyuck-In Kwon（Daegu Univ. Jillyang）・Jong-Ho Lee（Kyungpook National Univ.） ED2008-47 SDM2008-66 |
[more] | ED2008-47 SDM2008-66 pp.43-46 |
| SDM, ED (共催) |
2008-07-09 15:15 |
北海道 | かでる２・７（札幌） | A Material of Semiconductor Package with Low Dielectric Constant, Low Dielectric Loss and Flat Surface for High Frequency and Low Power Propagation ○Hiroshi Imai（Tohoku Univ.）・Masahiko Sugimura・Masafumi Kawasaki（Zeon）・Akinobu Teramoto・Shigetoshi Sugawa・Tadahiro Ohmi（Tohoku Univ.） ED2008-48 SDM2008-67 |
[more] | ED2008-48 SDM2008-67 pp.47-51 |
| SDM, ED (共催) |
2008-07-09 15:30 |
北海道 | かでる２・７（札幌） | CMOS phase shift Oscillator Using the Conduction of Heat ○Takaaki Hirai・Tetsuya Asai・Yoshihito Amemiya（Hokkaido univ.） ED2008-86 SDM2008-105 |
[more] | ED2008-86 SDM2008-105 pp.249-252 |
| SDM, ED (共催) |
2008-07-09 15:55 |
北海道 | かでる２・７（札幌） | ［招待講演］Characterization of Carbon Nanotube FETs by Electric Force Microscopy ○Takashi Mizutani（Nagoya Univ.） ED2008-49 SDM2008-68 |
[more] | ED2008-49 SDM2008-68 pp.53-58 |
| SDM, ED (共催) |
2008-07-09 16:20 |
北海道 | かでる２・７（札幌） | ［招待講演］Recent Progress on Nanoprobe and Nanoneedle ○Masaki Tanemura・Masashi Kitazawa・Yoshitaka Sugita・Ako Miyawaki・Masaki Kutsuna・Yasuhiko Hayashi（Nagoya Inst. of Tech.）・Shu Ping Lau（Nanyang Tech. Univ.） ED2008-50 SDM2008-69 |
Ar+ ion bombardment of carbon surfaces (both bulk carbon and... [more] | ED2008-50 SDM2008-69 pp.59-64 |
| SDM, ED (共催) |
2008-07-09 16:45 |
北海道 | かでる２・７（札幌） | ［招待講演］Technical Issues and Applications of Printed Thin-Film Devices ○Yongtaek Hong・Jaewook Jeong・Jinwoo Kim・Sanbwoo Kim・Minkyoo Kwon・Seungjun Chung（Seoul National Univ.） ED2008-51 SDM2008-70 |
[more] | ED2008-51 SDM2008-70 pp.65-68 |
| SDM, ED (共催) |
2008-07-09 17:10 |
北海道 | かでる２・７（札幌） | ［招待講演］A Ta2O5 Solid-electrolyte Switch with Improved Reliability ○Naoki Banno・Toshitsugu Sakamoto・Noriyuki Iguchi・Shinji Fujieda（NEC Corp.）・Kazuya Terabe・Tsuyoshi Hasegawa・Masakazu Aono（NIMS） ED2008-52 SDM2008-71 |
We present a novel solid-electrolyte switch (”NanoBridge”) p... [more] | ED2008-52 SDM2008-71 pp.69-72 |
| SDM, ED (共催) |
2008-07-09 17:35 |
北海道 | かでる２・７（札幌） | Recessed Channel Dual Gate Single Electron Transistors (RCDG-SETs) for Room Temperature Operation ○Sang Hyuk Park・Sangwoo Kang・Dong-Seup Lee・Jung Han Lee・Hong-Seon Yang・Kwon-Chil Kang・Joung-Eob Lee・Jong Duk Lee・Byung-Gook Park（Seoul National Univ.） ED2008-53 SDM2008-72 |
A Recessed-Channel Dual-Gate Single Electron Transistor (RCD... [more] | ED2008-53 SDM2008-72 pp.73-76 |
| SDM, ED (共催) |
2008-07-10 09:00 |
北海道 | かでる２・７（札幌） | リモート水素プラズマ支援によるPdナノドット形成とフローティングゲートMOSメモリ応用 ○島ノ江和広・牧原克典・池田弥央・宮崎誠一（広島大） ED2008-54 SDM2008-73 |
We have studied the formation of Pd-nanodots on SiO2 from ul... [more] | ED2008-54 SDM2008-73 pp.77-80 |
| SDM, ED (共催) |
2008-07-10 09:15 |
北海道 | かでる２・７（札幌） | Simulation of Retention Characteristics in Double-Gate Structure Multi-bit SONOS Flash Memories ○Doo-Hyun Kim・Il Han Park・Byung-Gook Park（Seoul National Univ.） ED2008-55 SDM2008-74 |
This paper presents a detailed study of the retention charac... [more] | ED2008-55 SDM2008-74 pp.81-84 |
| SDM, ED (共催) |
2008-07-10 09:30 |
北海道 | かでる２・７（札幌） | 3-dimensional Terraced NAND(3D TNAND) Flash Memory ○Yoon Kim・Gil-Seong Lee・Jong Duk Lee・Hyungcheol Shin・Byung-Gook Park（Seoul National Univ.） ED2008-56 SDM2008-75 |
We propose the 3-dimensional terraced NAND flash memory. It ... [more] | ED2008-56 SDM2008-75 pp.85-88 |
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