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シリコン材料・デバイス研究会 (SDM) (検索条件: 2013年度)
「from:2013-10-17 to:2013-10-17」による検索結果
| 研究会 | 発表日時 | 開催地 | タイトル・著者 | 抄録 | 資料番号 | |
| SDM | 2013-10-17 14:00 |
宮城 | 東北大学未来研 | ［招待講演］SiCパワーデバイスの開発動向 ○四戸 孝（東芝）  SDM2013-88 |
SiCパワーデバイスの研究開発は、市場規模の大きなハイブリッド自動車のモータドライブや太陽光発電のパワーコンディショナー... [more] | SDM2013-88 pp.1-4 |
| SDM | 2013-10-17 14:50 |
宮城 | 東北大学未来研 | Electrical Properties and Reliability of Ultrathin HfN Gate Insulator Formed on Si(100) and Si(110) ○Nithi Atthi・Dae-Hee Han・Shun-ichiro Ohmi（Tokyo Inst. of Tech.） SDM2013-89 |
[more] | SDM2013-89 pp.5-9 |
| SDM | 2013-10-17 15:40 |
宮城 | 東北大学未来研 | Effect of silicon surface roughness on 3-D MOS capacitor with ultrathin HfON gate insulator formed by ECR plasma sputtering ○Dae-Hee Han・Shun-ichiro Ohmi（Tokyo Inst. of Tech.） SDM2013-90 |
[more] | SDM2013-90 pp.11-14 |
| SDM | 2013-10-17 16:10 |
宮城 | 東北大学未来研 | 原子レベル平坦化Si表面のキャリアモビリティ特性に基づくマルチゲートMOSFETの構造設計 ○黒田理人・中尾幸久・寺本章伸・須川成利・大見忠弘（東北大） SDM2013-91 |
[more] | SDM2013-91 pp.15-20 |
| SDM | 2013-10-18 09:30 |
宮城 | 東北大学未来研 | 内部量子効率100%のPD技術とオンチップ高透過積層膜を組み合わせた紫外光高感度・高信頼性Siフォトダイオード ○幸田安真・黒田理人・中尾幸久・須川成利（東北大） SDM2013-92 |
[more] | SDM2013-92 pp.21-25 |
| SDM | 2013-10-18 10:00 |
宮城 | 東北大学未来研 | 窒素添加LaB6薄膜のデバイス応用に関する検討 ○前田康貴・大見俊一郎（東工大）・後藤哲也・大見忠弘（東北大） SDM2013-93 |
低仕事関数を有するLaB6は，窒素を添加することで酸化耐性が向上することが報告されている．本研究では窒素添加したLaB6... [more] | SDM2013-93 pp.27-31 |
| SDM | 2013-10-18 10:30 |
宮城 | 東北大学未来研 | バイアス印加硬X線光電子分光法を用いた絶縁膜/Si界面の評価 ○池野成裕・永田晃基（明大）・陰地 宏・廣沢一郎（高輝度光科学研究センター）・小椋厚志（明大） SDM2013-94 |
SiO2/Si 構造における界面準位の議論は、トランジスタの設計において最も重要なパラメータの一つである。界面準位の評価... [more] | SDM2013-94 pp.33-36 |
| SDM | 2013-10-18 11:00 |
宮城 | 東北大学未来研 | 古典的分子動力学計算による物理的プラズマダメージ形成機構の検討 ～ Fin型MOSFETでの欠陥生成機構 ～ ○江利口浩二・松田朝彦・中久保義則・鷹尾祥典・斧 高一（京大） SDM2013-95 |
[more] | SDM2013-95 pp.37-40 |
| SDM | 2013-10-18 13:00 |
宮城 | 東北大学未来研 | 積層型不揮発性メモリの設計法 ○渡辺重佳（湘南工科大） SDM2013-96 |
[more] | SDM2013-96 pp.41-46 |
| SDM | 2013-10-18 13:30 |
宮城 | 東北大学未来研 | プラズマチャージングダメージがMOSFETのRandom Telegraph Noise特性に及ぼす影響 亀井政幸・中久保義則・鷹尾祥典・○江利口浩二・斧 高一（京大） SDM2013-97 |
[more] | SDM2013-97 pp.47-50 |
| SDM | 2013-10-18 14:00 |
宮城 | 東北大学未来研 | MOSFETのサブスレショルド領域におけるRandom Telegraph Noiseの時定数解析 ○米澤彰浩・寺本章伸・小原俊樹・黒田理人・須川成利・大見忠弘（東北大） SDM2013-98 |
MOSFETのサブスレッショルド領域におけるRandom Telegraph Noise(RTN)の捕獲・放出時定数を多... [more] | SDM2013-98 pp.51-56 |
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