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シリコン材料・デバイス研究会 (SDM) (検索条件: 2012年度)
「from:2012-10-25 to:2012-10-25」による検索結果
| 研究会 | 発表日時 | 開催地 | タイトル・著者 | 抄録 | 資料番号 | |
| SDM | 2012-10-25 15:20 |
宮城 | 東北大学未来研 | SiO2/Si(100)界面における組成遷移層の化学構造に関する研究 ○諏訪智之・寺本章伸（東北大）・室 隆桂之・木下豊彦（高輝度光科学研究センター）・須川成利・服部健雄・大見忠弘（東北大）  SDM2012-89 |
[more] | SDM2012-89 pp.1-4 |
| SDM | 2012-10-25 15:45 |
宮城 | 東北大学未来研 | AR-XPS及びHAX-PESによるSiO2/SiC界面の化学結合状態評価 ○岡田葉月・小松 新・渡辺将人（東京都市大）・泉 雄大・室 隆圭介（高輝度光科学研究センター）・澤野憲太郎・野平博司（東京都市大） SDM2012-90 |
我々は、SPring-8のBL27SUでSiO2/SiCの角度分解X線光電子分光(AR-XPS)測定とエッチングにより酸... [more] | SDM2012-90 pp.5-9 |
| SDM | 2012-10-25 16:10 |
宮城 | 東北大学未来研 | 微小角入射X線回折法を用いたSiO2薄膜中の結晶相の評価 ○永田晃基・山口拓也・小椋厚志（明大）・小金澤智之・廣澤一郎（高輝度光科学研究センター）・諏訪智之・寺本章伸・服部健雄・大見忠弘（東北大） SDM2012-91 |
SiO2薄膜の構造については、かねてより多角的な研究によりSiO2薄膜中にSi基板の結晶構造を反映した秩序が残留している... [more] | SDM2012-91 pp.11-14 |
| SDM | 2012-10-25 16:35 |
宮城 | 東北大学未来研 | 温度制御型フォトリフレクタンス分光法を用いたプラズマ誘起Si基板ダメージの定量化とそのプロファイル解析 ○松田朝彦・中久保義則・鷹尾祥典・江利口浩二・斧 高一（京大） |
プラズマエッチング時のソースドレインエクステンション領域でのSi基板ダメージは，MOSFET劣化の要因として問題となって... [more] | |
| SDM | 2012-10-26 09:30 |
宮城 | 東北大学未来研 | Accumulation MOSFETsにおけるノイズ特性の評価 ○ゴベール フィリップ・寺本章伸・須川成利・大見忠弘（東北大） SDM2012-92 |
[more] | SDM2012-92 pp.15-20 |
| SDM | 2012-10-26 09:55 |
宮城 | 東北大学未来研 | PECVD法を用いたゲートスペーサー用高品質シリコン窒化膜の低温形成プロセス ○中尾幸久・寺本章伸・黒田理人・諏訪智之・田中宏明・須川成利・大見忠弘（東北大） SDM2012-93 |
[more] | SDM2012-93 pp.21-26 |
| SDM | 2012-10-26 10:20 |
宮城 | 東北大学未来研 | ［特別講演］シリコンLSI:微細化に替る高性能化の道 ○大見忠弘・中尾幸久・黒田理人・諏訪智之・田中宏明・須川成利（東北大） SDM2012-94 |
[more] | SDM2012-94 pp.27-32 |
| SDM | 2012-10-26 13:00 |
宮城 | 東北大学未来研 | Fabrication process for pentacene-based vertical OFETs with HfO2 gate insulator ○Min Liao（Tokyo Inst. of Tech.）・Hiroshi Ishiwara（Konkuk Univ.）・Shun-ichiro Ohmi（Tokyo Inst. of Tech.） SDM2012-95 |
[more] | SDM2012-95 pp.33-36 |
| SDM | 2012-10-26 13:25 |
宮城 | 東北大学未来研 | Effect of silicon surface roughness on MOSFET performance with ultra-thin HfON gate insulator formed by ECR sputtering ○Dae-Hee Han・Shun-ichiro Ohmi（Tokyo Inst. of Tech.） SDM2012-96 |
[more] | SDM2012-96 pp.37-40 |
| SDM | 2012-10-26 13:50 |
宮城 | 東北大学未来研 | シリコンウェーハプロセスにおける超高速ウェットエッチング技術 ○酒井 健・吉田達朗（東北大）・吉川和博（東北大/アプリシアテクノロジー）・大見忠弘（東北大） SDM2012-97 |
3次元高集積化技術のなかで、シリコンウェーハの薄化技術が重要視されている。本論文では、ウェットエッチングによるシリコンウ... [more] | SDM2012-97 pp.41-45 |
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